【拓荆科技】股权激励落地，彰显公司成长信心！ 股权激励草案简要 【激励人数】不超过1200人，占公司0630总员工人数59.5%，含董事长等11位高管+不超过1
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【拓荆科技】股权激励落地，彰显公司成长信心！
股权激励草案简要 【激励人数】不超过1200人，占公司0630总员工人数59.5%，含董事长等11位高管+不超过1209位其他员工。 【激励数量】不超过650万股限制性股票，约占总股本2.2%，首次不超过555万股，约占总股本1.9% 【行权价格】不低于390元/股，最终以授予日收盘价为基准确定实际授予价格。 【业绩目标】以25年营收和扣非归母为基数，26/27/28/29年营收增长目标30%/59%/90%/125%，扣非归母增长目标35.4%/73%/90.6%/110%。 【摊销费用】26-30年分别预计2.4/8.6/4.8/2.6/1亿元。
本土薄膜沉积平台龙头、先进制程机台验证顺利。 ①PECVD设备应用于先进存储/先进逻辑的产品，如PECVD Stack（ONO 叠层）等产品批量通过客户验证，转入规模量产。26H1已出货不同工艺机台至海外客户端。 ②ALD设备的PE-ALD SiO2、SiN、SiCO 等多款设备量产规模快速提升，Thermal-ALD首台TiN工艺产品通过客户验证。 ③收购无锡尚积，拓至PVD领域，打造薄膜沉积全品类布局。
国产W2W/C2W混合设备绝对龙头 公司W2W混合键合产品持续获得订单，并有多台通过客户验证，量产规模大幅提升，公司首台W2W熔融键合产品通过客户验证，实现收入转化。D2W混合键合设备正在客户端验证中。 混合键合设备已应用在3D NAND、CIS等领域，未来有望拓至AI芯片、HBM、3D DRAM等领域。
两存/先进制程扩产预期强化。 伴随长鑫IPO进程，长存上市预期，2026年两存扩产预期逐步强化，每万片NAND/DRAM扩产有望带动近百亿的开支增量；先进制程端，随着国产AI、相关消费电子应用需求旺盛，供不应求，有望积极扩产带动上游先进设备需求。
风险提示：下游大型晶圆厂扩产不及预期；行业竞争加剧。
总体总结
主题正文
- 【激励人数】不超过1200人，占公司0630总员工人数59.5%，含董事长等11位高管+不超过1209位其他员工。
- 【行权价格】不低于390元/股，最终以授予日收盘价为基准确定实际授予价格。
- 【业绩目标】以25年营收和扣非归母为基数，26/27/28/29年营收增长目标30%/59%/90%/125%，扣非归母增长目标35.4%/73%/90.6%/110%。
- 【摊销费用】26-30年分别预计2.4/8.6/4.8/2.6/1亿元。
- ②ALD设备的PE-ALD SiO2、SiN、SiCO 等多款设备量产规模快速提升，Thermal-ALD首台TiN工艺产品通过客户验证。
- 公司W2W混合键合产品持续获得订单，并有多台通过客户验证，量产规模大幅提升，公司首台W2W熔融键合产品通过客户验证，实现收入转化。
- 混合键合设备已应用在3D NAND、CIS等领域，未来有望拓至AI芯片、HBM、3D DRAM等领域。
- 伴随长鑫IPO进程，长存上市预期，2026年两存扩产预期逐步强化，每万片NAND/DRAM扩产有望带动近百亿的开支增量；