- 我们参加了PCIM 2026功率电子展会，调研后认为需求正在改善，价格趋稳但由通胀驱动。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是核心主题，尤其看好800V架构带
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- 我们参加了PCIM 2026功率电子展会，调研后认为需求正在改善，价格趋稳但由通胀驱动。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是核心主题，尤其看好800V架构带来的需求。AI数据中心将成为2027-2028年功率半导体的主要增长驱动力。对中国市场看法更为积极，但本土厂商定价仍低于西方同业。
瑞银(UBS)在参加PCIM 2026功率电子展会后发布此报告，核心观点指向行业正经历一个温和的复苏周期。尽管半导体整体利用率仍低于80%，远未达到疫情期间的紧张状态，但需求端的改善信号已经非常明确。我们认为，市场的焦点正在从短期的周期性波动转向中长期的结构性增长机会，尤其是在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域。 报告最核心的结论是：，这与我们一直强调的AI基础设施投资逻辑完全一致。同时，对中国市场的看法从悲观转向谨慎乐观，承认了本土企业在定价策略上的理性回归。
报告围绕六个关键结论展开，我们可以将其归纳为三个核心维度：
- 基本面：需求回暖，但定价权有限 ： ：需求展现韧性，去库存周期基本结束，这是一个积极信号。 ：整体呈现复苏迹象。 ：对中国市场2026上半年的需求持谨慎态度，表现出明显分化。 ： 价格上行主要来自通胀传导，而非供需紧张。这意味着多数公司缺乏主动提价的能力，利润率修复将是一个缓慢的过程。只有AI相关应用领域因供应受限，议价能力相对较强。
- 技术趋势：SiC和GaN的“接力赛”
：全球SiC市场仍供过于求，主要由中国企业产能扩张和获取市场份额导致。 ：800V高压架构的普及是消化过剩产能的核心驱动力。UBS明确指出，，这将有效吸收中国厂商带来的供给压力。这是我们看到的清晰的结构性机会。
报告认为GaN的需求将在2027下半年随着800V架构的采用而显著增长，并在2028年加速。其优势在于更高的功率密度，但时间点仍存不确定性。
作为潜在的增长驱动因素，SST技术预计最早在2027年部署，但到2029年之前商业化影响有限，受限于技术成熟度和监管障碍。 3. 区域竞争：中国的“价格战”边际缓和 与一年前相比，对中国市场的看法趋于积极。国内企业定价行为更为理性，并追随西方同业提价。 ：本地化趋势强劲，但中国产价格仍比西方产品低10-20%。海外客户对中国芯片的采购意愿依然有限。这表明中国企业仍以服务国内市场为主，对全球定价体系构成中长期压力，但短期压力有所减轻。
报告中并未对整体行业给出系统性估值，而是给出了部分覆盖公司的具体评级，这些评级是基于上述行业大趋势得出的。核心逻辑是“ALL about AI”，即AI数据中心将成为未来2-3年最重要的增长驱动力。 ： ：作为全球功率半导体龙头，尤其在SiC领域布局深厚，将受益于800V架构和AI数据中心带来的需求。 、、、：UBS对多家中国功率半导体公司给出“买入”评级，反映了其对中国市场定价趋于理性以及国产替代进程加速的判断。 ： 、、：尽管行业趋势向好，但这些公司可能面临竞争加剧或估值等压力，短期上行空间有限，因此评级为“中性”。
：报告中对需求的判断基于“改善”而非“强劲”。若全球经济下行或中国电动车需求持续疲软，行业复苏可能中断。 ：这是最大的上行风险，也是最大的下行风险。若AI资本开支放缓或800V技术渗透率低于预期，SiC和GaN的增长故事将大打折扣。 ：尽管定价行为趋于理性，但中国厂商的产能扩张并未停止。若内卷加剧，可能导致全球SiC价格再次崩盘，侵蚀所有玩家的利润。 ：全球地缘政治紧张局势可能限制技术交流与市场准入，尤其是对中国半导体公司的限制，会影响其海外扩张进程。 ：GaN和SiC之间，以及与其他新材料（如SST）之间存在竞争。技术演进路线的不确定性可能导致押注单一技术的公司面临风险。
总体总结
主题正文
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- 我们参加了PCIM 2026功率电子展会，调研后认为需求正在改善，价格趋稳但由通胀驱动。
- 瑞银(UBS)在参加PCIM 2026功率电子展会后发布此报告，核心观点指向行业正经历一个温和的复苏周期。
- 尽管半导体整体利用率仍低于80%，远未达到疫情期间的紧张状态，但需求端的改善信号已经非常明确。
- 我们认为，市场的焦点正在从短期的周期性波动转向中长期的结构性增长机会，尤其是在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域。
- 报告最核心的结论是：，这与我们一直强调的AI基础设施投资逻辑完全一致。
- 作为潜在的增长驱动因素，SST技术预计最早在2027年部署，但到2029年之前商业化影响有限，受限于技术成熟度和监管障碍。
- 核心逻辑是“ALL about AI”，即AI数据中心将成为未来2-3年最重要的增长驱动力。
- 若内卷加剧，可能导致全球SiC价格再次崩盘，侵蚀所有玩家的利润。