- J.P.摩根维持对全球存储板块的看多观点。核心论点包括:1)受CoWoS及PC/服务器新假设驱动,将FY26E-28E存储TAM上调4-8%,供需短缺将持续
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- J.P.摩根维持对全球存储板块的看多观点。核心论点包括:1)受CoWoS及PC/服务器新假设驱动,将FY26E-28E存储TAM上调4-8%,供需短缺将持续两年(27E加剧、28E略缓);2)SOCAMM和HBM规格下调(如SOCAMM从1.5TB降至768GB、Rubin Ultra HBM4E从16-Hi降至8-Hi/12-Hi)属于客户应对供应短缺的策略而非需求转弱,AI CPU单元TAM仍预计以155% CAGR增长;3)存储在CSP capex中的价值占比将从AI前 SKH)、美光、铠侠、台湾的南亚科/华邦。
J.P.摩根于2026年8月9日发布全球存储市场更新报告,核心结论是:。报告将FY26E-28E存储TAM上调4-8%,预计供需短缺格局将贯穿2026-2028年(27E加剧、28E略缓)。尽管市场近期因EPS预期未达、CSP capex增速放缓及存储内容优化而出现回调,但J.P.摩根认为这些因素更多是"预期重置"而非周期反转信号。报告维持对全球存储板块的OW(超配)评级,看好三星电子(短期优于SK海力士)、美光、铠侠、南亚科及华邦。
一、供需格局:短缺持续,多重供给增长仍不足
反映CoWoS及PC/服务器新假设后,FY26E-28E存储TAM较5月模型上调4-8% 存储竞价比(bid-to-supply ratio)明年仍维持70-80%(疫情峰值期为90%) 供需短缺将从2026E持续到2028E,27E短缺程度加剧,28E略有缓解
重大存储厂商正在加速产能上线,但2-2.5年的建设周期导致供给响应滞后 SK海力士:M15X(1bnm为主,专注HBM)和龙仁集群1号(首阶段2027年3月爬坡) 三星:P4(最大21万片/月)及新建PT5工厂(4Q27E首批晶圆出货) 美光:相对产能增量有限,1H27E新增供给不多 预计2028E DRAM WSPM达285万片(25A末为190万片),仍不足以匹配需求
要实现2028E供应增长30%(vs当前假设25%)需:1)HBM向DRAM大规模产能轮转;2)每年额外7-8万片晶圆上线;3)技术加速至1dnm节点 物理上极难实现新建绿色工厂大规模扩张 HBM晶圆分配占比从2025年的 内存需求从GPU扩展到CPU(Vera/Rosa)被投资者低估 AI CPU单元TAM预计实现155% CAGR增长 更大的AI硅片产量(GPU+Vera/Rosa CPU)将抵消内容优化的负面影响
NVIDIA Vera CPU的SOCAMM内容从1.5TB减半至768GB/CPU Rubin Ultra从16-Hi HBM4E降至8-Hi/12-Hi HBM4E Rubin GPU采用两个SKU(288GB或192GB HBM4) J.P.摩根认为这是客户应对供应短缺的"应对机制",是AI从scale-up转向scale-out的过程,并非周期下行信号
2Q26 AWS/MSFT/GCP云收入达1060亿美元(+43% y-y),增速持续加速 三大CSP及Meta的26/27E capex共识在财报后分别上调6%/17% 存储在CSP capex中的价值占比从AI前 预付款占LTA总值的20-25%(显示议价能力) 量大贡献50-70% 大部分LTA围绕AI/服务器计算内存,价格较消费电子应用溢价30-40% 70%+的总bit需求及85%+的总收入来自CSP及AI相关应用 灵活的定价结构允许存储厂商在短缺市场中获益,DRAM ASP在26E大幅上涨235%后,27/28E分别上涨29%/7% 四、HBM:短缺软化但仍是短缺
Rubin Ultra:4个计算芯片减至2个,lite版本采用8-Hi HBM4E(非16-Hi/12-Hi) Rubin GPU:两个SKU,最低为192GB 12-Hi HBM4 J.P.摩根将HBM bit需求下调4-19%(2026-28E)
维持保守的2027E HBM ASP上涨42% y-y的预期(远低于市场看多的2倍涨幅) 同代HBM ASP涨幅30-40% HBM4E较HBM4溢价约20% 2028E同代涨幅 三星HBM市场份额将在27/28E达到37-38%(接近其DRAM市占率) 三星与博通签订>2000亿美元LTA合同,其中90-95%预计分配给ASIC用HBM(TPU及其他ASIC项目包括OpenAI/Anthropic等) 三星将在NVDA和ASIC两个细分市场均获得市占率提升 五、Flash Memory Summit 2026:AI"存储墙"仍是主要瓶颈
