- 兆易创新2Q26初步业绩大幅超预期:营收72.31亿元,环比+75%、同比+226%,超出摩根士丹利预测21%;净利润54.39亿元,环比+272%、同比+

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摩根士丹利于2026年7月9日发布兆易创新(603986.SS)更新报告,维持 评级,目标价 ,较当前股价(Rmb663.49)有 上行空间,行业评级为 。 报告核心在于公司2Q26初步业绩呈现——营收同比翻三倍、净利润同比增长近16倍,毛利率预计达到65-70%的极高水平,远超市场预期。摩根士丹利对兆易创新的看好逻辑建立在三大支柱:。

一、2Q26初步业绩:大超预期 指标2Q26实际值环比同比vs. 摩根士丹利预测 营业收入 Rmb7,312mn +75% +226% +21% 净利润 Rmb5,439mn +272% +1,496% +137% 净利润率 74% — — — 扣非净利润 Rmb3,440mn — — — 扣非净利率 47% — — — 毛利率(预估) 65-70% — — —

:Rmb5,439mn净利润中,扣除非经常性损益后为Rmb3,440mn,意味着约Rmb1,999mn为非经常性收益(可能包括投资收益、政府补助等)。投资者应关注扣非业绩的可持续性。 :65-70%的毛利率水平显著高于兆易创新过去常态(通常在30-40%区间),反映了存储芯片的供需格局下,公司议价能力大幅提升。 :+1,496%的同比增速部分源于去年2Q的低基数效应,但即便剔除基数影响,季度环比+75%的增速依然强劲。 二、公司主动提示的风险 报告特别强调:"公司持续警告未来可能因而面临盈利风险"。这表明管理层对当前高位业绩的可持续性持谨慎态度,市场不应将2Q26业绩线性外推。 三、摩根士丹利的三大投资逻辑

  1. 存储芯片价格持续上涨(核心驱动) :受三星、SK海力士等大厂将产能转向HBM和DDR5影响,传统DDR4/DDR3供给收缩,价格持续上涨。兆易创新作为中国主要的DRAM厂商之一充分受益。 :AI、汽车电子需求驱动NOR Flash供需紧张,价格维持高位。 :大容量NAND被大厂垄断,中小容量SLC NAND供给受限。
  2. 定制化DRAM的长期机会 定制化DRAM(如面向AI推理、CXL、服务器定制内存)是兆易创新区别于其他存储厂商的差异化方向。虽然短期贡献有限,但是的关键想象空间。
  3. 中国MCU市场份额提升 兆易创新是国内MCU龙头之一,受益于: 国产替代政策驱动 下游汽车、工业、消费电子对国产MCU接受度提升 公司GD32系列在性能和生态方面持续追赶海外大厂 四、估值与盈利预测 摩根士丹利的修正后盈利预测(基于共识方法): 财务指标12/2512/26e12/27e12/28e EPS (Rmb) 2.48

30.27 35.21 营收 (Rmb mn) 9,203

46,298 57,916 EBITDA (Rmb mn) 2,027 13,300 23,646 27,463 净利润 (Rmb mn) 1,648

21,221 24,688 P/E 86.5x

21.9x 18.8x P/B 7.4x

9.7x 7.0x ROE 9.9%

69.8% 51.3%

12/26e营收预计同比增长 (9,203 → 28,399),反映本轮存储涨价周期的影响 12/26e ROE预计飙升至 ,是过去从未达到过的水平 12/26e P/E为39.8x,相对12/27e的21.9x,估值切换空间大

:Overweight(增持) :Rmb888 :Rmb663.49(2026年7月9日收盘价) :+34% :Attractive :基于2026年预期EPS的P/E估值,并考虑公司在中国存储和MCU市场的领先地位以及存储芯片涨价带来的盈利弹性 :摩根士丹利采用Overweight / Equal-weight / Underweight三档评级体系,Overweight意味着在未来12-18个月内预计跑赢行业基准指数。

:公司自身已明确警告未来供需格局变化可能影响盈利。当前DDR4/NOR/SLC NAND价格已处于历史高位,一旦供给端产能扩张或需求端走弱,价格回调幅度可能较大,业绩弹性反向也将十分剧烈。 :2Q26净利润率高达74%,包含大量非经常性损益(扣非后净利率仅47%),投资者需关注。 :当前12/26e P/E为39.8x,市净率高达15.3x,处于历史和行业高位。如果存储涨价周期见顶,估值回调幅度可能较大。 :DDR5、HBM等高端存储快速发展可能挤压兆易创新在中低端DDR市场的生存空间;定制化DRAM需要长期研发投入和时间。 :作为中国半导体企业,兆易创新面临出口管制、设备获取限制等外部不确定性,可能影响产能扩张和技术升级。 :公司收入以美元计价但成本以人民币计价,汇率波动可能影响盈利;全球宏观经济下行将抑制消费电子需求。 :摩根士丹利已将12/26e EPS上修至16.68元(vs 此前较低水平),如果公司未来业绩低于修正后的预期,股价回调压力较大。 :52周股价区间(Rmb113.82-846.66)波动巨大,反映公司股价对存储周期高度敏感,投资者需做好风险管理。

总体总结

主题正文

  1. 报告核心在于公司2Q26初步业绩呈现——营收同比翻三倍、净利润同比增长近16倍,毛利率预计达到65-70%的极高水平,远超市场预期。
  2. :Rmb5,439mn净利润中,扣除非经常性损益后为Rmb3,440mn,意味着约Rmb1,999mn为非经常性收益(可能包括投资收益、政府补助等)。
  3. :受三星、SK海力士等大厂将产能转向HBM和DDR5影响,传统DDR4/DDR3供给收缩,价格持续上涨。
  4. 12/26e营收预计同比增长 (9,203 → 28,399),反映本轮存储涨价周期的影响
  5. :摩根士丹利采用Overweight / Equal-weight / Underweight三档评级体系,Overweight意味着在未来12-18个月内预计跑赢行业基准指数。
  6. 当前DDR4/NOR/SLC NAND价格已处于历史高位,一旦供给端产能扩张或需求端走弱,价格回调幅度可能较大,业绩弹性反向也将十分剧烈。
  7. :2Q26净利润率高达74%,包含大量非经常性损益(扣非后净利率仅47%),投资者需关注。
  8. :52周股价区间(Rmb113.82-846.66)波动巨大,反映公司股价对存储周期高度敏感,投资者需做好风险管理。