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📢阿斯麦与台积电宣布发起行业计划，引领高 NA 极紫外光刻向大尺寸光掩模转型 📅9 月 7 日，在 SPIE BACUS 会议召开前夕，阿斯麦与台积电组建一项行业合作计划，推动行业转向 12 英寸光掩模，最大化发挥高 NA 极紫外光刻技术的价值。 🎯该计划目标是在 2031 年前建成 12 英寸掩模试验产线，到 2033 年为先进制程生产实现全套光刻系统就绪提供支撑。 🤝该计划获得广泛行业支持，多家高 NA 极紫外光刻技术采用方以及其他主要供应商均表达了加入此项计划的意向。 📍中国台湾新竹以及荷兰费尔德霍芬，2026 年 9 月 8 日消息 —— 阿斯麦控股公司（泛欧交易所：ASML，纳斯达克：ASML）与台湾积体电路制造公司（台交所：2330，纽交所：TSM）对外公布一项合作计划，牵头推动半导体行业完成大尺寸极紫外（EUV）光刻光掩模的技术迭代。 💡现阶段高 NA 极紫外光刻生产依旧使用 6 英寸光掩模；而切换至尺寸更大的 12 英寸光掩模，预计将进一步提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，消除拼接工艺限制，惠及整个半导体行业。 ✨这将帮助先进芯片制造公司充分释放高 NA 极紫外光刻的技术优势，让下一代尖端芯片拥有更好的成本效益。 🗣️阿斯麦总裁兼首席执行官克里斯托夫・富凯表示：我们预计高 NA 极紫外光刻技术会顺着器件微缩路线图逐步落地，初期沿用现有 6 英寸光掩模，后续再由 12 英寸光掩模提供配套；12 英寸光掩模能够显著提升扫描设备产能，助力行业满足市场对于尺寸更小、速度更快、能效更高芯片的需求。对于半导体制造公司、掩模供应商以及合作方为本计划提供的初期大力支持，我们感到十分欣喜。 🗨️台积电董事长兼首席执行官魏哲家博士表示：我们始终认为，行业携手攻克复杂难题，就可以实现单家公司无法独立达成的突破。通过汇聚全产业链各环节的专业能力，我们希望依靠持续创新持续释放前沿技术红利，降低技术门槛，让先进方案能够实现规模化落地应用。 ⚙️台积电计划自 2030 年起，在先进制程的大规模生产当中采用阿斯麦的高 NA 技术。伴随制程节点持续迭代，台积电预计芯片工艺层数
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总体总结
主题正文
- 📅9 月 7 日，在 SPIE BACUS 会议召开前夕，阿斯麦与台积电组建一项行业合作计划，推动行业转向 12 英寸光掩模，最大化发挥高 NA 极紫外光刻技术的价值。
- 🎯该计划目标是在 2031 年前建成 12 英寸掩模试验产线，到 2033 年为先进制程生产实现全套光刻系统就绪提供支撑。
- 📍中国台湾新竹以及荷兰费尔德霍芬，2026 年 9 月 8 日消息 —— 阿斯麦控股公司（泛欧交易所：ASML，纳斯达克：ASML）与台湾积体电路制造公司（台交所：2330，纽交所：TSM）对外公布一项合作计划，牵头推动半导体行业完成大尺寸极紫外（EUV）光刻光掩模的技术迭代。
- 而切换至尺寸更大的 12 英寸光掩模，预计将进一步提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，消除拼接工艺限制，惠及整个半导体行业。
- 🗣️阿斯麦总裁兼首席执行官克里斯托夫・富凯表示：我们预计高 NA 极紫外光刻技术会顺着器件微缩路线图逐步落地，初期沿用现有 6 英寸光掩模，后续再由 12 英寸光掩模提供配套；
- 12 英寸光掩模能够显著提升扫描设备产能，助力行业满足市场对于尺寸更小、速度更快、能效更高芯片的需求。
- 🗨️台积电董事长兼首席执行官魏哲家博士表示：我们始终认为，行业携手攻克复杂难题，就可以实现单家公司无法独立达成的突破。
- 通过汇聚全产业链各环节的专业能力，我们希望依靠持续创新持续释放前沿技术红利，降低技术门槛，让先进方案能够实现规模化落地应用。