长鑫存储材料 & 耗材供应链全景深度解读 全文核心主线：长鑫存储材料国产化进度显著快于设备端，六大原材料采购结构分化明显，不同品类国产替代空间、受益标的、景气逻

• 序号：318
• 星球链接：打开网页
• 附件：图片 0，音频 0，文档 0
• 音频文件：无音频

图片

无图片

正文

长鑫存储材料 & 耗材供应链全景深度解读 全文核心主线：长鑫存储材料国产化进度显著快于设备端，六大原材料采购结构分化明显，不同品类国产替代空间、受益标的、景气逻辑差异极大；2026 全年材料采购规模有望突破 270 亿，材料属于持续性耗材采购，扩产对材料企业业绩传导更快、持续性更强。 一、基础采购数据总览 收入与材料消耗绑定逻辑 长鑫 2024 年 LPDDR 系列占主营收入 82.74%，材料消耗完全跟随移动端、AI 存储需求节奏。 采购金额 2024 年六大原材料合计采购 114.7 亿元（全部主材 121.9 亿） 2025 上半年采购 61.45 亿元 预判：2026 全年材料采购规模270 亿以上 六大原材料采购占比（2025）

1. 化学品（37.29%，占比第一，弹性最大） 占比从 2022 年 27.49% 持续攀升，核心驱动：DDR5 迭代带动湿法、ALD 前驱体消耗量激增；前期产能建设备件前置采购推高采购额。 细分赛道 + 国产龙头 1）湿电子化学品 晶瑞电材：高纯双氧水、酸碱、NMP 全品类供货长鑫，i 线光刻胶同步配套，核心产品全面国产替代； 格林达：国内唯一 SEMI G5 级 TMAH 显影液量产企业，独家供应长鑫； 江化微：湿化学品龙头，江阴产能 9 万吨 / 年，全部基地建成后总产能 30 万吨。 2）CMP 抛光配套 抛光液：安集科技（国内市占 70%、全球 10%-11%，2024 营收 15.5 亿）； 抛光垫：鼎龙股份（国内市占 70%，和长鑫共建实验室，2025 抛光垫收入 10.91 亿，同比 + 52.34%）。 3）ALD/CVD 高纯前驱体（战略级材料） 雅克科技：国产龙头，已批量进入合肥长鑫、长江存储； 安德科铭（重点催化）：长鑫全资子公司长鑫芯聚战略入股，210 吨 / 年高纯前驱体产能，7 款产品量产，High-K 材料自研供货；属于产业资本反向绑定材料厂，长鑫将高 K 前驱体定义为核心战略环节。 价格与量逻辑 化学品单价指数 2022 年 100→2025 上半年 77.9，三年累计跌 22%；行业景气上行靠采购量提升而非涨价，量价叠加后该板块整体采购额弹性全品类第一。
2. 备件及其他（34.69%，设备零部件耗材） 包含反应腔体、石英件、密封圈、传输部件、靶材辅件等。 价格波动：2024 单价指数暴涨 56% 至 156.53，2025 上半年回落至 97.29，低于 2022 年； 国产突破方向：石英件、密封件； 菲利华：半导体级石英玻璃龙头； 新莱应材：密封件、洁净管路国产替代深度领先； 供应链特征：供应商集中度最高，2024 年前五大供应商里 3 家为备件厂商，合计采购占比超 19%。
3. 光阻剂（12.16%，分层最严重，高端卡脖子） 按光刻波段国产化差距巨大，且受光刻机限制存在行业天花板：没有先进 DUV/EUV 光刻机，高端光刻胶无法完成量产验证。 1）i 线光刻胶（成熟制程，非关键层） 晶瑞电材国内市占第一，批量供货长鑫，国产化率约 10%。 2）KrF 光刻胶（成熟存储产线已打通） 晶瑞电材、彤程新材（科华微电子）、上海新阳均可批量供货 12 寸晶圆厂。 3）ArF 光刻胶（先进制程，爬坡阶段，高度依赖日本） 南大光电：50 吨 / 年产能，28nm 小批量供货，14nm 浸没式良率 99.7%； 彤程新材、鼎龙股份、上海新阳均取得客户订单，刚实现从零破冰； 外部风险：2025 年日本对华光刻胶配额削减 10%-15%，年末部分日企暂停供货，倒逼国产加速； 天花板限制：长鑫产线仅限制在 DUV 阶段，国产 ArF 只能在成熟存储线验证；EUV 光刻胶国内完全空白。
4. 硅片（8.55%，2025 下半年大幅加仓） 2025 上半年占比仅 6.27%，全年回升至 8.55%，背后两大逻辑：DRAM 涨价后产能爬坡 + 战略库存备货。 国产供给：沪硅产业（300mm 硅片主力供应）、立昂微（12 寸覆盖 14nm 以上存储）； 海外依赖：信越、SUMCO、环球晶圆、Siltronic 仍为主力；长鑫已主动削减 SUMCO 采购，国产替代方向确定，但完整切换仍需 2-3 年。
