Hana Securities 指出：长鑫科技在 2026 年第二季度于北京第一工厂完成了向第四代工艺的过渡。该工艺的制程水平相当于 16 纳米节点。预计其 D

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Hana Securities 指出：长鑫科技在 2026 年第二季度于北京第一工厂完成了向第四代工艺的过渡。该工艺的制程水平相当于 16 纳米节点。预计其 DRAM 产品的产能利用率将超过 90%。目前，其 DDR5 产品支持高达 5600MHz 的时钟频率，未来计划进一步提升至 6400MHz。

然而，由于长鑫科技依赖于多种 patterning 技术，因此其工艺步骤更为复杂，因此在每片晶圆的输出位数和制造成本等方面仍然落后于主要的存储器制造商。

对于 HBM 公司来说，长鑫科技计划在 2027 年实现 12 高密度的 HBM3E 产品的批量生产。如果该公司能够在 2027 年生产出约 3 到 4 百万个 HBM3E 芯片，那么这无疑将有助于缓解中国人工智能 GPU 领域的一个关键瓶颈问题。

总体总结

主题正文

1. Hana Securities 指出：长鑫科技在 2026 年第二季度于北京第一工厂完成了向第四代工艺的过渡。
2. 该工艺的制程水平相当于 16 纳米节点。
3. 预计其 DRAM 产品的产能利用率将超过 90%。
4. 目前，其 DDR5 产品支持高达 5600MHz 的时钟频率，未来计划进一步提升至 6400MHz。
5. 然而，由于长鑫科技依赖于多种 patterning 技术，因此其工艺步骤更为复杂，因此在每片晶圆的输出位数和制造成本等方面仍然落后于主要的存储器制造商。
6. 对于 HBM 公司来说，长鑫科技计划在 2027 年实现 12 高密度的 HBM3E 产品的批量生产。
7. 如果该公司能够在 2027 年生产出约 3 到 4 百万个 HBM3E 芯片，那么这无疑将有助于缓解中国人工智能 GPU 领域的一个关键瓶颈问题。