（以下为专家访谈 不作为投资建议） 2027年与2028年DRAM位增长展望如何？ 位增长主要受技术迁移与新晶圆厂产能驱动。到2028年，显著的位增长并非来自新
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（以下为专家访谈 不作为投资建议） 2027年与2028年DRAM位增长展望如何？ 位增长主要受技术迁移与新晶圆厂产能驱动。到2028年，显著的位增长并非来自新建晶圆厂，而是现有厂房内部的技术迁移，尤其是从1B节点向1C节点转移。1B到1C的代际更替理论上可带来30%的位增长。例如，SK海力士计划今年（2026年）将其国内DRAM产能的50%转换为1C节点。但考虑到新工艺前6至9个月的初期良率较低，实际位增长会低于理论值。2028年情况将发生变化，新厂房开始贡献产能。SK海力士的龙仁厂将逐步投产。三星将扩建P4厂，总潜在产能为每月24万片晶圆，分四期建设，目前已完成两期，后两期将在2027年底至2028年开始贡献产能。 2029年及以后三星与SK海力士产能扩张展望如何？ 2029年产能将持续增加。三星正在建设P5厂，这是一个超大型厂房，整合原计划的P5与P6，总潜在产能为每月60万片。厂房外壳预计2028年底完工，2029年逐步投产。P5首期产能为30万片，预计2029年完成，之后分阶段扩建，每半年可能新增6万片。粗略估算，三星2028年与2029年每年最多可新增10万片/月产能，并延续至2030年。SK海力士新龙仁基地将包括四座厂房，每座产能为每月36万片，整个园区计划2033年完成。1号厂将于2028年第二季度开始逐步投产。继2028年新增5万至6万片后，2029年预计再增约10万片，总产能将从当前约60万片提升至2028年的66万片，再至2029年的76万片。需注意，这些为粗略数据，产能会在数年内逐步提升，初期每月增量如1万片。 此前提及的位增长预测是否包含1B到1C迁移及HBM产能？ 是的，DRAM位增长与产能扩张数据已涵盖1B到1C节点迁移及HBM产能。HBM由1B或1C DRAM晶圆制造。例如，SK海力士计划将国内DRAM产能的50%转换为1C节点，其中包括用于HBM的晶圆。目前，SK海力士主要用1B DRAM生产HBM3与HBM3E，计划用1C DRAM生产HBM4E，样品预计2027年下半年，2028年实现商业化。目前1C DRAM主要用于LPDDR5X等产品，服务于AI服务器CXL模块。相比之下，三星已用1C DRAM生产HBM4，同时LPDDR也用于AI服务器需求。 2026年与2027年SK海力士与三星HBM在DRAM晶圆总产能中的占比是多少？ 按晶圆分配，HBM产量占比显著。HBM因更大芯片面积（需容纳数千个TSV），每片晶圆消耗面积约为传统DRAM的三倍。即12英寸晶圆可产出1500至1800颗传统DRAM芯片，但仅能产出500至600颗HBM芯片。因此，即使公司将40%产能分配给HBM，实际位输出仅约总量的15%。到今年（2026年）年底，三星与SK海力士均计划HBM晶圆投入产能约为每月20万片。明年（2027年）产能将提升。SK海力士M15X厂专用于HBM4，总产能8万片/月，今年开始投产，年底预计达4万片，2027年中期提升至8万片。届时SK海力士HBM总产能约为每月25万片。三星HBM产能预计也在25万至26万片/月。 HBM4与HBM4E的晶圆消耗比是否会高于当前的三倍传统DRAM？ HBM4的晶圆消耗比预计仍为传统DRAM的三倍，但HBM4E会进一步提升。HBM4E需更多I/O，芯片需钻更多孔，面积更大，导致每片晶圆净芯片数减少，单位位输出消耗更多晶圆。此外，HBM制造周期也在延长。HBM3E从晶圆投入到成品需5至6个月，HBM4及HBM4E因工艺复杂，周期或延至6至7个月。更高的晶圆消耗与更长周期意味着即使新厂房投产，实际位输出不会与晶圆投入成正比。结合需求强劲增长，2028-2029年并无明显过剩担忧。 1B到1C等技术迁移对2028与2029年位增长贡献有多大？ 量化技术迁移对2028与2029年位增长的具体贡献较难，机构分析多关注晶圆投入产能，便于跟踪。SK海力士今年（2026年）将国内产能50%转换为1C，明年（2027年）或提升至70%-80%，但直接换算为位增长数字较复杂。市场普遍认为，需求增长约30%，供应仅增长一半，即15%。参考晶圆投入产能增长更为便捷，技术迁移带来的位增长难以精确量化。 