5. 气体（5.10% 仅工艺特气，大宗气体单独供应链，国产化最彻底） 原文注释：5.10% 采购额不含大宗电子气体，大宗气体是独立供应通道，也是国产替代完成度最高赛道。 1）大宗电子气体 广钢气体：长鑫最大供应商，签订 15 年长期供气协议，覆盖合肥、北京基地，2025 上半年在长鑫气体采购占比 40%-45%；15 年长协在半导体材料端极其罕见，国产化确定性极强。 2）工艺电子特气（计入 5.10% 采购额） 华特气体：光刻气国内市占 60%，全球少数通过 ASML、Gigaphoton 双重认证企业； 中船特气：国内电子特气龙头，2002 年突破三氟化氮海外垄断； 金宏气体：补充中端品类； 3）价格逻辑：气体单价指数跌至 62.29，三年跌幅 38%；采购量跟随长鑫投片量同步增长，采购量弹性全行业最高。
6. 靶材（2.21%，占比最小，但国产替代最成熟） 江丰电子覆盖铝、钛、铜、钨全系列，钛 / 铝 / 铜靶 5nm 节点量产、部分进入 3nm 验证；有研新材子公司有研亿金国内市占 85%；整体靶材国产化率超 60%。 行业特点：不存在供给卡脖子，长鑫扩产带来的增量主要是订单放量，而非国产份额突破。 三、两大额外薄弱环节（未计入六大主材，但供应链关键短板）
7. 掩模版 与 ArF 光刻胶并列两大核心卡脖子材料；先进节点单套掩模版成本数百万美元，长鑫高端掩模版主要采购美国 Photronics、日本 Toppan/DNP，国产化率极低。
8. HBM 封装材料（2026-2027 新增增量赛道） 六大原材料仅覆盖前端晶圆制造，HBM 后端封装材料是全新增量，对应长鑫上海 HBM 封装厂 2026 年底投产： 华海诚科：颗粒环氧塑封料 GMC 已送样验证，芯片底填胶量产准备； 联瑞新材：配套 GMC 所需球形硅、Low-α 球铝； 逻辑：赛道弹性极高，但业绩兑现要等到上海后端工厂投产。 四、远期工艺增量：4F2/VCAT 垂直沟道架构（2027 年后） 行业下一代存储工艺方向，G6/G7 新工艺会新增大量材料需求，长期利好三类企业： ALD 前驱体：雅克科技、安德科铭； 高深宽比刻蚀电子特气：华特气体； 这类公司长期成长空间被持续打开。 五、全品类国产化进度总排序（由高到低） 国产化率 50% 以上：电子大宗气体（广钢）、CMP 抛光垫（鼎龙）、靶材（江丰）； 国产化率 30%-50%：湿电子化学品、工艺电子特气； 国产化率 20%-30%：ALD/High-K 前驱体； 国产化极低、受设备限制：ArF 光刻胶、掩模版； 增量新赛道：HBM 封装材料（尚未放量）。 六、核心投资逻辑总结 材料对比设备优势 设备属于一次性大额资本开支；材料是持续性重复采购，每多一片晶圆投产，立刻转化材料企业收入；2026 年长鑫指引营收 1100-1200 亿，材料采购冲击 270 亿，扩产对材料厂商业绩传导更快、持续性更强。 核心受益标的清单 化学品：晶瑞电材、格林达、江化微、安集科技、鼎龙股份、雅克科技、安德科铭 气体：广钢气体、华特气体、中船特气 硅片：沪硅产业、立昂微 靶材：江丰电子、有研新材 备件耗材：菲利华、新莱应材 HBM 封装材料：华海诚科、联瑞新材 行业核心矛盾 成熟制程材料基本实现国产保供；顶层精细化学品、先进光刻胶、高端掩模版仍深度依赖海外，替代进度被光刻机设备瓶颈约束；日本光刻胶出口限制进一步加速国内企业导入验证。 远期增量 短期看现有 DRAM/LPDDR 产线耗材放量；中期看上海 HBM 封装厂带动封装材料；长期看 2027 年后 4F2/VCAT 新一代存储工艺，拉动前驱体、刻蚀特气需求。

总体总结

主题正文

1. 全文核心主线：长鑫存储材料国产化进度显著快于设备端，六大原材料采购结构分化明显，不同品类国产替代空间、受益标的、景气逻辑差异极大；
2. 占比从 2022 年 27.49% 持续攀升，核心驱动：DDR5 迭代带动湿法、ALD 前驱体消耗量激增；
3. 晶瑞电材：高纯双氧水、酸碱、NMP 全品类供货长鑫，i 线光刻胶同步配套，核心产品全面国产替代；
4. 安德科铭（重点催化）：长鑫全资子公司长鑫芯聚战略入股，210 吨 / 年高纯前驱体产能，7 款产品量产，High-K 材料自研供货；
5. 价格波动：2024 单价指数暴涨 56% 至 156.53，2025 上半年回落至 97.29，低于 2022 年；
6. 外部风险：2025 年日本对华光刻胶配额削减 10%-15%，年末部分日企暂停供货，倒逼国产加速；
7. 广钢气体：长鑫最大供应商，签订 15 年长期供气协议，覆盖合肥、北京基地，2025 上半年在长鑫气体采购占比 40%-45%；
8. 3）价格逻辑：气体单价指数跌至 62.29，三年跌幅 38%；