⚠️ 三星、铠侠减产引发。 📉 全球存储器半导体行业正将产能集中于高带宽存储器（HBM）和先进 3D NAND 闪存，导致 2D NAND 闪存等传统产品的供应
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⚠️ 三星、铠侠减产引发。 📉 全球存储器半导体行业正将产能集中于高带宽存储器（HBM）和先进 3D NAND 闪存，导致 2D NAND 闪存等传统产品的供应基础崩塌。 🏭 据业界 12 日消息，三星电子自 3 月起逐步停止其华城园区 Line 12 的 2D NAND 生产，并将该设施改造为先进 1c DRAM 的 “End Fab”。 📌 这标志着三星最后一座 2D NAND 主力工厂关闭，该厂此前月产能为 8 万至 10 万片晶圆。 🔗 三星此举与 MLC（多阶存储单元）NAND 的停产密切相关，该产品曾一度主导市场。 📝 三星已向客户发出 MLC NAND 停产通知，最后一批出货计划于下月完成，之后将完全切断供应。 🔍 MLC 每单元存储 2 比特数据，容量低于 3 比特（TLC）或 4 比特（QLC）架构，但数据保持能力和耐久性更优。 🏥 因此，它长期在医疗设备和工业机器人等产品必须无故障运行十年以上的市场中充当安全锚。 💸 尽管扮演这一角色，该产品仍因盈利能力疲弱而遭淘汰。 📅 铠侠于 3 月通知客户，计划逐步淘汰 2D NAND 及第三代 BiCS Flash 产品。 ⏰ 该公司将在今年 9 月底前接受最终订单，于 2028 年 12 月前完成最后出货，并自 2029 年起全面退出该市场。 📊 与此同时，美光仅维持满足现有客户需求的 MLC NAND 生产水平，并已宣布逐步关停其消费品牌 Crucial。 📈 随着低密度通用型 NAND 供应量从市场迅速消失，供应断崖正在加深。 💹 MLC 64Gb 现货价格近期在 20 至 28 美元区间成交，较 2024 年底水平高出 300% 以上。
总体总结
主题正文
- 📉 全球存储器半导体行业正将产能集中于高带宽存储器（HBM）和先进 3D NAND 闪存，导致 2D NAND 闪存等传统产品的供应基础崩塌。
- 🏭 据业界 12 日消息，三星电子自 3 月起逐步停止其华城园区 Line 12 的 2D NAND 生产，并将该设施改造为先进 1c DRAM 的 “End Fab”。
- 📌 这标志着三星最后一座 2D NAND 主力工厂关闭，该厂此前月产能为 8 万至 10 万片晶圆。
- 🔍 MLC 每单元存储 2 比特数据，容量低于 3 比特（TLC）或 4 比特（QLC）架构，但数据保持能力和耐久性更优。
- 📅 铠侠于 3 月通知客户，计划逐步淘汰 2D NAND 及第三代 BiCS Flash 产品。
- ⏰ 该公司将在今年 9 月底前接受最终订单，于 2028 年 12 月前完成最后出货，并自 2029 年起全面退出该市场。
- 📊 与此同时，美光仅维持满足现有客户需求的 MLC NAND 生产水平，并已宣布逐步关停其消费品牌 Crucial。
- 💹 MLC 64Gb 现货价格近期在 20 至 28 美元区间成交，较 2024 年底水平高出 300% 以上。