🔍 NAND 制造商正竞相迈向 400 层时代，三星的 W2W 和铠侠（Kioxia）的 CBA 等键合技术成为焦点，而据报道，SK 海力士（SK hynix）
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🔍 NAND 制造商正竞相迈向 400 层时代，三星的 W2W 和铠侠（Kioxia）的 CBA 等键合技术成为焦点，而据报道，SK 海力士（SK hynix）正押注钼来进一步推动微缩扩展。 📋 各厂商在 400 层 NAND 赛道上的关键信息如下： 三星：当前量产节点为 286 层，下一代目标为 400 层（V10 NAND，大概率为 430 层），路线图显示 2026 年下半年实现大规模量产；核心技术包括低温深沟槽刻蚀技术（实现通道孔刻蚀）、W2W 键合技术（将阵列 / 外围晶圆键合以提升性能）、激光切割技术（减少颗粒、提升良率）。 SK 海力士：当前量产节点为 321 层，下一代目标为 375 层（略低于 400 层的修订版），路线图显示 2026 年底实现大规模量产；核心技术为钼替换钨（在字线中用钼替代钨以降低电阻）。 铠侠（Kioxia）：当前量产节点为 218 层，下一代目标为 332 层（BiCS10），路线图显示 2026 年夏季出样，2026 财年（最晚 2027 年 3 月前）实现大规模量产；核心技术包括 CBA 架构（键合分离晶圆以提升 20%-30% 的速度）、电压优化技术（降低字线延迟，将读取功耗降低 29%）。
总体总结
主题正文
- 🔍 NAND 制造商正竞相迈向 400 层时代，三星的 W2W 和铠侠（Kioxia）的 CBA 等键合技术成为焦点，而据报道，SK 海力士（SK hynix）正押注钼来进一步推动微缩扩展。
- 📋 各厂商在 400 层 NAND 赛道上的关键信息如下：
- 三星：当前量产节点为 286 层，下一代目标为 400 层（V10 NAND，大概率为 430 层），路线图显示 2026 年下半年实现大规模量产；
- 核心技术包括低温深沟槽刻蚀技术（实现通道孔刻蚀）、W2W 键合技术（将阵列 / 外围晶圆键合以提升性能）、激光切割技术（减少颗粒、提升良率）。
- SK 海力士：当前量产节点为 321 层，下一代目标为 375 层（略低于 400 层的修订版），路线图显示 2026 年底实现大规模量产；
- 核心技术为钼替换钨（在字线中用钼替代钨以降低电阻）。
- 铠侠（Kioxia）：当前量产节点为 218 层，下一代目标为 332 层（BiCS10），路线图显示 2026 年夏季出样，2026 财年（最晚 2027 年 3 月前）实现大规模量产；
- 核心技术包括 CBA 架构（键合分离晶圆以提升 20%-30% 的速度）、电压优化技术（降低字线延迟，将读取功耗降低 29%）。