- 1. NAND闪存涨价超预期，Kioxia等公司业绩指引强劲，NAND ASP面临上调风险。2. 三星电子潜在罢工事件将影响全球内存芯片供应，有望推高DRA

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• 1. NAND闪存涨价超预期，Kioxia等公司业绩指引强劲，NAND ASP面临上调风险。2. 三星电子潜在罢工事件将影响全球内存芯片供应，有望推高DRAM和NAND的合约价格。3. Hanmi Semi一季度TCB销售不及预期，但与SK海力士订单疲软有关，预计二季度及下半年将复苏。

美银证券（BofA）在2026年5月16日发布的全球内存科技周报中，围绕三个核心主题展开分析，结论偏向积极： ：BofA对全球NAND平均售价（ASP）的预测存在显著的上行风险。Kioxia远超预期的业绩指引，以及群联电子（Phison）的“超级周期”业绩，都预示着NAND价格涨势比市场普遍预测的更强劲。 ：全球最大的存储芯片供应商三星电子面临潜在的罢工威胁。即使罢工时间不长，也可能扰乱供应链，促使下游厂商提前备货，并推高现货和合约市场的存储芯片价格。 ：热压键合（TCB）设备供应商Hanmi Semi一季度业绩不佳主要归因于核心客户SK海力士订单疲软。但BofA认为这是暂时现象，随着客户和产品线多元化，其业绩将在二季度及下半年快速恢复。

NAND闪存迎来“惊喜” ：Kioxia给出的1Q26 ASP环比增长超过100%，远高于韩国存储芯片厂商（80%+）。其给出的2Q26销售指引（环比增长74.5%），也暗示了NAND ASP将有约70%的环比增长，远超市场预期的50%以下。这表明NAND市场景气度极高。 ：台湾NAND模组厂群联电子（Phison）4月业绩同样表现突出，营收同比增长237%，税前利润率高达45%。这进一步验证了NAND市场的超强表现。 ：BofA承认其之前的全球NAND ASP预测（2Q/3Q/4Q26环比增长+34%/+9%/+3%）存在显著的上行风险，甚至可能超越乐观派的预测。 三星罢工：供给冲击的潜在推手 ：三星电子是DRAM和NAND领域的头号供应商，任何生产中断都将对全球存储芯片供应产生重大影响。尽管设定的罢工时间仅为18天，但晶圆厂完全恢复生产可能需要数月时间。 ：虽然晶圆制造高度自动化，但劳动密集型的后端封装环节可能受到冲击，从而影响芯片出货。 ：OEM和大型科技公司可能会被此事件驱动，在9/10月旺季前提前抢购三星的存储芯片，这将直接推高现货市场价格。BofA观察到，在本周DRAM和NAND现货价格已出现小幅反弹，结束前期的下跌趋势。 韩国存储器企业财报分析 ：1Q26销售额仅510亿韩元，同比下滑65%，远低于预期。核心原因是来自SK海力士的TCB设备订单减少。但其净利润因外汇收益而表现良好。BofA认为，随着公司向2.5D逻辑芯片和HBF（高带宽闪存）等更广泛的应用领域拓展，且客户基础更加多元化（包括海力士、美光、ASE、台积电等），2Q26将迎来复苏，因此维持EPS预测基本不变。 ：这家半导体材料供应商1Q26业绩符合预期，但增长率和利润率低于趋势线，符合当前存储“量弱价强”的周期特征（芯片产量增长缓慢，但价格暴涨）。 ：作为SK海力士的控股公司，其1Q26业绩符合预期，并且因确认了20%的海力士利润，OP和NP创下历史新高。由于BofA已提前将海力士强劲的2026年盈利预期反映在SK Square的预测中，因此本次财报后的EPS调整几乎为零。

BofA重申对板块内主要公司的评级和目标价： ：评级 ，目标价 。估值基于47倍2028年预期市盈率（P/E），理由是其增长潜力将在2028年因韩国新晶圆厂（海力士龙仁厂、三星P5产线）的投产而集中释放。 ：评级 ，目标价 。估值基于8倍2026-27年预期P/E，低于其历史均值（12倍）。BofA认为其领先的HBM技术和超强的盈利预测将推动估值进一步回升。 ：评级 ，目标价 。估值模型基于其所持20% SK海力士股份的市值，并对该部分采取31%的折价（低于历史50%的平均水平），体现了市场对其价值的重估。 ：评级 ，目标价 。估值基于15倍2026-27年预期P/E，与其长期历史平均水平一致。理由是公司营收增长可能受限，因为当前周期主要由价格驱动而非产量扩张。

：存储器行业高度周期化。若AI需求低于预期或全球经济放缓，可能导致“量价齐跌”的硬着陆，对所有公司构成风险。 ：对Hanmi Semi而言，若其在TCB技术上的领先地位被竞争对手（如ASMPT、韩华Semitech）挑战，可能丢失市场份额。 ：虽然可能推高价格，但若罢工时间延长或影响超出预期，可能导致下游供应链断裂，反而损害行业生态。 ：Hanmi Semi和SK Square的业绩高度依赖其大客户（主要是SK海力士）的资本支出和盈利能力，客户一旦削减开支或失去竞争优势，将对其造成重大打击。 ：美国出口管制等政策变化可能影响中国等地区的半导体需求，并对全球产业链造成扰动。 ：主要厂商若过于激进地扩张产能，可能导致供给过剩，提前结束当前的价格上涨周期。

总体总结

主题正文

1. 2. 三星电子潜在罢工事件将影响全球内存芯片供应，有望推高DRAM和NAND的合约价格。
2. 3. Hanmi Semi一季度TCB销售不及预期，但与SK海力士订单疲软有关，预计二季度及下半年将复苏。
3. 美银证券（BofA）在2026年5月16日发布的全球内存科技周报中，围绕三个核心主题展开分析，结论偏向积极：
4. ：台湾NAND模组厂群联电子（Phison）4月业绩同样表现突出，营收同比增长237%，税前利润率高达45%。
5. ：BofA承认其之前的全球NAND ASP预测（2Q/3Q/4Q26环比增长+34%/+9%/+3%）存在显著的上行风险，甚至可能超越乐观派的预测。
6. 核心原因是来自SK海力士的TCB设备订单减少。
7. ：这家半导体材料供应商1Q26业绩符合预期，但增长率和利润率低于趋势线，符合当前存储“量弱价强”的周期特征（芯片产量增长缓慢，但价格暴涨）。
8. 估值基于47倍2028年预期市盈率（P/E），理由是其增长潜力将在2028年因韩国新晶圆厂（海力士龙仁厂、三星P5产线）的投产而集中释放。