- 美光3QFY26营收超预期,AI驱动内存需求旺盛,供应紧张预计持续至2027年后,且公司已签订16份长期合同,锁定约1000亿美元收入。资本开支大幅增加,利

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高盛最新报告指出,美光(Micron)2026财年第三季度营收达415亿美元(同比+346%,环比+74%),大幅超越市场预期,并给出下一季度营收500亿美元的强劲指引(环比+21%)。AI对数据中心内存的拉动是核心驱动力,内存供需失衡将延续至2027年以后,供应端要到2028年才逐步改善。美光已与客户签署16份“照付不议”战略协议,涵盖数据中心、消费和汽车终端,五年内按底价计算的累计承诺收入约1000亿美元,且部分协议设有上下限价格,锁定了约20%的DRAM和三分之一NAND出货量。

美光数据中心单季营收突破250亿美元(年化约1000亿美元),AI训练与推理对高带宽内存(HBM)和DDR5的需求持续井喷,供给端短期无法匹配,形成显著的供需缺口。美光预计这种紧平衡至少持续到2027年。

美光2026财年资本开支约270亿美元,2027财年预计大幅增至500亿美元(高盛模型),其中约50%增量来自建设资本开支。公司已与ASML签订多年EUV供应协议,将在1-delta节点及后续制程中扩大EUV使用,这与高盛此前对EUV层数持续增加的判断一致。

:EUV订单受益最直接,内存客户加速EUV adoption将推动收入增长。 :ALD和EPI设备在HBM制造中的渗透率提升。 :先进封装和组装设备需求随HBM产能扩张而增加。 :AI基础设施相关测试/验证业务将受益于内存出货量增长。

高盛对上述欧洲标的均维持“买入”评级,具体估值目标可参考各公司独立研报。当前时点,内存设备景气度上行周期刚进入加速阶段,供需缺口叠加资本开支上修,支撑相关股票估值溢价。美光的长期合同锁定了未来收入可见性,进一步降低了下行风险。

:若AI投资放缓或数据中心资本开支不及预期,内存需求可能超预期下滑。 :2028年供应端改善速度可能快于预期,导致供需平衡提前到来,压制设备订单。 :下一代内存技术(如HBM4、3D DRAM)的工艺成熟度不确定,可能影响设备采购节奏。 :美国对华出口管制可能间接影响欧洲设备商对特定客户的出货。 :三星、SK海力士的竞争策略可能导致美光份额丢失,削弱设备需求。

总体总结

主题正文

    • 美光3QFY26营收超预期,AI驱动内存需求旺盛,供应紧张预计持续至2027年后,且公司已签订16份长期合同,锁定约1000亿美元收入。
  1. 高盛最新报告指出,美光(Micron)2026财年第三季度营收达415亿美元(同比+346%,环比+74%),大幅超越市场预期,并给出下一季度营收500亿美元的强劲指引(环比+21%)。
  2. AI对数据中心内存的拉动是核心驱动力,内存供需失衡将延续至2027年以后,供应端要到2028年才逐步改善。
  3. 美光已与客户签署16份“照付不议”战略协议,涵盖数据中心、消费和汽车终端,五年内按底价计算的累计承诺收入约1000亿美元,且部分协议设有上下限价格,锁定了约20%的DRAM和三分之一NAND出货量。
  4. 美光数据中心单季营收突破250亿美元(年化约1000亿美元),AI训练与推理对高带宽内存(HBM)和DDR5的需求持续井喷,供给端短期无法匹配,形成显著的供需缺口。
  5. 美光2026财年资本开支约270亿美元,2027财年预计大幅增至500亿美元(高盛模型),其中约50%增量来自建设资本开支。
  6. :EUV订单受益最直接,内存客户加速EUV adoption将推动收入增长。
  7. :2028年供应端改善速度可能快于预期,导致供需平衡提前到来,压制设备订单。