1C DRAM当前良率如何，爬坡模式怎样？ 1C节点已较为稳定成熟，开发约两年。SK海力士成熟良率目标为80%。新厂或转换产线启动1C生产后，爬坡较快，得益于积累的经验。例如M14产线从1B迁移至1C，较快可达80%-85%良率。三星在提升1C良率方面遇到更多挑战，今年（2026年）初良率约为60%，年底目标85%，但实现难度较大。困难主要源于其独特封装原则及EUV优化难题，导致良率低于SK海力士。 未来三至四年HBM与传统DRAM价格展望，考虑供需与产品结构升级？ HBM与传统DRAM定价机制不同。HBM价格通常按年度制定，变动频率低；传统DRAM则随市场变化频繁调整。HBM4参考价为$2.00/Gb，即$16.00/GB，标准12层36GB HBM4模块约$540。HBM3E参考价为$1.50/Gb，即$12.00/GB，36GB模块约$400。明年（2027年）市场有报告称价格或翻倍，但更现实的预期为最多上涨20-30%，HBM4模块约$700，预计每年持续此幅度上涨。传统DRAM今年（2026年）涨幅异常剧烈，Q1环比上涨70%，Q2涨54%，Q3预计再涨13-18%，Q4或涨10%。今年大幅上涨后，明年（2027年）涨幅将趋于温和，全年同比最多约10%。 2027年HBM价格涨幅预测及产品结构从HBM3E向HBM4转移对混合ASP影响？ 每代HBM价格预计上涨30%，但2027年HBM整体混合ASP涨幅更高，预计45%-50%，因新一代更贵的HBM4占比提升。70%涨幅并不现实。2026年HBM3E为主，HBM4最多占30%；2027年HBM4占比预计超50%，或达55%-60%。HBM4成为主力产品，其30%溢价将显著推高混合ASP。英伟达作为主要HBM采购方，不会接受70%涨幅，否则其GPU系统利润受损，难以维持70-75%的高毛利。市场对更高涨幅的预期受2026年传统DRAM价格大涨影响，常参考TrendForce等现货市场数据。但主要存储厂商与大客户如英伟达签订长期协议，实际合同涨幅受控。 2026年剩余时间与2027年传统DRAM价格预测，影响价格拐点的因素有哪些？ 2026年Q3，三星预计传统DRAM价格上涨最多20%，低于部分市场预期的30%，因三星约70-75%产能仍用于传统DRAM（消费市场如手机与PC），而SK海力士超40%产能用于HBM。2027年传统DRAM涨幅预计最多10%。原因包括：一是2026年价格已大幅上涨，全年同比涨幅或达150-160%（Q1涨70%，Q2涨55%，Q3约20%）；二是三星2027年提升HBM产能分配，因HBM4收入与利润更高，单价或达$700-$1,000，HBM3E仅$300-$400，传统DRAM供应收紧，价格有支撑。但三星P4厂等新产能将在2027年底投产，届时三星、迈克朗与SK海力士供应增加，市场紧张度缓解，价格拐点或在2027年底出现。 2028年产能提升后DRAM价格是否有下die风险，长期协议对展望有何影响？ 即使2028年新产能投放，DRAM价格预计不会下die，或保持平稳。关键变量是需求增长。若美国超大规模数据中心建设与企业AI服务持续强劲，可消化新增产能。结构性变化在于长期协议（LTA）比例提升。三星近期宣布60-70%产能已签订LTA，保障稳定，大部分产出预售。新LTA尤其针对定制产品如HBM4（客户如英伟达、AMD、谷歌），与过去协议不同，常为五年期，含预付款与违约罚款条款，减少库存积压与价格折扣风险。此结构表明市场难以出现严重过剩。 若出现过剩，客户违约长期协议概率如何，合同价格重谈可能性？ 客户违约新型LTA概率极低。协议设有强力约束，如30%预付款与法律罚款条款。30%预付款金额巨大，客户难以轻易放弃。五年期与罚款为本轮新增条款，过去未有。LTA采购量五年内固定不可协商，价格可重谈，通常半年调整一次，不像PC或手机OEM季度调整。合同设有底价，高于生产成本，确保厂商即使过剩也有最低利润。迈克朗提及设有顶价限制客户上行，但其他厂商未设，LTA价格可随市场上涨。此结构保障价格可调整，采购量稳定，利润有底线。 能否提供近期长期协议谈判细节，如价格水平与具体条款？ 公司不会披露LTA具体条款或价格区间，官方信息仅来自财报电话会。迈克朗6月率先宣布与16家签订LTA，SK海力士近期称与10家签约，三星确认已与5家签约，正与5家谈判，计划提升LTA覆盖率。