【半导体设备】华为发布V2版“韬定律”，关注先进封测设备需求【东吴机械】 7月4日华为海思半导体业务负责人何庭波发布了V2版的《》，这篇V2版韬定律论文指出，通
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【半导体设备】华为发布V2版“韬定律”，关注先进封测设备需求【东吴机械】
7月4日华为海思半导体业务负责人何庭波发布了V2版的《》，这篇V2版韬定律论文指出，通过LogicFolding（逻辑折叠），华为新一代麒麟移动SoC在固定工艺节点下，实现了55%的晶体管密度提升，并在同等性能下将功耗降低了41%， 主要依靠超细间距面对面混合键合、将电路逻辑单元拆分分配至上下两层有源晶圆垂直互连，新增“齿轮比”评判堆叠匹配度，即混合键合触点间距与顶层金属走线间距的比值，数值越趋近1，电路绕路损耗与时延越低。
1、华为将发布新的麒麟手机芯片，完整采用逻辑折叠技术，大幅提升相关性能：预计到2031年基于韬定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。 （1）材料升级：采用寄生电容更小的材料，代替现有导线，比如Cu代替Al、W代替Cu、Co代替W等，新的金属导线材料减少了原有导线的寄生电容，从而提高速度，主要就是PVD、Metal CVD和Metal ALD； （2）先进封装：即“逻辑折叠”，减少了电极和电极之间，连接“导线”的距离，从而提高速度； （3）系统软件设计：“软件、架构、芯片”全栈软硬芯协同设计，定义了灵衢总线，重构计算系统互联协议。
2、先进封装技术快速发展，带来封测设备新需求：（1）测试机：SoC芯片设计和制造的复杂性大幅增加，同时先进存储芯片为AI算力芯片提供高带宽的数据存储和传输支持、其容量和带宽的不断提升也进一步增加了芯片的复杂性，对高性能测试机需求显著增长；（2）封装设备：涉及TSV刻蚀设备、薄膜沉积设备等前道图形化设备、同时对减薄机要求提升，尤其新增混合键合等新互联方式。
3、投资建议：（1）封装设备：北方华创（TSV刻蚀）、中微公司（TSV刻蚀）、 拓荆科技（薄膜沉积+混合键合）、芯源微（涂胶显影+TCB热压键合）、迈为股份（切磨抛、混合键合）、晶盛机电（减薄机、混合键合）、 华海清科（减薄机）、盛美上海（电镀机）、光力科技（划片机）等。（2）测试设备：关注AI带来的国产SoC、HBM存储测试机突破，相关标的 长川科技（SoC测试机+存储测试机+模拟功率测试机）、华峰测控（模拟功率测试机+SoC测试机）、联动科技（模拟功率测试机+SoC测试机+存储测试机） 、精智达（存储测试机）、联讯仪器（存储测试机）等。
东吴机械：周尔双/李文意/谈沂鑫
总体总结
主题正文
- 【半导体设备】华为发布V2版“韬定律”，关注先进封测设备需求【东吴机械】
- 7月4日华为海思半导体业务负责人何庭波发布了V2版的《》，这篇V2版韬定律论文指出，通过LogicFolding（逻辑折叠），华为新一代麒麟移动SoC在固定工艺节点下，实现了55%的晶体管密度提升，并在同等性能下将功耗降低了41%， 主要依靠超细间距面对面混合键合、将电路逻辑单元拆分分配至上下两层有源晶圆垂直互连，新增“齿轮比”评判堆叠匹配度，即混合键合触点间距与顶层金属走线间距的比值，数值越趋近1，电路绕路损耗与时延越低。
- 1、华为将发布新的麒麟手机芯片，完整采用逻辑折叠技术，大幅提升相关性能：预计到2031年基于韬定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。
- （1）材料升级：采用寄生电容更小的材料，代替现有导线，比如Cu代替Al、W代替Cu、Co代替W等，新的金属导线材料减少了原有导线的寄生电容，从而提高速度，主要就是PVD、Metal CVD和Metal ALD；
- 2、先进封装技术快速发展，带来封测设备新需求：（1）测试机：SoC芯片设计和制造的复杂性大幅增加，同时先进存储芯片为AI算力芯片提供高带宽的数据存储和传输支持、其容量和带宽的不断提升也进一步增加了芯片的复杂性，对高性能测试机需求显著增长；
- （2）封装设备：涉及TSV刻蚀设备、薄膜沉积设备等前道图形化设备、同时对减薄机要求提升，尤其新增混合键合等新互联方式。
- 3、投资建议：（1）封装设备：北方华创（TSV刻蚀）、中微公司（TSV刻蚀）、 拓荆科技（薄膜沉积+混合键合）、芯源微（涂胶显影+TCB热压键合）、迈为股份（切磨抛、混合键合）、晶盛机电（减薄机、混合键合）、 华海清科（减薄机）、盛美上海（电镀机）、光力科技（划片机）等。
- （2）测试设备：关注AI带来的国产SoC、HBM存储测试机突破，相关标的 长川科技（SoC测试机+存储测试机+模拟功率测试机）、华峰测控（模拟功率测试机+SoC测试机）、联动科技（模拟功率测试机+SoC测试机+存储测试机） 、精智达（存储测试机）、联讯仪器（存储测试机）等。