🧠 🏭 美光与 DRAM 供给：存储短缺是“结构性”而非普通周期挤压；HBM 吸收更多晶圆产能，挤压 DDR4、DDR5、车规 DRAM、手机和网络设备供应
- 序号：016
- 星球链接：打开网页
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：无音频
图片
无图片
正文
🧠 🏭 美光与 DRAM 供给：存储短缺是“结构性”而非普通周期挤压；HBM 吸收更多晶圆产能，挤压 DDR4、DDR5、车规 DRAM、手机和网络设备供应。新增有效供给即便考虑爱达荷、弗吉尼亚和纽约投资，也要到 2028 年前后，短缺可能贯穿 。 📈 韩国存储出口：截至 5 月 20 日工作日均值，韩国存储半导体出口同比增长 至 ；DRAM 同比增长 至 ，NAND 同比增长 至 ，MCP 和 SSD 分别增长 、。2Q26 存储价格涨幅可能高于一致预期。 📊 三星电子与 SK 海力士：三星一周上涨 ，SK 海力士上涨 ，均跑赢 KOSPI 的 ；过去 1 个月三星涨 ，仍落后主要存储同业。边际矛盾在于三星劳资奖金谈判与罢工风险压制修复弹性，但存储价格和出口数据继续验证景气。 📦 DRAM ETF：自 4 月 2 日推出后，27 个交易日资产达 ，30 个交易日突破 ，涨幅 ，DYXZ0524跻身美国 ETF 年内资金流入前 10、成交量前 20。 ⏳ 南亚科技预计稀缺延续到 2027，SK 海力士暗示可能延续到本 10 年末。 🧪 美光 HBM4E：预计 CY27 上量，先推出 JEDEC 标准版，后续推出定制版；该代是其首个基于 1-gamma 的 HBM，且基础芯片转向台积电制造。 👔 存储社会景气软指标：三星电子、SK 海力士员工在韩国婚恋市场被上调至“律师级别”，反映韩国半导体景气、薪酬预期和职业吸引力外溢到人才市场。
总体总结
主题正文
- 新增有效供给即便考虑爱达荷、弗吉尼亚和纽约投资，也要到 2028 年前后，短缺可能贯穿 。
- 📈 韩国存储出口：截至 5 月 20 日工作日均值，韩国存储半导体出口同比增长 至 ；
- DRAM 同比增长 至 ，NAND 同比增长 至 ，MCP 和 SSD 分别增长 、。
- 边际矛盾在于三星劳资奖金谈判与罢工风险压制修复弹性，但存储价格和出口数据继续验证景气。
- 📦 DRAM ETF：自 4 月 2 日推出后，27 个交易日资产达 ，30 个交易日突破 ，涨幅 ，DYXZ0524跻身美国 ETF 年内资金流入前 10、成交量前 20。
- ⏳ 南亚科技预计稀缺延续到 2027，SK 海力士暗示可能延续到本 10 年末。
- 🧪 美光 HBM4E：预计 CY27 上量，先推出 JEDEC 标准版，后续推出定制版；
- 👔 存储社会景气软指标：三星电子、SK 海力士员工在韩国婚恋市场被上调至“律师级别”，反映韩国半导体景气、薪酬预期和职业吸引力外溢到人才市场。