📌 一、行业整体趋势 🌐全球高带宽内存市场预计会在 2026 年下半年完成产品迭代，从 HBM3E 切换至，这一变化会加剧三星电子、SK 海力士、美光科技三家头
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一、行业整体趋势 🌐全球高带宽内存市场预计会在 2026 年下半年完成产品迭代，从 HBM3E 切换至，这一变化会加剧三星电子、SK 海力士、美光科技三家头部存储公司之间的市场份额争夺战。 📈市场对 HBM4 的需求边界正在拓宽，不再局限于英伟达 GPU 产品，开始延伸至定制专用集成电路（ASIC）赛道，业内判断该需求转变会进一步加快 HBM4 出货规模增长。 🔍行业知情人士预判，存储芯片供给紧张的格局会延续至明年，三大存储龙头公司将持续掌握更强的产品定价话语权。 二、2026 年一季度 HBM 市场份额数据 📊Counterpoint Research 机构统计数据显示，2026 年第一季度 SK 海力士拿下全球 HBM 市场，稳居行业首位；三星电子与美光科技各自占据 21% 营收份额，两家公司并列行业第二名。 💡Counterpoint 机构补充说明，2026 年一季度全球 HBM 营收绝大部分来源于 HBM3E 产品，。 🏭业内从业者统一将下半年 HBM4 的出货业绩，视作下一轮全球 HBM 市场份额重新洗牌的核心决定性指标。 📌2026 年一季度全球 HBM 营收份额明细：SK 海力士 58%、三星 21%、美光 21%；数据来源为 Counterpoint Research，由 DIGITIMES Asia 在 2026 年 6 月整理统计。 三、三星率先落地 HBM4 量产，SK 海力士稳固英伟达合作渠道 （1）三星 HBM4 量产进度 🚀行业消息称，三星是全球首家启动 HBM4 大规模生产与对外出货的存储公司，量产项目在 2026 年 2 月正式落地启动，投产约 130 天后，三星 HBM4 相关业务营收突破。 ⚙️三星能够抢先实现量产领先，核心依托自研 1C DRAM 工艺，以及自家晶圆厂产出的 4 纳米基底芯片；此前三星在 HBM3E 交付节奏上落后同行，这套自研工艺帮助三星在 HBM4 的交付周期、产品性能层面实现反超。 🏭三星已经将自身一半左右的 HBM 整体产能分配给 HBM4 生产线；旗下下一代迭代产品 HBM4E 芯片良率已经突破，不过该款新品目前仍处在可靠性持续测试阶段，暂未批量对外供货。 （2）SK 海力士绑定英伟达核心订单 🤝SK 海力士此前几乎独家向英伟达供应 HBM3E 产品，行业普遍预判它能继续坐稳英伟达最大 HBM4 供应商的位置。 📈Kyobo 证券分析师 Choi Bo-young 给出预测，SK 海力士将会抢占的全球 HBM4 市场份额。 🗣️SK 海力士首席执行官在上个月公开表态，公司长期战略目标是持续成为英伟达规模最大的内存合作公司之一。 四、美光全力冲刺，目标提升 HBM 市场份额 📈美光同样在主动加码布局，巩固自身在高带宽内存赛道的行业地位。 📝美光在 2026 财年第三季度财报沟通会上披露，公司 HBM4 业务营收已经突破；12 层堆叠规格 HBM4 的产能爬坡速度，是同规格 HBM3E 产品爬坡速度的两倍。 🏭美光表示，12 层堆叠 HBM4 相比 12 层堆叠 HBM3E，能够更快达成成熟稳定的量产良率；公司规划在 2026 年年底，将自身整体 HBM 市场份额提升至接近 30%。 💰美光 2026 财年第三季度数据中心业务营收突破 25 亿美元，对应年化营收规模超 100 亿美元；受 DRAM、NAND 芯片行业需求持续高于供给的驱动，美光预判芯片供需紧张的局面会持续到 2027 年之后。 五、供给持续收紧，存储厂商定价能力大幅提升 1、AI 算力投资长期支撑 HBM 需求 💻人工智能数据中心建设投入，是拉动 HBM 产品需求的核心底层逻辑。 📊野村证券测算，全球 AI 数据中心投资规模年均复合增速可达 48%，市场规模将从去年的 4660 亿美元，增长至 2030 年的 3.379 万亿美元。 🏢谷歌、亚马逊、微软等大型科技公司今年持续扩大内部 ASIC 定制芯片研发规模，会进一步拉动 HBM4 采购需求，本就紧张的存储芯片供需格局会进一步承压。 2、全品类存储芯片涨价周期延续 📰路透社单独报道，人工智能产业持续扩张会持续收紧存储芯片供给，分析师判断芯片供不应求的状态至少会维持到明年。 📈花旗研究数据显示，2026 年第二季度 DRAM、NAND 闪存平均售价环比分别上涨 44%、53%；野村证券同步预测，在 AI 服务器、ASIC 定制芯片采购需求支撑下，7-9 月季度 DRAM 价格环比上涨 24%，NAND 闪存价格环比上涨 25%。 3、行业潜在风险与价格支撑逻辑 ⚠️摩根士丹利机构提示，当前存储行业上涨周期最大风险，来自 AI 相关内存采购支出的可持续性。机构测算，今年 AI 算力相关内存采购，将占到云服务商资本开支的 52%，明年该占比预计会突破 70%。 📌业内渠道人士表示，传统 DRAM 芯片价格持续走强，会进一步给 HBM 产品议价带来上行支撑；下游算力需求不断上涨，但行业整体产能扩张存在硬性约束，存储供货公司的议价能力会持续增强。
总体总结
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- 🌐全球高带宽内存市场预计会在 2026 年下半年完成产品迭代，从 HBM3E 切换至，这一变化会加剧三星电子、SK 海力士、美光科技三家头部存储公司之间的市场份额争夺战。
- 📈市场对 HBM4 的需求边界正在拓宽，不再局限于英伟达 GPU 产品，开始延伸至定制专用集成电路（ASIC）赛道，业内判断该需求转变会进一步加快 HBM4 出货规模增长。
- 🏭业内从业者统一将下半年 HBM4 的出货业绩，视作下一轮全球 HBM 市场份额重新洗牌的核心决定性指标。
- 🚀行业消息称，三星是全球首家启动 HBM4 大规模生产与对外出货的存储公司，量产项目在 2026 年 2 月正式落地启动，投产约 130 天后，三星 HBM4 相关业务营收突破。
- ⚙️三星能够抢先实现量产领先，核心依托自研 1C DRAM 工艺，以及自家晶圆厂产出的 4 纳米基底芯片；
- 📊野村证券测算，全球 AI 数据中心投资规模年均复合增速可达 48%，市场规模将从去年的 4660 亿美元，增长至 2030 年的 3.379 万亿美元。
- 野村证券同步预测，在 AI 服务器、ASIC 定制芯片采购需求支撑下，7-9 月季度 DRAM 价格环比上涨 24%，NAND 闪存价格环比上涨 25%。
- 机构测算，今年 AI 算力相关内存采购，将占到云服务商资本开支的 52%，明年该占比预计会突破 70%。