📰 💡SK 海力士的 NAND 闪存业务在旧产线代际转换速度上落后于三星电子等竞争对手，导致生产效率差距难以缩小。截至今年第二季度，SK 海力士的 176 层
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💡SK 海力士的 NAND 闪存业务在旧产线代际转换速度上落后于三星电子等竞争对手，导致生产效率差距难以缩小。截至今年第二季度，SK 海力士的 176 层 NAND 等旧制程产能占比仍超过一半，而三星电子已完成向 236 层主力代际的转换。 💡据业界 28 日消息，SK 海力士今年第二季度的 NAND 闪存产量中，176 层产品占比约为 50%。一位熟悉 SK 海力士内部情况的相关人士表示：“过去一年间，竞争对手已将 200 多层 NAND 产品确立为主力，而纵观 SK 海力士国内外整体产能，其对 176 层产品的依赖度仍然较高。” 业界普遍认为，176 层产品占比较高的结构会导致单片晶圆产出的比特量相对较少，从而在成本竞争力方面处于劣势。 💡似乎意识到这一点，SK 海力士在上月的业绩发布会电话会议中表示，321 层产品在第一季度 NAND 闪存产量中占比最高，但这一数据是基于产能（CAPA）的统计，与 Omdia 等市场调研机构汇总的实际市场产量统计数据存在显著差异。部分分析指出，尽管 SK 海力士强调其在技术路线图上取得了进展，例如扩大 300 层级产品的比重，但这些进展尚未明显反映在实际营收表现中。 📌 💡NAND 闪存通过垂直堆叠存储数据的单元（即 “堆叠”）方式，同时提升容量和成本效率。即使在相同面积的晶圆上，堆叠层数越高，能够存储的数据量就越大，从而使得单片晶圆的产量和成本竞争力同步提升。因此，未能过渡到下一代工艺的厂商，即便生产相同数量的产品，也需要投入更多的晶圆和产线运行时间，在盈利能力上处于不利地位。 💡截至今年第二季度末，三星电子的 236 层产品占比已超过 60%，已确立为主力代际。虽然 SK 海力士和三星电子都拥有 200 层初至中期的产品代际，但在实际量产转化速度上却显示出明显差距。业界相关人士解释说：“三星电子采取将特定代际的生产量集中化，以同时提升良率和控制成本的策略；而 SK 海力士由于多代产品并存，导致产线运营效率相对较低。” 💡不仅与三星电子相比处于劣势，与美光科技和中国 YMTC 相比也落于下风。据市场调研机构 Omdia 数据显示，截至今年第二季度末，美光科技的 232 层产品占比为 53%，下一代 276 层产品已扩大至 33%。YMTC 的 232 层产品占比高达 68%，表明其已建立起以先进工艺为核心的生产体系。 💡就铠侠和闪迪而言，截至今年第二季度，162 层（BiCS6）占比 37%、112 层（BiCS5）占比 34%，旧世代工艺仍占整体约 70%。从世代结构来看，其与 SK 海力士看似相近，但最新世代 BiCS8（218 层）的占比从去年第四季度的 9% 跃升至今年第二季度的 24%，仅用两个季度便增长近两倍，因此评估认为其转型速度相当快。 📌 🖼️配图说明：位于中国湖北省武汉市的 YMTC 闪存工厂全景 💡这一趋势在销售市场份额中也得以体现。据业界消息，SK 海力士（含 Solidigm）的 NAND 闪存销售额市场份额去年第四季度曾升至 21.4%，但今年第二季度骤降至 16.4%，下跌近 5 个百分点。同期，中国 YMTC 的市场份额从 11.5% 跃升至 16.2%，已逼近 SK 海力士的水平。有分析认为，在 NAND 价格上涨阶段，SK 海力士的供货能力相对不足。 💡业界人士表示：“在价格上涨时期，新一代产品占比越高，售价上涨部分与成本改善相结合，对利润率的提升作用就越显著。” 他还指出：“SK 海力士市场份额的下滑，不能仅视为销量问题，更应看作是世代转换延迟的结果。” 不过，他也补充道：“鉴于近期 NAND 闪存价格持续上涨，这对公司整体业绩的影响相对有限。” 💡也有分析指出，SK 海力士在设备投资方面优先侧重 DRAM 和高带宽内存（HBM），导致其 NAND 工艺转型速度难以提升。据悉，SK 海力士在 NAND 部门的设备投资已连续三年下降，从 2023 年的 35 亿美元降至 2024 年的 30 亿美元，并进一步减少至 2025 年的 29 亿美元。
总体总结
主题正文
- 一位熟悉 SK 海力士内部情况的相关人士表示：“过去一年间，竞争对手已将 200 多层 NAND 产品确立为主力，而纵观 SK 海力士国内外整体产能，其对 176 层产品的依赖度仍然较高。
- 💡似乎意识到这一点，SK 海力士在上月的业绩发布会电话会议中表示，321 层产品在第一季度 NAND 闪存产量中占比最高，但这一数据是基于产能（CAPA）的统计，与 Omdia 等市场调研机构汇总的实际市场产量统计数据存在显著差异。
- 从世代结构来看，其与 SK 海力士看似相近，但最新世代 BiCS8（218 层）的占比从去年第四季度的 9% 跃升至今年第二季度的 24%，仅用两个季度便增长近两倍，因此评估认为其转型速度相当快。
- 据业界消息，SK 海力士（含 Solidigm）的 NAND 闪存销售额市场份额去年第四季度曾升至 21.4%，但今年第二季度骤降至 16.4%，下跌近 5 个百分点。
- 💡业界人士表示：“在价格上涨时期，新一代产品占比越高，售价上涨部分与成本改善相结合，对利润率的提升作用就越显著。
- ” 不过，他也补充道：“鉴于近期 NAND 闪存价格持续上涨，这对公司整体业绩的影响相对有限。
- 💡也有分析指出，SK 海力士在设备投资方面优先侧重 DRAM 和高带宽内存（HBM），导致其 NAND 工艺转型速度难以提升。
- 据悉，SK 海力士在 NAND 部门的设备投资已连续三年下降，从 2023 年的 35 亿美元降至 2024 年的 30 亿美元，并进一步减少至 2025 年的 29 亿美元。