更长上下文长度、KV缓存、代理工作负载以及内存成本负担(DRAM/HBM)推动了对更低成本内存/存储层级的需求 :堆叠NAND(8-hi/16-hi)目标容量高达512GB,带宽约0.4-3TB/s HBF定位为HBM和SSD之间的新层级 NVIDIA SCADA(GPU直连eSSD)和CMX(GPU→DPU→eSSD)架构旨在按工作负载优化延迟/带宽 推理内存限制应能提升对DRAM(通过CXL)和潜在更多NAND的需求 六、股东回报:估值重估的关键催化剂
过去二十年存储厂商股东回报率 三星2024-26E股东回报项目应推动特别股息及回购,2026-27E创造8%现金收益率(等效16%收益率) SK海力士股东回报项目于2027E结束,由于2026年迄今EBITDA强劲及铠侠股权出售现金流,提前股东回报正在认真审议 铠侠(800亿日元股票回购)已率先做出表率 预计SEC/SKH未来两年现金收益率达16-20%
维持对全球存储板块的OW(超配)评级 韩国存储:短期内(三星HBM进展更顺利,且获得博通LTA支持) 美国:**美光(MU)**OW 日本:**铠侠(Kioxia)**OW 台湾:**南亚科(NYT)/华邦(Winbond)**OW
:以2027E看仍有约50%上涨空间;以2028E(2.8x P/S倍数)看有约88%上涨空间 :以4x P/EBIT计算有约110%上涨空间 :高70%水平的运营利润率(OPM),远高于历史水平 :2028E预计TAM达5044亿美元,OPM维持77%
3Q26至今存储股经历25%回调,原因包括: 1)一系列短期EPS预期未达 2)CSP AI capex支出低于预期 3)主流存储内容优化 但LTA机制及更高股东回报将支撑估值重估
AI capex及需求更新(存储股与CSP capex趋势高度相关) 存储规格发展更新(根据供应情况进行升级或降级) 股东回报更新(特别是SEC 2024-26E项目和SKH至27E项目到期后的新计划)
:若AI capex增速大幅放缓或CSP支出低于预期,将直接影响存储需求增长基础。当前存储价值占CSP capex已升至49%,市场对>50%水平存在疑虑。 :尽管J.P.摩根认为新增30万片晶圆产能"概率极低",但若三星、SK海力士、美光等加速产能上线(特别是1dnm技术加速),可能导致供需平衡时点提前。 :HBM规格下调(从16-Hi降至8-Hi/12-Hi)若进一步蔓延至其他产品线,或SOCAMM内容继续缩减,将对bit需求形成显著拖累。 :尽管LTA机制提供定价保护,但若短缺缓解速度快于预期,或LTA定价结构"灵活性"被买方利用,可能导致ASP增速低于预测。 :定价影响难以量化(flexible pricing structure),LTA混合比例上升的时间表不确定,且在存储价格下行周期中客户继续承诺LTA的意愿存疑。 :SKH股东回报项目于2027E结束,若新项目条款不及预期,或公司选择将现金流用于产能扩张而非股东回报,将削弱估值重估逻辑。 :SK海力士在HBM3E时代领先,但三星HBM4进展顺利且HBM4E路线图清晰,美光也在加速追赶,竞争格局快速变化可能影响各厂商份额和定价权。 :中美科技摩擦持续可能影响中国存储厂商(长鑫存储等)的发展节奏,进而影响全球供应格局。 :高带宽闪存(HBF)作为HBM和SSD之间的新层级,若生态和软件支持加速发展,可能分流HBM需求。 :当前估值反映了较高利润率预期(OPM高70%水平),若市场认为这一水平不可持续,估值倍数可能压缩。
总体总结
主题正文
- 核心论点包括:1)受CoWoS及PC/服务器新假设驱动,将FY26E-28E存储TAM上调4-8%,供需短缺将持续两年(27E加剧、28E略缓);
- 2)SOCAMM和HBM规格下调(如SOCAMM从1.5TB降至768GB、Rubin Ultra HBM4E从16-Hi降至8-Hi/12-Hi)属于客户应对供应短缺的策略而非需求转弱,AI CPU单元TAM仍预计以155% CAGR增长;
- J.P.摩根于2026年8月9日发布全球存储市场更新报告,核心结论是:。
- 报告将FY26E-28E存储TAM上调4-8%,预计供需短缺格局将贯穿2026-2028年(27E加剧、28E略缓)。
- AI CPU单元TAM预计实现155% CAGR增长
- 三星与博通签订>2000亿美元LTA合同,其中90-95%预计分配给ASIC用HBM(TPU及其他ASIC项目包括OpenAI/Anthropic等)
- :定价影响难以量化(flexible pricing structure),LTA混合比例上升的时间表不确定,且在存储价格下行周期中客户继续承诺LTA的意愿存疑。
- :SK海力士在HBM3E时代领先,但三星HBM4进展顺利且HBM4E路线图清晰,美光也在加速追赶,竞争格局快速变化可能影响各厂商份额和定价权。