天风通信｜韬定律新论文思考：并...

• 序号：022
• 星球链接：打开网页
• 附件：图片 0，音频 0，文档 0
• 音频文件：无音频

图片

无图片

正文

天风通信｜韬定律新论文思考：并非利空散热

🔥论文说了什么：

芯片动态功耗P= αCV²f，在现代芯片中，电容C主要由导线互联主导，τ通过逻辑折叠，大幅降低走线长度，使C↓，带来功耗反直觉的降低。

🌟思考1：散热不需要升级了吗？

在相同性能下，τ芯片电压可运行在更低电压V，使功耗P大幅优化。但论文同时提到：“全速运行时，τ芯片功耗密度将大于平面芯片，也带来141%的NPU性能…”

我们认为，τ提供了在不同场景的不同策略选择：移动平台保守 or 算力平台全速。 后者对散热升级的需求是显而易见的。

🌟思考2：保守场景下也需要升级散热材料

芯片结温T = T环境 + 功耗P * 热阻R

保守条件下，P↓，但由于硅晶圆的堆叠，使R项↑（R硅 + R键合层），仍然有可能带来局部温度过高的挑战。

我们认为， 寻找热阻R更低的tim、封装材料和主动散热依然必要。

总体总结

主题正文

1. 芯片动态功耗P= αCV²f，在现代芯片中，电容C主要由导线互联主导，τ通过逻辑折叠，大幅降低走线长度，使C↓，带来功耗反直觉的降低。
2. 🌟思考1：散热不需要升级了吗？
3. 在相同性能下，τ芯片电压可运行在更低电压V，使功耗P大幅优化。
4. 但论文同时提到：“全速运行时，τ芯片功耗密度将大于平面芯片，也带来141%的NPU性能…”
5. 我们认为，τ提供了在不同场景的不同策略选择：移动平台保守 or 算力平台全速。
6. 🌟思考2：保守场景下也需要升级散热材料
7. 保守条件下，P↓，但由于硅晶圆的堆叠，使R项↑（R硅 + R键合层），仍然有可能带来局部温度过高的挑战。
8. 我们认为， 寻找热阻R更低的tim、封装材料和主动散热依然必要。