【hcdx】金博股份：高纯氮化铝粉体切入AI散热，500吨示范线预计6月底一次性投产 高纯氮化铝是AI算力散热核心关键材料，适配AI芯片高功耗、高热流密度工况。
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【hcdx】金博股份：高纯氮化铝粉体切入AI散热，500吨示范线预计6月底一次性投产
高纯氮化铝是AI算力散热核心关键材料，适配AI芯片高功耗、高热流密度工况。其理论热导率达320W/m·K，商用高纯粉体制成材料可达170-280W/m·K，为氧化铝的5-10倍；体积电阻率10¹⁴~10¹⁶Ω·cm，绝缘性优异，可实现导热与电气隔离兼顾。热膨胀系数4.0-4.5ppm/K，与硅芯片高度匹配，大幅降低热循环应力。高纯度能规避氧、碳杂质破坏晶格、衰减导热性能的问题，粉体可加工为陶瓷基板、导热填料，广泛用于AIGPU封装、800G/1.6T光模块及服务器液冷场景，是突破AI设备散热瓶颈、保障长期稳定运行的刚需基础材料。 公司已发布高纯氮化铝微米粉、造粒粉、球形填料粉，核心型号KBMC-E氧含量230W/(m·K)，达国际先进水平。氮化铝全球高端产能集中日德，国产替代需求明确。 公司500吨产线采用连续化加工，26年6月底一次性投产。公司具备石墨化粉体加工know-how，且部分光伏热场设备可转化至氮化铝生产，扩产弹性大、边际Capex较低。公司主要面向陶瓷基板客户，有望替代日本德山（日本德山在高端氮化铝粉体中占据主要份额）。
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- 【hcdx】金博股份：高纯氮化铝粉体切入AI散热，500吨示范线预计6月底一次性投产
- 高纯氮化铝是AI算力散热核心关键材料，适配AI芯片高功耗、高热流密度工况。
- 其理论热导率达320W/m·K，商用高纯粉体制成材料可达170-280W/m·K，为氧化铝的5-10倍；
- 体积电阻率10¹⁴~10¹⁶Ω·cm，绝缘性优异，可实现导热与电气隔离兼顾。
- 热膨胀系数4.0-4.5ppm/K，与硅芯片高度匹配，大幅降低热循环应力。
- 高纯度能规避氧、碳杂质破坏晶格、衰减导热性能的问题，粉体可加工为陶瓷基板、导热填料，广泛用于AIGPU封装、800G/1.6T光模块及服务器液冷场景，是突破AI设备散热瓶颈、保障长期稳定运行的刚需基础材料。
- 公司已发布高纯氮化铝微米粉、造粒粉、球形填料粉，核心型号KBMC-E氧含量230W/(m·K)，达国际先进水平。
- 公司具备石墨化粉体加工know-how，且部分光伏热场设备可转化至氮化铝生产，扩产弹性大、边际Capex较低。