玫瑰Marvell 在Computex最近演讲要点： 太阳机架内（米级）：1.6T 带宽下铜缆极限仅 1.5 米，机架内全面光互联电芯片是光模块中价值占比第二大

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玫瑰Marvell 在Computex最近演讲要点： 太阳机架内（米级）：1.6T 带宽下铜缆极限仅 1.5 米，机架内全面光互联电芯片是光模块中价值占比第二大的环节！ 电芯片包括DSP、TIA、Driver，整体价值占比20-25%，仅次于光芯片。在光芯片中功能重要，除DSP外，TIA+Driver会持续存在于光模块中。 电芯片从利基市场起始，25年规模快速扩大，已有玩家先享受红利2024年-2025年，高速率光通信电芯片市场规模从20亿美金增长到40亿美金，几乎翻倍。 未来三年，市场规模预计再增长50%以上。锗硅产能供给偏紧。硅光PD芯片与电芯片均需锗硅工艺，产线架构兼容。 但硅光PD产线必须将锗外延作为核心工艺模块，且锗对纯硅CMOS产线是"剧毒"污染源，需要物理隔离或专用机台，多数代工厂不愿在同一洁净室混合跑硅光PD和纯电芯片。 硅光需求快速增加，一定程度上挤压了电芯片产能。

总体总结

主题正文 要点： 太阳机架内（米级）：1.6T 带宽下铜缆极限仅 1.5 米，机架内全面光互联电芯片是光模块中价值占比第二大的环节！ 电芯片包括DSP、TIA、Driver，整体价值占比20-25%，仅次于光芯片。在光芯片中功能重要，除DSP外，TIA+Driver会持续存在于光模块中。 电芯片从利基市场起始，25年规模快速扩大，已有玩家先享受红利2024年-2025年，高速率光通信电芯片市场规模从20亿美金增长到40亿美金，几乎翻倍。 未来三年，市场规模预计再增长50%以上。锗硅产能供给偏紧。硅光PD芯片与电芯片均需锗硅工艺，产线架构兼容。 但硅光PD产线必须将锗外延作为核心工艺模块，且锗对纯硅CMOS产线是"剧毒"污染源，需要物理隔离或专用机台，多数代工厂不愿在同一洁净室混合跑硅光PD和纯电芯片。 硅光需求快速增加，一定程度上挤压了电芯片产能。