📢 🔧NAND 制造正从钨转向钼（Mo）：3D NAND 在十年前就停止了侧向缩小，它通过堆叠层来扩展。 ⚠️但是当层数超过～300 层时，连接每个存储单元的钨
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🔧NAND 制造正从钨转向钼（Mo）：3D NAND 在十年前就停止了侧向缩小，它通过堆叠层来扩展。 ⚠️但是当层数超过～300 层时，连接每个存储单元的钨字线遇到了瓶颈：电阻太高，基于氟的化学反应导致泄漏，而且在超深孔中填充失败。 ✅解决方案是钼。更低的电阻（更快的读 / 写速度），无需氟化物，而且它能更好地填充高深宽比特征。 💡钼不是一种优化，它对于。（1/4） 📊【为何 3D NAND 存储在 300 层节点发生技术转向】 📌小于 300 层：采用钨（W），技术已达极限 🔻1. 性能受损，信号传输缓慢 🔻2. 存在漏电风险，制程构建不稳定 🔻3. 制程构建失败，孔洞深度过大 📌大于 300 层：采用钼（Mo），代表未来技术方向 🔹1. 性能优异，信号清晰快速 🔹2. 制程构建稳定，存储层安全可靠 🔹3. 制程构建无缺陷，孔洞填充效果完美 💎钼（Mo）技术，让。 🏭行业当前的状况：量产仍处于 2xx 层级。 📑铠侠 / 闪迪达到 218L，美光 276L，三星 286L，而 SK 海力士的 321L 处于领先地位。 🚀向 3xx‑4xx 层级的转变现在开始。 📈我们预计，。（2/4） 📋每家主要的 NAND 制造公司都已承诺布局钼字线技术。 🟠三星：先行者，自 2024 年起大规模生产钼字线 🟠美光：2025 年在泛林的 ALTUS Halo 设备上实现量产 🟠SK 海力士：到 2026 年底采用钼的 375 层 NAND（3/4） 🛠️每一次钨→钼转换都意味着需要全新的沉积工具。 💰我们估计，仅在 2027 年，NAND 钼沉积工具的销售额将超过 10 亿美元，到 2030 年，随着 DRAM 和逻辑芯片的跟进，增长至约 20 亿美元 / 年。 🏷️泛林将首先受益，东京电子也将从中获益。 📌应用材料、阿斯麦和北方华创则将受益于 DRAM / 逻辑芯片的技术浪潮。
总体总结
主题正文
- 🔧NAND 制造正从钨转向钼（Mo）：3D NAND 在十年前就停止了侧向缩小，它通过堆叠层来扩展。
- ⚠️但是当层数超过～300 层时，连接每个存储单元的钨字线遇到了瓶颈：电阻太高，基于氟的化学反应导致泄漏，而且在超深孔中填充失败。
- 📊【为何 3D NAND 存储在 300 层节点发生技术转向】
- 🔻2. 存在漏电风险，制程构建不稳定
- 📑铠侠 / 闪迪达到 218L，美光 276L，三星 286L，而 SK 海力士的 321L 处于领先地位。
- 🟠美光：2025 年在泛林的 ALTUS Halo 设备上实现量产
- 🟠SK 海力士：到 2026 年底采用钼的 375 层 NAND（3/4）
- 💰我们估计，仅在 2027 年，NAND 钼沉积工具的销售额将超过 10 亿美元，到 2030 年，随着 DRAM 和逻辑芯片的跟进，增长至约 20 亿美元 / 年。