📰 🏢三星电子成为全球首家成功实现 900 层级 V-NAND 技术原型的公司，向 “1000 层 NAND” 时代迈出又一步。 ⚙️在与竞争对手层数竞争日益激
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🏢三星电子成为全球首家成功实现 900 层级 V-NAND 技术原型的公司，向 “1000 层 NAND” 时代迈出又一步。 ⚙️在与竞争对手层数竞争日益激烈之际，这一成就被视为三星一跃获得决定性技术领先。 📊据半导体行业 25 日消息，三星电子最近利用 “单元多重键合（CMB）” 技术，将两个 450 层单元晶圆连接成一个，实现了集成化的 900 层级 V-NAND 系统。 💾存储数据的 NAND 闪存是 AI 服务器、智能手机和数据中心存储（固态硬盘）的核心组件。 🏙️就像在公寓大楼中堆叠楼层一样，层数越高，就能在有限的芯片面积内容纳更多容量，从而存储更多数据，同时最大化功率效率。 🔌它被视为赢得 AI 服务器和设备端 AI 市场主导地位的关键技术，这些市场需要高容量、高效率的组件。 🏭在当前量产市场中，SK 海力士以其 321 层 4D NAND 保持最高层数。 📈然而，三星电子 —— 在今年准备量产第 10 代 V-NAND（V10，400 + 层）的同时 —— 在研发阶段一跃达到 900 层，在下一代 NAND 市场中占据有利位置。 ✅关于这些研发成果，三星表示 “验证了正常单元操作特性”，强调这超越了单纯的理论堆叠，展示了实际可运作的能力水平。 ⏳自 2013 年全球首次商业化 3D V-NAND 以来，三星持续演进其工艺以克服堆叠极限。 🔧过去，它采用 “单次堆叠” 方法，即一次性钻孔并堆叠细孔，但随着层数增加，遇到了晶圆翘曲和对准误差等物理限制。 🖥️在实现 900 层器件时，三星通过采用先进的上卡盘设计，解决了晶圆翘曲这一最大障碍。 🔍键合过程中发生的错位误差，则通过其专有的 “新型叠加校正” 技术得以克服。 ⚡新引入的位线和字线结构也带来了显著收益，同时降低了功耗和芯片尺寸。 🌍在全球范围内，以长江存储为代表的中国公司正在 300 层级 NAND 量产门槛上追赶韩国公司。 🇨🇳在政府支持和设备本地化下，它同时追求产能扩张和技术进步。 💹如果长江存储在年内成功量产 300 层以上产品，价格竞争可能加剧，并对韩国公司的盈利能力造成压力。 🛡️因此，三星的 900 层成就被高度评价为一种战略举措，以在中长期建立技术壁垒。 👤一位业内人士表示，“900 层 NAND 技术不仅仅是 300 层的三倍 —— 它改变了堆叠工艺的范式”，并补充道，“这向全球客户传达了三星仍是技术领导者的信息，并将限制中国公司的产量和价格攻势。”
总体总结
主题正文
- 🏢三星电子成为全球首家成功实现 900 层级 V-NAND 技术原型的公司，向 “1000 层 NAND” 时代迈出又一步。
- 📊据半导体行业 25 日消息，三星电子最近利用 “单元多重键合（CMB）” 技术，将两个 450 层单元晶圆连接成一个，实现了集成化的 900 层级 V-NAND 系统。
- 💾存储数据的 NAND 闪存是 AI 服务器、智能手机和数据中心存储（固态硬盘）的核心组件。
- 📈然而，三星电子 —— 在今年准备量产第 10 代 V-NAND（V10，400 + 层）的同时 —— 在研发阶段一跃达到 900 层，在下一代 NAND 市场中占据有利位置。
- ⏳自 2013 年全球首次商业化 3D V-NAND 以来，三星持续演进其工艺以克服堆叠极限。
- 🌍在全球范围内，以长江存储为代表的中国公司正在 300 层级 NAND 量产门槛上追赶韩国公司。
- 💹如果长江存储在年内成功量产 300 层以上产品，价格竞争可能加剧，并对韩国公司的盈利能力造成压力。
- 👤一位业内人士表示，“900 层 NAND 技术不仅仅是 300 层的三倍 —— 它改变了堆叠工艺的范式”，并补充道，“这向全球客户传达了三星仍是技术领导者的信息，并将限制中国公司的产量和价格攻势。