📌 会议时间：2026 年 7 月 15 日 参会管理层： Christophe Fouquet（首席执行官） Roger Dassen（首席财务官） Jim

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📌 会议时间：2026 年 7 月 15 日 参会管理层： Christophe Fouquet（首席执行官） Roger Dassen（首席财务官） Jim Kavanagh（投资者关系负责人）

📊 💰1. Q2 财务核心数据 🧾总净销售额：93 亿欧元（）。 🖥️净系统销售额：66 亿欧元（）。逻辑与存储业务占比分别为 51% 和 49%。 🔧安装基数管理销售额：28 亿欧元（）。 📈毛利率：54%（）。 💸运营费用：高于指引，因确认了技术和 IT 转型预估成本。研发费用 13 亿欧元，销售及管理费用 3 亿欧元。 💰净利润：29 亿欧元（），每股收益 7.59 欧元。有效税率 17.5%。 💵现金流与股东回报：季末现金及短期投资 76 亿欧元；自由现金流 13 亿欧元。Q2 支付 2025 年最终股息每股 2.70 欧元（）。Q2 回购股份约 11 亿欧元。。 📅2. Q3 及全年业绩指引 📆2026 年 Q3 指引：总净销售额 110 亿至 120 亿欧元；安装基数管理销售额约 29 亿欧元；毛利率 55%-57%；研发费用约 12 亿欧元，销售及管理费用约 4 亿欧元。 📅2026 年全年指引（）：总净销售额 430 亿至 450 亿欧元；毛利率 54%-56%；年化有效税率约 17%。 📈 📈1. 全年指引上调原因 📋客户需求强劲，ASML 产能提升能力（供应链、制造及现场安装）满足客户扩充先进制程节点产能的需求。多家客户上调年度资本支出。 🧠2. 逻辑芯片领域 ⚙️支持 AI 加速器的 3 纳米、5 纳米、4 纳米节点持续投入；。 📊预计今年先进逻辑晶圆代工相关的系统净销售额增长超 25%。 💾3. DRAM / 存储领域 📈供应紧张推高 DDR 和 HBM 价格，客户大幅投资晶圆厂扩建，DRAM 光刻强度持续提升（）。 📊预计今年存储相关的系统净销售额增长 75% 以上。 🚚4. 系统交付与装机基数 ☀️EUV 业务：预计今年交付约 65 台低数值孔径 EUV 系统，。 💧DUV 业务：预计今年交付约 130 台浸没式 DUV 系统；干式 DUV 出货显著增长。。 🔧安装基数管理：今年预计增长超 30%（）。 🇨🇳中国业务：。 🏭 📅1. 2027-2028 年产能规划 📆2027 年：低数值孔径 EUV 光刻机订单已近完全覆盖，计划产能提高约 30%（隐含约 85 台，供需平衡点）。浸没式系统产能亦计划提高 30%。 📆2028 年：已收到大量 Low-NA EUV 订单，正研究产能再扩大 30%（隐含约 110 台）的方案。浸没式系统同样研究扩产 30%。 🏗️产能实现途径：扩产目标基于现有场地布局，无需新建洁净室，可通过合理优化现有空间和缩短生产周期实现（）。 ⚡效率提升：设备数量增 30% 带来的晶圆产能提升实际约为 45%（）。 ☀️2. High-NA 极紫外技术路线 🔬High-NA 技术持续取得进展，平台成熟度向大规模量产要求提升。 🏅里程碑：英特尔晶圆厂采用 ASML High-NA EUV 技术在 Intel 18A 节点生产 Intel Core Ultra 系列 3 处理器。 🚚2026 年 High-NA 设备交付预期维持 45 台不变。随着平台成熟度提升，High-NA 未来将成为产能补充的潜在选项。 ❓ 💰1. 定价策略与 ASP（平均售价） ⚖️Low-NA 定价：目前无讨论降价。ASML 遵循价值定价，Low-NA 设备生产效率提升为未来潜在价格优化提供空间。。 📈产品组合与 ASP 提升：今年下半年起，EUV 产品组合中 E 型号占比增加，下半年将推出 230 配置机型；浸没式光刻机下半年出货量显著高于上半年，这些因素将推高 ASP。。 ⚙️2. 设备型号过渡（D 至 E/F）与毛利率驱动 🛑D 机型停产：因蔡司特定 QOB 组件耗尽，。F 系列将匹配 1.4 纳米工艺研发，2 纳米工艺可 E/F 混搭。 📈毛利率提升驱动（下半年优于上半年）： 浸没式和 Low-NA EUV 设备占比提升； 高定价 EUV 设备占比增加； 装机业务保持强劲； 下半年产量大幅提升带来规模效应（固定成本覆盖）。 📅2027 年毛利率虽不提供指引，但若市场延续乐观态势，。 📦3. 产能扩张与供应链可见度 📋ASML 无需等待正式订单确认即提前布局产能（如研究 2028 年 110 台方案），因客户需求信号强烈且提前两年提供。供需匹配存在张力但持续推进。 🔎High-NA 与 Low-NA 光学元件（蔡司设备）。 🔧4. 装机量升级与客户需求 🏠客户受限于现有洁净室，迫切需要提升现有晶圆厂产能，为系统升级创造了极有利条件。 📦ASML 提供覆盖所有版本 EUV 和浸没式系统的升级产品，市场接受度高，客户甚至要求加快交付并开发新产品（）。 💾5. 存储业务增长构成 📈75% 的内存增长主要来自 HBM 和 DDR 量能提升。HBM 需要更多晶圆带来额外量能效应，同时 1C 和 1B 等节点使用了更多 EUV 层，。 📉6. 运营杠杆与成本控制 📈营收大幅增长而运营支出增长温和（重组后研发团队效率提升）。公司将继续良好管理研发和销售及管理费用，。 📢7. 其他声明 📅下一次资本市场日定于 2027 年 6 月 10 日举行。

总体总结

主题正文

1. 📊预计今年先进逻辑晶圆代工相关的系统净销售额增长超 25%。
2. 📈供应紧张推高 DDR 和 HBM 价格，客户大幅投资晶圆厂扩建，DRAM 光刻强度持续提升（）。
3. 📊预计今年存储相关的系统净销售额增长 75% 以上。
4. 🔧安装基数管理：今年预计增长超 30%（）。
5. 📆2027 年：低数值孔径 EUV 光刻机订单已近完全覆盖，计划产能提高约 30%（隐含约 85 台，供需平衡点）。
6. 📆2028 年：已收到大量 Low-NA EUV 订单，正研究产能再扩大 30%（隐含约 110 台）的方案。
7. 📈产品组合与 ASP 提升：今年下半年起，EUV 产品组合中 E 型号占比增加，下半年将推出 230 配置机型；
8. 📋ASML 无需等待正式订单确认即提前布局产能（如研究 2028 年 110 台方案），因客户需求信号强烈且提前两年提供。