📑半导体｜收益风险比向好的区间 💡 周期强度持续得到验证，供给紧张程度预计将在 2027 年进一步加剧。 💱 虽然存在汇率下行带来的业绩下行风险，但估值修复的逻
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📑半导体｜收益风险比向好的区间
💡 周期强度持续得到验证，供给紧张程度预计将在 2027 年进一步加剧。 💱 虽然存在汇率下行带来的业绩下行风险，但估值修复的逻辑已经确立。 ⚠️ 这是风险回报比具备吸引力的区间，维持目标股价与买入评级。 📊 风险回报比具备吸引力的区间 💸 受汇率下行影响，存在业绩下行风险，宏观不确定性带来的 AI 资本开支延期可能性等因素，会成为制约美光科技股价上行的因素。 ✅ 即便如此，依然维持目标股价与买入评级，理由在于周期强度得到进一步确认，供给紧张加剧的逻辑也愈发明确。 🏭 企业部门与贸易部门（主要是汇率）均会强化相关逻辑，维持对三星电子、SK 海力士的买入评级。 🔍 1.2027 年供给紧张加剧逻辑得到验证 📈 市场此前的共识是，相较于 2026 年，2027 年供给紧张的程度会进一步加剧。过去一个月，机构上调了 2027 年供给紧张加剧的相关目标。 📦 ① 需求端展望：部分高价产品预计 2028 年 HBM 需求达到 400 亿 Gb 以上。 📊 机构测算，2027 年全球 HBM 出货量约 366 亿 Gb。机构判断，设备厂商的出货规划时间窗口将拉长至 5 年以上。 ⚠️ 高价位产品的出货时间存在不确定性，当前行业很难实现 100% 的设备利用率。在产能紧张的环境下，为消化库存，实际需求会明显低于供给。 🌍 在宏观风险降低的海外市场，需求强周期重启的可能性较高。 🏭 ② 供给端的生产约束：市场对生产端的限制因素已经显现。目标价格上调，是因为企业多次上调目标。 📉 但本轮 Fab 产出的产品变化，需要优先向生产端反馈，预计 2027 年全球 DRAM 产出，将被限制在较前期高出 20% 的水平。 💴 2. 汇率下行背景下依然具备韧性 💹 3Q26 汇率下行带来影响，基准汇率 1450 韩元，新假设汇率 1350 韩元。以此为基准，三星电子 3Q26 营业利润预期由 105.5 万亿韩元下调至 74.7 万亿韩元。 📉 此前基准预期：三星电子 110 万亿韩元，SK 海力士 77 万亿韩元。 ⚠️ 即便汇率下行，企业业绩的下行幅度也有限。三星电子 DRAM 产量改善带来效果，SK 海力士 HBM4 量产会拉动 DRAM 平均售价。 🔧 ① 三星电子：DRAM 1c 良率目前预估改善至 80%。基于改良工艺，即便良率继续提升，也存在产能瓶颈。 ⌛ DRAM 1c 的产能释放还需要时间。对比预期，良率改善后的产品功耗效率还有提升空间。 🏭 低功耗环境下，需要把 DRAM 1c 产能优先投入 HBM4 生产，但是良率改善效果，无法完全抵消部分产品的供给增量。 📈 ② SK 海力士：依托 HBM4 量产带来的效果，预计将缩小与竞品的 DRAM 平均售价差距。 🚧 HBM4 产品的认证相关噪声会部分传导至市场，但不会造成大规模供给受限。 📋 投资意见：超配 📌 观点维持，目标价位维持。 ⭐ 三星电子：买入，目标股价 560000 韩元。 ⭐ SK 海力士：买入，目标股价 3200000 韩元。
总体总结
主题正文
- 💸 受汇率下行影响，存在业绩下行风险，宏观不确定性带来的 AI 资本开支延期可能性等因素，会成为制约美光科技股价上行的因素。
- 📦 ① 需求端展望：部分高价产品预计 2028 年 HBM 需求达到 400 亿 Gb 以上。
- 📉 但本轮 Fab 产出的产品变化，需要优先向生产端反馈，预计 2027 年全球 DRAM 产出，将被限制在较前期高出 20% 的水平。
- 💹 3Q26 汇率下行带来影响，基准汇率 1450 韩元，新假设汇率 1350 韩元。
- 以此为基准，三星电子 3Q26 营业利润预期由 105.5 万亿韩元下调至 74.7 万亿韩元。
- 三星电子 DRAM 产量改善带来效果，SK 海力士 HBM4 量产会拉动 DRAM 平均售价。
- 🏭 低功耗环境下，需要把 DRAM 1c 产能优先投入 HBM4 生产，但是良率改善效果，无法完全抵消部分产品的供给增量。
- 📈 ② SK 海力士：依托 HBM4 量产带来的效果，预计将缩小与竞品的 DRAM 平均售价差距。