【摩根士丹利】大中华区半导体行业——利基存储：无长期协议并非坏事 核心观点：无长期协议反成优势，利基存储景气周期拉长 市场此前担忧利基存储缺乏长期定价协议（LT
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【摩根士丹利】大中华区半导体行业——利基存储：无长期协议并非坏事
核心观点：无长期协议反成优势，利基存储景气周期拉长
市场此前担忧利基存储缺乏长期定价协议（LTA）会导致周期不可持续，但摩根士丹利认为，当前利基存储基本面仍在持续向好：DDR4需求已从服务器向消费电子扩散，SLC NAND、NOR Flash持续供不应求，定价权至少可延续至2026年四季度，甚至2027年一季度。全球主流厂商持续退出DDR4产能，供应持续收紧，无LTA意味着厂商可灵活跟随现货市场涨价，反而能最大化收益。
- 价格展望：全线超预期，SLC NAND弹性最强 首发公众号：思维纪要社 ◦ DDR4：2026年三季度预计涨价50%，四季度再涨双位数，下半年表现将持续强于主流存储；需求端除服务器外，消费类应用贡献显著提升。
◦ SLC NAND：是本轮确定性最高的涨价品种，受产能限制及厂商扩产意愿低迷驱动，2026年三、四季度价格均有望涨超50%，供应紧张或延续至2027年，叠加MLC需求向SLC迁移，2027年上半年仍有上行空间。
◦ NOR Flash：近期涨价后，2026年四季度有望再迎提价，动力可延续至2027年上半年；需求端受工业、汽车、网络通信及边缘AI拉动，AI服务器需求亦保持强劲，供应端增长受限，供需格局持续优化。
- 盈利预测：全面上调核心标的EPS
◦ 华邦电：2026-2028年EPS分别上调17%、30%、34%，主要受DDR4/SLC NAND/NOR Flash涨价带动，毛利率将持续提升。
◦ 旺宏：2026-2028年EPS分别上调139%、144%、147%，受益于SLC NAND/MLC NAND/NOR Flash价格上行。
◦ 兆易创新：2026-2028年EPS分别上调108%、49%、48%，DDR4、SLC NAND及NOR Flash涨价贡献显著。
◦ 力积电：2026-2028年EPS分别上调18%、17%、13%，受益于存储及逻辑代工价格上涨。
注：因板块波动率上升，股权风险溢价上调，兆易创新目标价从888元下调至750元，其余标的目标价维持不变。
- 选股偏好：首选AP Memory，全线覆盖标的均予“增持”评级
摩根士丹利对覆盖的6家大中华区存储企业均给予“增持”评级，按上行空间排序：兆易创新（80%）> AP Memory（79%）> 旺宏（61%）> 华邦电（57%）> 力积电（42%）> 南亚科（13%）。其中AP Memory因SiCap（硅电容）业务增长潜力被列为首选标的。
- 投资启示与风险
◦ 上行催化：NOR/SLC NAND涨价超预期、DDR4供应短缺持续、3D AI代工业务放量、华邦电CUBE（定制化高带宽存储）技术落地。
◦ 下行风险：消费电子需求疲软、存储产能去化慢于预期、价格提前回落、新技术迭代不及预期。
◦ 当前利基存储板块估值虽较历史中枢有折价，但已反映周期波动风险，涨价带来的盈利弹性仍具吸引力。
总体总结
主题正文
- 市场此前担忧利基存储缺乏长期定价协议（LTA）会导致周期不可持续，但摩根士丹利认为，当前利基存储基本面仍在持续向好：DDR4需求已从服务器向消费电子扩散，SLC NAND、NOR Flash持续供不应求，定价权至少可延续至2026年四季度，甚至2027年一季度。
- ◦ DDR4：2026年三季度预计涨价50%，四季度再涨双位数，下半年表现将持续强于主流存储；
- ◦ SLC NAND：是本轮确定性最高的涨价品种，受产能限制及厂商扩产意愿低迷驱动，2026年三、四季度价格均有望涨超50%，供应紧张或延续至2027年，叠加MLC需求向SLC迁移，2027年上半年仍有上行空间。
- ◦ 旺宏：2026-2028年EPS分别上调139%、144%、147%，受益于SLC NAND/MLC NAND/NOR Flash价格上行。
- ◦ 力积电：2026-2028年EPS分别上调18%、17%、13%，受益于存储及逻辑代工价格上涨。
- 注：因板块波动率上升，股权风险溢价上调，兆易创新目标价从888元下调至750元，其余标的目标价维持不变。
- 摩根士丹利对覆盖的6家大中华区存储企业均给予“增持”评级，按上行空间排序：兆易创新（80%）> AP Memory（79%）> 旺宏（61%）> 华邦电（57%）> 力积电（42%）> 南亚科（13%）。
- ◦ 下行风险：消费电子需求疲软、存储产能去化慢于预期、价格提前回落、新技术迭代不及预期。