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- 报告维持对存储器行业多年上涨周期的看多立场，认为AI生态系统中存储器价值份额持续提升。NVDA Computex演讲强调Vera CPU和Agentic AI对内存的强劲需求，SK集团计划将DRAM产能翻倍以应对短缺，韩国厂商展示下一代HBM散热技术（HPB和iHBM），Kioxia上调NAND TAM预期并强调eSSD高增长。整体印象积极，行业供需紧平衡将持续至2028年。
摩根大通在2026年6月2日发布的存储器市场更新报告中，对全球存储器行业维持立场。核心判断包括： AI生态系统正在推动存储器（尤其是HBM和eSSD）的价值份额持续增长，行业处于。 NVDA Computex演讲确认了Vera CPU、AI PC和Agentic AI对内存的强劲拉动，长期移动/PC内存需求存在上行风险。 SK集团（SKH）宣布五年内DRAM产能翻倍，但并非供给过剩信号，而是应对长期短缺的健康去瓶颈过程。 三星电子（SEC）和SK海力士（SKH）推出下一代HBM散热技术（HPB和iHBM），有望缓解高性能AI芯片的散热瓶颈。 Kioxia上调NAND TAM预测，eSSD成为核心增长引擎（2025-2028年CAGR达46%），且与客户的多年度LTA协议推进顺利。
- NVDA Computex对存储器行业的启示 ：采用PCIe 6和LPDDR5X内存（带宽1.2TB/s），预计2026/2027年出货600万/300万颗，SOCAMM内存TAM在2026/2027年可达约300亿/800亿Gb，显著拉动内存需求。 ：Vera Rubin机架将在2026年下半年与HBM4同时进入量产，但Rubin出货可能受HBM4供应制约。 ：N1X机型配备128GB LPDDR5X，远高于当前PC平均12-16GB，Agentic AI推动token消耗量预计2026-2030年增长40倍，边缘AI设备加速普及将成为移动/PC内存需求的额外催化剂。
- SK集团产能扩张计划解读 SK集团主席Chey Tae-won宣布将SK海力士的DRAM WSPM（晶圆开工片数）在五年内翻倍。截至2025年底为53万片/月，摩根大通预计2028/2029年底达到74.5万/86.5万片/月，2030年底将超过100万片/月（利用龙仁集群和M15X产线）。 历史经验显示，产能扩张言论曾引发市场负面反应，但本次不同：摩根大通判断短缺趋势将持续至2028年，扩产是“健康的短缺去瓶颈”，而非供给过剩。关键约束包括EUV设备（2028-2030年需超50台）和基础设施完工时间（2030年12月）。
- 下一代HBM散热技术 ：在芯片间插入硅制导热块，有效分布和传导热量。投资者关注点：HPB是否迫使DRAM核心die缩小？2nm GAA工艺兼容性将是关键。 ：在die-to-die物理层直接放置硅制集成冷却元件，散热效率提升30%，计划在HBM5中大规模采用。 随AI算力需求提升，散热问题日益突出，这些技术将缓解热瓶颈，推动HBM向更高性能演进。
- Kioxia投资者日要点 上调2028年NAND TAM至1,807EB（此前约20% CAGR上调至22%），供需紧张至少持续到2027年。 eSSD细分领域：2028年TAM将达900EB（vs 2025年295EB），其中推理级eSSD增长最快（CAGR 86%），公司将利用BiCS/CBA技术提供SLC/TLC/QLC多层次方案。 资本支出纪律：优先利用现有Yokkaichi 7厂和北上2厂空间，再启动北上新厂。 与客户的多年度LTA覆盖近半业务，部分已延伸至2029年后。股东回报方面，可能从2026财年下半年开始渐进式分红。
报告维持对亚洲存储器板块的积极评级，明确看多的核心推荐个股为三星电子（SEC）和SK海力士（SKH），均为摩根大通的**“增持”（OW）**评级。报告未给出具体目标价，但基于短缺持续和AI需求的结构性增长，认为当前估值具有吸引力。对Kioxia（未上市）的投资者日反馈正面，但无直接评级。
：若AI资本支出放缓或全球宏观经济衰退，存储器需求可能低于预期。 ：如果SK海力士等厂商的实际扩产速度超过需求增长，可能导致价格下跌周期提前。 ：HBM4/5以及散热技术（HPB/iHBM）的量产进度和良率若不及预期，将影响上游供应。 ：美国对华出口管制可能影响中国产能（SKH中国工厂占比约34%），以及韩国厂商的全球布局。 ：NAND领域Kioxia/WDC合并存在不确定性，可能改变行业竞争态势。 ：Kioxia的渐进式分红计划取决于FCF持续生成，若利润不及预期，分红可能推迟或缩减。
总体总结
主题正文
- NVDA Computex演讲强调Vera CPU和Agentic AI对内存的强劲需求，SK集团计划将DRAM产能翻倍以应对短缺，韩国厂商展示下一代HBM散热技术（HPB和iHBM），Kioxia上调NAND TAM预期并强调eSSD高增长。
- Kioxia上调NAND TAM预测，eSSD成为核心增长引擎（2025-2028年CAGR达46%），且与客户的多年度LTA协议推进顺利。
- ：采用PCIe 6和LPDDR5X内存（带宽1.2TB/s），预计2026/2027年出货600万/300万颗，SOCAMM内存TAM在2026/2027年可达约300亿/800亿Gb，显著拉动内存需求。
- ：N1X机型配备128GB LPDDR5X，远高于当前PC平均12-16GB，Agentic AI推动token消耗量预计2026-2030年增长40倍，边缘AI设备加速普及将成为移动/PC内存需求的额外催化剂。
- 截至2025年底为53万片/月，摩根大通预计2028/2029年底达到74.5万/86.5万片/月，2030年底将超过100万片/月（利用龙仁集群和M15X产线）。
- 投资者关注点：HPB是否迫使DRAM核心die缩小？
- eSSD细分领域：2028年TAM将达900EB（vs 2025年295EB），其中推理级eSSD增长最快（CAGR 86%），公司将利用BiCS/CBA技术提供SLC/TLC/QLC多层次方案。
- 报告维持对亚洲存储器板块的积极评级，明确看多的核心推荐个股为三星电子（SEC）和SK海力士（SKH），均为摩根大通的**“增持”（OW）**评级。