🔬半导体激光退火应用加速普及…… 向 SiC 与 400 层以上 NAND 推进 🏭半导体制造中的热处理工序之一 —— 退火，其需求正在扩大。该工艺传统上主要用
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🔬半导体激光退火应用加速普及…… 向 SiC 与 400 层以上 NAND 推进 🏭半导体制造中的热处理工序之一 —— 退火，其需求正在扩大。该工艺传统上主要用于硅晶圆，如今正扩展至被视为下一代功率半导体材料的碳化硅。此外，在 400 层或更多层 NAND 等下一代存储器以及先进系统中，退火也有望得到更广泛应用。 📢据业内人士 3 日透露，SiC 晶圆市场龙头 Wolfspeed 近期已着手导入激光退火设备，据悉正与一家韩国激光退火设备合作伙伴洽谈采购订单。预计初期将从小批量开始，随后逐步增加应用数量。 💬一位业内人士表示：“此前退火在 SiC 晶圆工艺中应用极少，如今已正式启动全面导入与采用。” 并补充称，“SiC 晶圆尺寸向 8 英寸及以上过渡，对退火设备的使用也是利好因素。” ⚙️半导体退火用于对晶圆施加设定温度，以修复晶格损伤并激活注入的掺杂剂，从而实现所需材料的电学特性。通常被归类为离子注入之后的工序。 🔍退火在主流硅晶圆制程上已广泛采用，但在 SiC 中的应用一直有限。这是因为 SiC 需要更高温度（超过 1600 度），但在 SiC 中的应用一直有限。晶圆表面的界面损伤及缺陷形成，也是导致退火难以应用的原因。 ✨近期，利用激光在极窄的特定区域或极短时间内进行退火，降低了热负荷，提高了在 SiC 上应用的可行性。除 Wolfspeed 外，正筹备 SiC 代工业务、目标 2028 年产量的三星电子据悉也在评估导入激光退火。 📈随着功率半导体需求扩大，SiC 备受关注，退火工艺预计也将随之普及。SiC 是一种化合物半导体材料，相比硅具有更优的耐热与耐久特性，作为下一代功率半导体备受瞩目。 💾退火在下一代存储器及先进系统 NAND 性能领域也有望增加。400 层以上 NAND 会蚀刻垂直堆叠存储单元之间的信号通路 “通道孔”，层数越高，通道孔越深，确保电学特性与结构稳定性的难度也随之加大。 🔧退火作为一种通过使通道孔区域结晶来解决这些问题的方法，正受到关注。据悉，部分 NAND 制造商实际上正在推进退火技术，以实现 400 层以上 NAND 所需的局部结晶化。 💬另一位业内人士表示：“业内持续尝试将局部退火应用于 2 纳米及以下的先进系统半导体制造工艺。” 并补充称，“退火工艺的普及将有助于激光解决方案市场的增长。”
总体总结
主题正文
- 此外，在 400 层或更多层 NAND 等下一代存储器以及先进系统中，退火也有望得到更广泛应用。
- 📢据业内人士 3 日透露，SiC 晶圆市场龙头 Wolfspeed 近期已着手导入激光退火设备，据悉正与一家韩国激光退火设备合作伙伴洽谈采购订单。
- 除 Wolfspeed 外，正筹备 SiC 代工业务、目标 2028 年产量的三星电子据悉也在评估导入激光退火。
- 📈随着功率半导体需求扩大，SiC 备受关注，退火工艺预计也将随之普及。
- 400 层以上 NAND 会蚀刻垂直堆叠存储单元之间的信号通路 “通道孔”，层数越高，通道孔越深，确保电学特性与结构稳定性的难度也随之加大。
- 🔧退火作为一种通过使通道孔区域结晶来解决这些问题的方法，正受到关注。
- 据悉，部分 NAND 制造商实际上正在推进退火技术，以实现 400 层以上 NAND 所需的局部结晶化。
- 💬另一位业内人士表示：“业内持续尝试将局部退火应用于 2 纳米及以下的先进系统半导体制造工艺。