🌀【天风电新】VPD电源专家交流要点-0525 ——————————— 🌼 VPD垂直供电技术驱动因素： 1、技术核心目标是缩短电源输出端到GPU负载的供电距离

图片

无图片

🌀【天风电新】VPD电源专家交流要点-0525 ——————————— 🌼 VPD垂直供电技术驱动因素： 1、技术核心目标是缩短电源输出端到GPU负载的供电距离，降低PCB阻抗带来的损耗。

2、另一核心驱动是功率密度提升需求：GPU周边平铺空间不足以放置全部电源芯片、电感、电容，催生了更高集成度的VPD模块，可放置在GPU正下方。

🌼海外核心玩家格局： 1、整体市场份额：x86+GPU市场中英飞凌份额最高；仅GPU市场中MPS份额领先，瑞萨排第三，TI、ADI、安森美后续跟进。

2、玩家分为两大类，各有优劣势： 1）芯片厂商类（英飞凌、MPS、瑞萨等）：掌握DrMOS核心器件，对DrMOS特性、控制器适配能力更强；劣势是模块集成、散热、焊接、翘曲控制、可靠性验证等模块制造know-how积累少于传统模块厂商。

2）传统模块厂商类（台达等）：在模块集成后的散热、焊接、翘曲控制、可靠性验证等环节经验丰富；劣势是无法第一时间拿到最新的DrMOS器件

3、英伟达目前以分立器件方案为主，尚未采用模块化VPD；AMD、谷歌、AWS、特斯拉Dojo、Cerebras等采用模块式供电方案。

🌼电源模块技术路线与价值量变化： 1、3000瓦是技术路线重要临界点：GPU功率达到3000瓦及以上时，板上空间不足以放置分立器件，必须采用模块化方案。

2、分立转模块的价值量变化：模块方案价值量约为分立方案的3倍，以AWS的GPU为例，24个模块售价达240美金，而对应拆解的DrMOS芯片价值仅不到90美金，模块中定制化电感、PCB等附加材料带来了额外价值。

🌼 MLCC陶瓷电容： 1、该环节不同厂商差距不大，电容主要向三星、村田等厂商采购。

2、MLCC技术演进方向：1）容值提升：相同封装的电容容值不断提高，如1206封装容值上限从220微法提升至470微法。2）耐温提升：GPU功率提升后，模块工作环境温度升高，需要从X6系列电容向耐温更高的X7系列升级。

🌼 硅电容： 1、技术定位：和MLCC并行发展，主要面向芯片级、芯粒级应用，可放置在芯片die附近或嵌入基板，匹配更高功率GPU的需求。

2、技术优势：采用CMOS工艺蚀刻制造，厚度薄、体积小，无压电效应，容值不会随温度、电压变化，稳定性强、寿命长、耐温高、寄生阻抗小，可减少纹波电压，减少所需电容数量，适配IVR集成DrMOS技术路线，是3000瓦以上更高功率GPU的未来配套技术，预计3-5年后逐步规模化应用。

3、产业进展：三星已经拿到10亿美金的硅电容订单，配套谷歌GPU或Marvell项目。

主题正文

1、技术核心目标是缩短电源输出端到GPU负载的供电距离，降低PCB阻抗带来的损耗。
2、另一核心驱动是功率密度提升需求：GPU周边平铺空间不足以放置全部电源芯片、电感、电容，催生了更高集成度的VPD模块，可放置在GPU正下方。
1）芯片厂商类（英飞凌、MPS、瑞萨等）：掌握DrMOS核心器件，对DrMOS特性、控制器适配能力更强；
2、分立转模块的价值量变化：模块方案价值量约为分立方案的3倍，以AWS的GPU为例，24个模块售价达240美金，而对应拆解的DrMOS芯片价值仅不到90美金，模块中定制化电感、PCB等附加材料带来了额外价值。
2、MLCC技术演进方向：1）容值提升：相同封装的电容容值不断提高，如1206封装容值上限从220微法提升至470微法。
1、技术定位：和MLCC并行发展，主要面向芯片级、芯粒级应用，可放置在芯片die附近或嵌入基板，匹配更高功率GPU的需求。
2、技术优势：采用CMOS工艺蚀刻制造，厚度薄、体积小，无压电效应，容值不会随温度、电压变化，稳定性强、寿命长、耐温高、寄生阻抗小，可减少纹波电压，减少所需电容数量，适配IVR集成DrMOS技术路线，是3000瓦以上更高功率GPU的未来配套技术，预计3-5年后逐步规模化应用。
3、产业进展：三星已经拿到10亿美金的硅电容订单，配套谷歌GPU或Marvell项目。