- 花旗上调美光FY26/27盈利预测，认为DRAM涨价周期将延续至2027年，HBM需求强劲且供给受限，DRAM现货价已高于合约价21%，预示合约价将继续上行
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- 花旗上调美光FY26/27盈利预测，认为DRAM涨价周期将延续至2027年，HBM需求强劲且供给受限，DRAM现货价已高于合约价21%，预示合约价将继续上行。长期协议(LTA)成为投资者关注焦点，戴尔已签约。上调目标价至1200美元（基于10倍CY27 EPS），维持买入评级。
花旗在美光（MU）发布F3Q26财报前（6月24日）发布预览报告，强烈看好公司前景。核心逻辑在于：。花旗将2026年DRAM ASP涨幅预测从+28%大幅上调至+200%，NAND ASP涨幅预测从+3%上调至+186%，并认为涨价将持续到2027年。公司通过长期协议（LTA）锁定客户，收入可见性增强。花旗将目标价从840美元大幅上调至1200美元，对应10倍CY27 EPS，维持买入评级。
- 盈利预测大幅上调 ：营收预测从335亿上调至355亿美元（+6%），EPS从18.86上调至19.98美元（+6%）。 ：营收预测从400亿上调至420亿美元（+5%），EPS从23.12上调至24.27美元（+5%）。 ：EPS从58.46上调至60.73美元（+4%），高于市场一致预期59.22美元。 ：EPS从104.56大幅上调至114.73美元（+10%），较市场一致预期110.32美元高出4%。
- DRAM涨价周期空前强劲 ：Q1环比+64%，Q2环比+37%，Q3环比+13%，Q4环比+11%，全年累计涨幅约200%（此前预期仅+28%）。 ：服务器DRAM涨幅最大，2026年全年ASP同比+331%；移动端+225%；PC端+194%。 ：截至报告日，DRAM现货价自年初已上涨52%，自4月初上涨22%，且现货价较合约价溢价21%，。 ：花旗预计2026年全球DRAM供给将出现5%的缺口，且上行周期将持续到2027年，HBM（高带宽内存）价格将继续上涨。
- NAND涨价同样显著 ：Q1环比+63%，Q2环比+45%，Q3环比+17%，Q4环比+6%，全年累计涨幅约186%（此前预期仅+3%）。 涨价主要受AI数据中心对SSD的强劲需求驱动，叠加供给增长乏力。
- 投资者关注焦点 ：戴尔已率先与美光签署LTA，此类协议可锁定多年收入和利润，是公司未来盈利可持续性的关键催化剂。 ：花旗预计FY2026毛利率高达76.9%，FY2027进一步升至82.9%（2025年仅39.8%），利润弹性极大。 ：近期有报道称Vera Rubin因供给限制导致DRAM降规，花旗认为这反而会加速NAND解决方案（如KV缓存卸载）的采用，利好纯NAND和半导体设备公司。
：买入（Buy） ：1200美元（此前840美元），上调幅度43%。 ：基于CY27 EPS 114.73美元，给予10倍PE。该倍数低于过去3年周期峰值17倍，反映了高毛利率和部分DRAM降规风险，但已显著高于历史周期中位数。 ：以报告日收盘价1020.76美元计算，目标价隐含17.6%上涨空间，加上约0.1%股息率，预期总回报17.6%。 ： 牛市目标价1400美元（37%上行），对应13倍PE； 熊市目标价400美元（61%下行），对应3.5倍PE。
：若供应商出货过多导致渠道库存累积，会引发价格下跌；反之若需求超预期则可能带来上行。 ：美光或竞争对手主动降价可能冲击合约和现货价格。 ：若竞争对手增加产能而需求未同步增长，将导致供给过剩。 ：内存市场高度集中，三星、SK海力士等对手的市场份额变化可能影响美光盈利。 ：DRAM降规可能影响高端产品需求，但花旗认为对NAND反而是利好。 ：美光在中国、台湾等地有大量业务，贸易摩擦或供应链中断可能影响运营。
总体总结
主题正文
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- 花旗上调美光FY26/27盈利预测，认为DRAM涨价周期将延续至2027年，HBM需求强劲且供给受限，DRAM现货价已高于合约价21%，预示合约价将继续上行。
- 长期协议(LTA)成为投资者关注焦点，戴尔已签约。
- 花旗将2026年DRAM ASP涨幅预测从+28%大幅上调至+200%，NAND ASP涨幅预测从+3%上调至+186%，并认为涨价将持续到2027年。
- ：花旗预计2026年全球DRAM供给将出现5%的缺口，且上行周期将持续到2027年，HBM（高带宽内存）价格将继续上涨。
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- 投资者关注焦点
- ：戴尔已率先与美光签署LTA，此类协议可锁定多年收入和利润，是公司未来盈利可持续性的关键催化剂。
- ：花旗预计FY2026毛利率高达76.9%，FY2027进一步升至82.9%（2025年仅39.8%），利润弹性极大。
- 该倍数低于过去3年周期峰值17倍，反映了高毛利率和部分DRAM降规风险，但已显著高于历史周期中位数。