📈Intel 的 EMIB 封装正在快速增长 —— 硅电容器也在起飞。 💡硅电容器有望在 AI 半导体领域迎来爆发式增长。据悉，Intel 计划从明年开始大规模
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📈Intel 的 EMIB 封装正在快速增长 —— 硅电容器也在起飞。 💡硅电容器有望在 AI 半导体领域迎来爆发式增长。据悉，Intel 计划从明年开始大规模采用硅电容器，以提升其内部 2.5D 封装技术 “EMIB” 的性能。 📊最明显的需求来源是 Google。Google 计划在明年下半年推出其下一代 AI 加速器 “v8e”，并为该芯片采用了内嵌硅电容器的 EMIB 基板。随着亚马逊等其他大型科技公司目前也在应用 EMIB，分析师表示需求可能会急剧增加。 📅据 27 日行业消息，Intel 计划从明年开始将硅电容器应用于其 2.5D 封装。 💬Intel 为 2.5D 封装采用 “硅电容器”……Google AI 芯片率先应用。 🔧2.5D 是一种在半导体与基板之间插入薄膜中介层的先进封装技术。与仅使用基板的传统封装相比，它能以更高密度连接电路，因此在 AI 和 HPC 领域的需求不断上升。 💡为了提高 2.5D 封装的成本效率，Intel 设计了自有技术 EMIB。EMIB 不需要大面积铺开的放置中介层，而是通过小型硅桥连接芯片。由于只需在需要芯片间连接的位置放置桥接，芯片可以更灵活、更高效地排布。 📈近期，EMIB 作为台积电的替代方案备受关注，台积电此前一直主导现有的 2.5D 封装市场。这是因为在 AI 产业快速发展的背景下，台积电的先进封装产能正面临供应短缺。 ✅事实上，全球大型科技公司 Google 也在关注 EMIB。Google 已决定为其计划在明年下半年推出的内部 AI 半导体 “v8e” 采用 EMIB。在此架构下，台积电负责芯片量产，联发科负责设计与制造支持，Intel 负责封装。 ⚠️然而，一直有人担心 EMIB 在为功耗巨大的 AI 半导体提供稳定供电方面逐渐显现局限性。因此，Intel 计划引入硅电容器和硅通孔等新技术，以确保 v8e 的封装稳定性。 🔋电容器是在电子电路中储存和释放电能的元件。就硅电容器而言，其电容是多层陶瓷电容器的 100 倍以上，能最大限度地减少高性能半导体中出现的信号损耗。它们还可以基于硅晶圆设计成超薄结构，实现高密度集成。 💬一位半导体行业官员解释称：“由于 AI 芯片内部高频区域出现的电压下降很难用 MLCC 解释，我们了解到 Intel 内部正在采用硅电容器作为解决方案。” 该官员补充道：“相关供应链现已到位，量产将于明年正式开始。” 📈EMIB-T 已步入增长轨道 —— 相关生态系统和市场同步扩张。 🔧Intel 还在硅桥中插入了用作供电通道的 TSV。关键在于，通过使用 TSV 缩短基板与芯片之间的供电路径，Intel 提高了电源效率和信号完整性。Intel 将此称为 “EMIB-T”。 📈业界预计 EMIB-T 和硅电容器市场将快速增长。 📉然而，该公司推迟了该计划，并在今年首先决定正式将川岛工厂转为 EMIB-T 基板量产线。投资额为 2200 亿日元。 💬并补充道：“EMIB-T 基板产能目前远不能满足需求。然而，增加更多产能相当困难，因此我们正在与客户讨论各种方案。” 💬该官员补充道：“这表明基于 EMIB-T 的 AI 半导体未来将大幅增长，而硅电容器很可能随之扩张。”
总体总结
主题正文
- 📈Intel 的 EMIB 封装正在快速增长 —— 硅电容器也在起飞。
- 据悉，Intel 计划从明年开始大规模采用硅电容器，以提升其内部 2.5D 封装技术 “EMIB” 的性能。
- Google 计划在明年下半年推出其下一代 AI 加速器 “v8e”，并为该芯片采用了内嵌硅电容器的 EMIB 基板。
- 📈近期，EMIB 作为台积电的替代方案备受关注，台积电此前一直主导现有的 2.5D 封装市场。
- 就硅电容器而言，其电容是多层陶瓷电容器的 100 倍以上，能最大限度地减少高性能半导体中出现的信号损耗。
- 💬一位半导体行业官员解释称：“由于 AI 芯片内部高频区域出现的电压下降很难用 MLCC 解释，我们了解到 Intel 内部正在采用硅电容器作为解决方案。
- 📈业界预计 EMIB-T 和硅电容器市场将快速增长。
- 💬该官员补充道：“这表明基于 EMIB-T 的 AI 半导体未来将大幅增长，而硅电容器很可能随之扩张。