HBM价格由英伟达主导，采购占比超60%，其定价成为AMD等客户参考标准，与前述价格一致。其他企业产品如服务器DRAM，花旗银行预测AI服务器分级内存用高性能DRAM模块参考价约$12/GB，2026年底或达$15/GB，LTA价格大致以此为基准。 主要存储厂商当前与未来长期协议覆盖收入比例是多少？ LTA业务占比显著且持续提升。三大厂商收入占比已超50%。三星称60-70%产能签订LTA，2026年底或超80%收入，尤其高价HBM4占比提升。SK海力士当前LTA收入约60%，2027年预计提升至70%。迈克朗公告DRAM约30%，NAND约24%，合计超50%。所有存储厂商均视LTA为利好，积极提升覆盖率。 针对英伟达Rubin Ultra平台可能减少HBM用量的报道，客户是否有长期趋势减少HBM以控制成本与供应压力？ 主流趋势恰恰相反，AI加速器厂商普遍寻求增加HBM用量以提升芯片性能。通过制造比英伟达GPU更便宜的AI ASIC，可预算更多HBM，提供更优AI服务。若英伟达在某产品减少HBM含量，更多是对当前HBM供应紧张的应对，而非战略性减少。类似情况今年6月SoIC-X-Cube2，因DRAM供应紧张，计划容量从128GB降至100GB以下。因此Rubin平台减配更多是供应约束，而非减少内存依赖。 谷歌Frozen V2等架构采用片上SRAM，是否会减少AI加速器对HBM需求？ 不会，片上SRAM不会减少HBM或其他DRAM需求。SRAM速度极高，适用于AI训练与推理中需快速数据检索的阶段，但其主要限制是容量极低。AI加速器无法仅用SRAM完成复杂训练或推理，因数据量巨大。SRAM需与HBM或其他DRAM配合使用，仅提升特定任务速度，无法替代HBM的大容量。SRAM用途有限，不会减少其他存储需求。 HBM主要厂商竞争格局如何，中国长鑫是否构成威胁？ HBM市场主要竞争者为SK海力士、三星与迈克朗。中国长鑫在先进存储领域并非竞争者。长鑫最大问题是无法获得ASML EUV光刻机，受美国出口管制限制。无EUV无法生产HBM3E或HBM4等先进产品。长鑫只能用旧DUV光刻，需多重图案化，先进节点良率低。技术在16nm（1x/1z级），而主流厂商10-11nm（1c级）。三大厂商中，三星预计HBM市场份额从2025年约20%提升至2026年30%，SK海力士份额从70%降至50%。SK海力士凭稳定高良率（约80%）及与英伟达、台积电紧密合作保持优势。台积电为英伟达GPU与SK海力士HBM基底逻辑芯片代工，形成强大生态。三星则在AMD等客户中获得更多份额，既供应HBM又提供逻辑芯片代工。 长鑫在传统DRAM领域大幅扩产是否会影响整体市场，抑制价格上涨？ 长鑫影响仅限于市场较小的低端领域。当前主要需求与收入驱动力是AI服务器用先进DRAM与HBM，价格高。长鑫主攻PC与手机用DDR4及入门级DDR5，16nm工艺，仅占行业收入约30%。长鑫可在低端消费市场获得份额，但不会影响高性能存储主导的整体市场格局。例如苹果尝试在中国销售iPhone采用长鑫DRAM，遭美国政府抵制。长鑫只有在能生产AI服务器用先进DRAM时才会成为威胁，受设备限制短期难以实现。
总体总结
主题正文
- 明年（2027年）市场有报告称价格或翻倍，但更现实的预期为最多上涨20-30%，HBM4模块约$700，预计每年持续此幅度上涨。
- 每代HBM价格预计上涨30%，但2027年HBM整体混合ASP涨幅更高，预计45%-50%，因新一代更贵的HBM4占比提升。
- 市场对更高涨幅的预期受2026年传统DRAM价格大涨影响，常参考TrendForce等现货市场数据。
- 2026年Q3，三星预计传统DRAM价格上涨最多20%，低于部分市场预期的30%，因三星约70-75%产能仍用于传统DRAM（消费市场如手机与PC），而SK海力士超40%产能用于HBM。
- 原因包括：一是2026年价格已大幅上涨，全年同比涨幅或达150-160%（Q1涨70%，Q2涨55%，Q3约20%）；
- 二是三星2027年提升HBM产能分配，因HBM4收入与利润更高，单价或达$700-$1,000，HBM3E仅$300-$400，传统DRAM供应收紧，价格有支撑。
- 2028年产能提升后DRAM价格是否有下die风险，长期协议对展望有何影响？
- 新LTA尤其针对定制产品如HBM4（客户如英伟达、AMD、谷歌），与过去协议不同，常为五年期，含预付款与违约罚款条款，减少库存积压与价格折扣风险。