海外扩产与新设的最先进制程的晶圆厂，其他格局分散的前道设备都买得到，但如果买不到最核心的ASML独家的EUV则无法投产，所以当前全球半导体尤其生产最先进制程的海
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海外扩产与新设的最先进制程的晶圆厂，其他格局分散的前道设备都买得到，但如果买不到最核心的ASML独家的EUV则无法投产，所以当前全球半导体尤其生产最先进制程的海外顶尖算力卡和HBM存储的晶圆厂扩产核心瓶颈为ASML的光刻机产能，而光刻机的产能也将影响全球半导体设备的资本开支。此前海外机构预计目前ASML最高端的Low-NA EUV产能提升三年增速中枢约20%-30%，昨晚公司计划在2026年约65台的Low NA EUV产能基础上、为2027年增加30%，并正评估2028年再增加30%，管理层暗示28年85台Low-NAEUV并非产能上限，110台已有较强需求信号支撑；DUV浸没式产能同样计划在2026年约130台基础上、为2027年增加30%，2028年再评估增加30%；所以增产幅度略超预期，但未明显上修。并且阿斯麦在最近几周告知部分客户，计划对其DUV光刻机提价10%，在扩产增速有限以及涨价预期的催化下，为小批量转规模化量产提供了宝贵时间窗口，且情绪上利好浸没式DUV国产替代，配合多重曝光可满足亚先进制程的NAND与DRAM存储产品扩产需求。
总体总结
主题正文
- 海外扩产与新设的最先进制程的晶圆厂，其他格局分散的前道设备都买得到，但如果买不到最核心的ASML独家的EUV则无法投产，所以当前全球半导体尤其生产最先进制程的海外顶尖算力卡和HBM存储的晶圆厂扩产核心瓶颈为ASML的光刻机产能，而光刻机的产能也将影响全球半导体设备的资本开支。
- 此前海外机构预计目前ASML最高端的Low-NA EUV产能提升三年增速中枢约20%-30%，昨晚公司计划在2026年约65台的Low NA EUV产能基础上、为2027年增加30%，并正评估2028年再增加30%，管理层暗示28年85台Low-NAEUV并非产能上限，110台已有较强需求信号支撑；
- DUV浸没式产能同样计划在2026年约130台基础上、为2027年增加30%，2028年再评估增加30%；
- 所以增产幅度略超预期，但未明显上修。
- 并且阿斯麦在最近几周告知部分客户，计划对其DUV光刻机提价10%，在扩产增速有限以及涨价预期的催化下，为小批量转规模化量产提供了宝贵时间窗口，且情绪上利好浸没式DUV国产替代，配合多重曝光可满足亚先进制程的NAND与DRAM存储产品扩产需求。