【PCB设备】1.6T光模块+CoWoP+NPO打开mSAP工艺应用场景 1.6T光模块与NPO伴随信号传输要求提高需要使用mSAP工艺 1.6T光模块采用8×
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【PCB设备】1.6T光模块+CoWoP+NPO打开mSAP工艺应用场景
1.6T光模块与NPO伴随信号传输要求提高需要使用mSAP工艺
1.6T光模块采用8×224GbpsPAM4通道设计，奈奎斯特频率高达56GHz，信号对串扰及阻抗波动极度敏感，需在有限空间内集成16-20层线路，线宽/线距需缩小至15μm/15μm。NPO同理，带宽需求的提高带动更密集的SerDes走线要求，需要进一步缩小线宽线距，需要使用mSAP工艺。
CoWoP工艺要求最底层的PCB达到类载板级别的线宽线距
伴随封装技术的持续推进，CoWoP工艺（Chip-On-Wafer-On-PCB）提上产业化日程。相比于CoWoS工艺（Chip-On-Wafer-On-Substrate），CoWoP工艺省略了封装基板，因此对底层的PCB提出了接近载板化的布线要求。线宽线距的缩小倒逼PCB厂使用mSAP工艺进行布线。
mSAP工艺渗透带动设备投资机遇
一、钻孔设备：孔径缩小至50μm左右，使用超快激光钻效果更佳；二、曝光设备：线宽线距缩小至15μm，对位精度与成像精度要求提高；三、电镀设备：需控制铜厚均匀性在±5%以内，保证线路分布均匀；四、成型设备：1.6T光模块PCB面积小结构复杂，使用CCD锣机。
投资建议：PCB设备重点推荐【大族数控】【东威科技】【芯碁微装】【凯格精机】。
风险提示：宏观经济风险，算力建设不及预期风险。
【东吴机械】周尔双/陶泽
总体总结
主题正文
- 【PCB设备】1.6T光模块+CoWoP+NPO打开mSAP工艺应用场景
- 1.6T光模块采用8×224GbpsPAM4通道设计，奈奎斯特频率高达56GHz，信号对串扰及阻抗波动极度敏感，需在有限空间内集成16-20层线路，线宽/线距需缩小至15μm/15μm。
- NPO同理，带宽需求的提高带动更密集的SerDes走线要求，需要进一步缩小线宽线距，需要使用mSAP工艺。
- 伴随封装技术的持续推进，CoWoP工艺（Chip-On-Wafer-On-PCB）提上产业化日程。
- 相比于CoWoS工艺（Chip-On-Wafer-On-Substrate），CoWoP工艺省略了封装基板，因此对底层的PCB提出了接近载板化的布线要求。
- 二、曝光设备：线宽线距缩小至15μm，对位精度与成像精度要求提高；
- 投资建议：PCB设备重点推荐【大族数控】【东威科技】【芯碁微装】【凯格精机】。
- 风险提示：宏观经济风险，算力建设不及预期风险。