- 高盛维持ASML买入评级，将12个月目标价从1770欧元上调至2000欧元，主要基于存储芯片资本支出前景改善、中国市场需求消化后有望反弹、以及EUV光刻层数
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- 高盛维持ASML买入评级，将12个月目标价从1770欧元上调至2000欧元，主要基于存储芯片资本支出前景改善、中国市场需求消化后有望反弹、以及EUV光刻层数增长带来的结构性利好。上调FY27-30营收和EPS预测5-9%，并提升估值倍数至43倍。
高盛在最新报告中维持对ASML（ASML.AS）的评级，并将12个月目标价从€1,770大幅上调至**€2,000**（对应16.2%上行空间）。核心驱动因素包括：存储芯片（Memory）资本支出加速、中国市场需求消化后2027年有望恢复增长、以及EUV（极紫外光刻）技术在先进制程中的渗透率持续提升。分析师认为当前股价仅反映32倍远期PE，低于历史长期中枢，估值具有吸引力。
- 存储芯片资本支出成为关键催化剂 在FY26Q3业绩会上表示，预计Q4资本支出约$100亿（全年约$270亿），FY27将。高盛模型显示FY27存储资本支出可能达$500亿，其中约50%用于建厂（施工支出），这部分对设备采购的影响滞后但确定性高。 近期宣布将大规模投资半导体（未明确拆分资本支出和研发），高盛亚洲团队认为这将对ASML形成实质性长期利好。 存储芯片供需紧张（供应持续不及需求），预计推动多轮扩产周期，ASML因其和EUV工具长达12个月以上的交货周期，将优先受益。
- 中国市场需求：2026年消化，2027年反弹 2026年中国市场可能经历（因2025年大量设备发货需要时间吸收），但ASML对中国的指引可能偏保守。高盛认为，在常规存储芯片供需紧张背景下，中国厂商将在西方市场获得更多份额，从而驱动进一步扩产。 随着晶圆厂建设计划推进，设备订单有望在，为ASML带来额外支出。
- 客户结构优化与AI需求 除台积电（TSMC）外，其他领先晶圆厂（如Intel、Samsung）正在加速EUV导入，客户基础，降低单一客户依赖风险。 AI大模型训练和推理带来的，可能推动光刻设备需求阶梯式上升（超出市场当前预期）。
- EUV层数增长逻辑强化 工艺完成过渡后，EUV层数将显著增加。Micron近期与ASML签订多年EUV供应协议，用于1-delta节点及后续制程，佐证了EUV渗透率提升趋势。 高NA EUV（High-NA）在存储领域的采纳速度可能快于逻辑芯片，任何相关订单进展都将成为积极信号。
：买入（Buy） ：€2,000（上调幅度13%） ：基于CY27（2027年）预期PE的（此前为40倍），对应更高EPS预测。公司当前交易在约32倍2年远期PE，低于历史长期均值25-35倍区间，仍具上行空间。 ： FY26营收/EBIT不变 FY27-30营收上调5-9% FY27-30每股收益上调5-8%（主要受更高营收和经营杠杆驱动）
：High-NA或下一代EUV开发进度不及预期，影响客户订单。 ：存储芯片行业周期性波动可能导致资本支出突然下滑。 ：竞争对手（如Canon、Nikon）在关键技术上取得突破，或地缘政治限制导致客户结构变化。 ：美国对华出口管制可能进一步收紧，影响ASML在中国的收入。 ：全球经济衰退导致半导体需求下行，进而抑制设备投资。
总体总结
主题正文
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- 高盛维持ASML买入评级，将12个月目标价从1770欧元上调至2000欧元，主要基于存储芯片资本支出前景改善、中国市场需求消化后有望反弹、以及EUV光刻层数增长带来的结构性利好。
- 高盛在最新报告中维持对ASML（ASML.AS）的评级，并将12个月目标价从€1,770大幅上调至**€2,000**（对应16.2%上行空间）。
- 核心驱动因素包括：存储芯片（Memory）资本支出加速、中国市场需求消化后2027年有望恢复增长、以及EUV（极紫外光刻）技术在先进制程中的渗透率持续提升。
- 在FY26Q3业绩会上表示，预计Q4资本支出约$100亿（全年约$270亿），FY27将。
- 高盛模型显示FY27存储资本支出可能达$500亿，其中约50%用于建厂（施工支出），这部分对设备采购的影响滞后但确定性高。
- 存储芯片供需紧张（供应持续不及需求），预计推动多轮扩产周期，ASML因其和EUV工具长达12个月以上的交货周期，将优先受益。
- 除台积电（TSMC）外，其他领先晶圆厂（如Intel、Samsung）正在加速EUV导入，客户基础，降低单一客户依赖风险。
- ：High-NA或下一代EUV开发进度不及预期，影响客户订单。