韩国媒体报道称，中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 的试点生产线，目标是在不使用 EUV 光刻技术的情况下实现高性能 DRAM。 键合式 DRA
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韩国媒体报道称，中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 的试点生产线，目标是在不使用 EUV 光刻技术的情况下实现高性能 DRAM。
键合式 DRAM 是一种将存储单元阵列和外围电路分别制造在不同的晶圆上，然后再键合在一起的技术。这种方法仅使用多重曝光的深紫外（DUV）光刻技术即可生产超高密度 DRAM，无需使用极紫外（EUV）光刻设备。
三星电子正在“B1b”项目下开发其自主研发的键合 DRAM，而 SK 海力士也在研发类似技术。然而，韩国媒体警告称，有评估表明，CXMT 目前在技术本身和研发速度方面可能都领先于其韩国竞争对手。
总体总结
主题正文
- 韩国媒体报道称，中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 的试点生产线，目标是在不使用 EUV 光刻技术的情况下实现高性能 DRAM。
- 键合式 DRAM 是一种将存储单元阵列和外围电路分别制造在不同的晶圆上，然后再键合在一起的技术。
- 这种方法仅使用多重曝光的深紫外（DUV）光刻技术即可生产超高密度 DRAM，无需使用极紫外（EUV）光刻设备。
- 三星电子正在“B1b”项目下开发其自主研发的键合 DRAM，而 SK 海力士也在研发类似技术。
- 然而，韩国媒体警告称，有评估表明，CXMT 目前在技术本身和研发速度方面可能都领先于其韩国竞争对手。