📑 📊整体 HBM 出口表现稳健，虽受季节性因素影响环比降 32%，但较 4 月仍环比增 13%，同比大增 64%。 🚀三星 HBM4 上量超预期，份额有望反超
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📊整体 HBM 出口表现稳健，虽受季节性因素影响环比降 32%，但较 4 月仍环比增 13%，同比大增 64%。 🚀三星 HBM4 上量超预期，份额有望反超 📈三星 HBM 出口强势，其 HBM 封装所在地忠清南道的 7 月出口较 4 月环比暴增 122%。 🔮回归模型预测三星 2026 年三季度 HBM 收入将环比增长 80% 至 120 亿美元，较伯恩斯坦此前预期高出 30%。 🔍支撑信号来自 “单位重量出口价值”：三星该指标 7 月环比再涨 21%，较 4 月已翻倍，是 SK 海力士同期的近 4 倍，印证其 HBM4 出货更早、定价显著高于 HBM3/3E。 🌤️叠加出口季节性特征（季度内后两个月出口占比更高），8‑9 月三星 HBM 出口有望继续冲高，三季度大概率夺回 HBM 市场份额第一。 ⚠️SK 海力士受 Rubin 延期拖累，后续或迎修复 📉SK 海力士表现弱于预期：其 HBM 主要产地忠清北道和利川市的 7 月出口环比、较 4 月均下滑 27%。 📉回归模型预测其三季度 HBM 收入将环比降 20% 至 56 亿美元，较预期低 55%，规模将落后于三星。 🔎下滑主要源于英伟达 Rubin 芯片延期导致 HBM4 出货节奏后移，SK 海力士虽已在二季度开始 HBM4 量产，但 7 月单位重量出口价值仅微升，暂未体现大规模 HBM4 出货。 ✅不过伯恩斯坦认为其 HBM4 上量将在年内逐步兑现，后续有望收复部分份额。 🔎其他关键观察 💡HBM 价格独立于传统存储：传统存储价格自 2025 年三季度以来涨约 5 倍，但 HBM 价格整体保持平稳，当前溢价主要来自产品结构升级（HBM4 占比提升）而非同规格涨价，2027 年 HBM 合约价谈判已启动，有望成为明年盈利上修的催化剂。 📈马来西亚出口持续高增：7 月韩国对马来西亚多芯片存储出口环比再增 20% 至 13 亿美元，创高位，主要受益英特尔 EMIB 先进封装需求，三星是主要贡献方，也反映其 HBM 客户认可度持续拓宽。 📋投资评级与风险提示：伯恩斯坦维持三星电子、SK 海力士、美光 “跑赢大盘” 评级，目标价分别为 44 万韩元、330 万韩元、1300 美元；因 NAND 领域中国公司竞争压力，维持铠侠 “跑输大盘” 评级，目标价 4000 日元，认为其当前估值仍偏高。 📌短期存储价格上行与 HBM 盈利上修将支撑板块情绪，长期需跟踪长鑫存储、长江存储的技术与产能进展。
总体总结
主题正文
- 📊整体 HBM 出口表现稳健，虽受季节性因素影响环比降 32%，但较 4 月仍环比增 13%，同比大增 64%。
- 🔮回归模型预测三星 2026 年三季度 HBM 收入将环比增长 80% 至 120 亿美元，较伯恩斯坦此前预期高出 30%。
- 🔍支撑信号来自 “单位重量出口价值”：三星该指标 7 月环比再涨 21%，较 4 月已翻倍，是 SK 海力士同期的近 4 倍，印证其 HBM4 出货更早、定价显著高于 HBM3/3E。
- 🌤️叠加出口季节性特征（季度内后两个月出口占比更高），8‑9 月三星 HBM 出口有望继续冲高，三季度大概率夺回 HBM 市场份额第一。
- 🔎下滑主要源于英伟达 Rubin 芯片延期导致 HBM4 出货节奏后移，SK 海力士虽已在二季度开始 HBM4 量产，但 7 月单位重量出口价值仅微升，暂未体现大规模 HBM4 出货。
- 💡HBM 价格独立于传统存储：传统存储价格自 2025 年三季度以来涨约 5 倍，但 HBM 价格整体保持平稳，当前溢价主要来自产品结构升级（HBM4 占比提升）而非同规格涨价，2027 年 HBM 合约价谈判已启动，有望成为明年盈利上修的催化剂。
- 📈马来西亚出口持续高增：7 月韩国对马来西亚多芯片存储出口环比再增 20% 至 13 亿美元，创高位，主要受益英特尔 EMIB 先进封装需求，三星是主要贡献方，也反映其 HBM 客户认可度持续拓宽。
- 📋投资评级与风险提示：伯恩斯坦维持三星电子、SK 海力士、美光 “跑赢大盘” 评级，目标价分别为 44 万韩元、330 万韩元、1300 美元；