- 服务器内存需求持续强劲，上调2026年第二季度DDR和NAND Flash合约价预期。上调HBM终端需求，预计三星将在2027年在HBM市场份额上追平SK海
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- 服务器内存需求持续强劲，上调2026年第二季度DDR和NAND Flash合约价预期。上调HBM终端需求，预计三星将在2027年在HBM市场份额上追平SK海力士。
UBS在2026年5月的月报中大幅上调了服务器内存的价格预期，并认为HBM（高带宽内存）市场的增长势头将持续到2027年。报告核心观点包括： ：预计2026年二季度DDR合约价将环比上涨近60%（此前为37%），NAND Flash合约价环比上涨60%（此前为40%）。 ：上调2026年和2027年HBM的位元需求预测，主要由谷歌TPU的采购驱动。 ：预测三星将在2027年与SK海力士在HBM位元市场份额上持平，各占40%。
- 服务器内存价格飙升 ：报告指出，服务器需求的持续上行正传导至内存需求和价格。预计2026年二季度DDR合约价将环比上涨近60%，远超此前预期的37%。服务器DDR单价可能触及每Gb 1.95美元，部分DDR5报价接近2.10美元，而一季度仅为1.15美元。同时，UBS预测四季度服务器DDR价格将达到每Gb 2.00美元，到2027年四季度接近2.80美元。 ：同样受服务器SSD（固态硬盘）驱动，NAND Flash合约价预计在2026年二季度环比上涨60%（此前为40%），三季度再涨10%。
- HBM需求结构变化 ：UBS将2026年HBM位元终端需求上调至329亿Gb（同比增长88%），2027年上调至580亿Gb（同比增长76%）。主要上调来自谷歌TPU（张量处理单元）的采购量假设。 ：报告假设NVIDIA的Rubin Ultra将采用768GB容量的HBM4E 12-Hi堆叠，而非此前市场预期的1TB HBM4E 16-Hi。这被认为是NVIDIA为了规避潜在的供应瓶颈（特别是16-Hi堆叠在热压键合工艺上的良率挑战）而做出的前瞻性调整。
- 行业格局变化：三星追赶SK海力士 ：SK海力士2026年和2027年的HBM出货量预测被下调，原因是公司应客户要求，将更多产能分配给了DDR5/LPDDR5X等持续需求旺盛的产品。 ：UBS维持三星2026年97亿Gb的HBM出货量预测（同比增长124%），但将2027年预测大幅上调至230亿Gb（同比增长137%），主要得益于近期资本支出的提前。这将使三星和SK海力士在2027年的HBM位元市场份额各达到40%，美光为20%。 ：报告强调，HBM4不会成为NVIDIA即将在2026年下半年推出的Rubin平台的瓶颈。UBS上调了HBM4和HBM3E的ASP（平均销售价格）假设，预计2027年同比增长30%（此前为持平）。
- 芯片国产化竞争 报告多次提及中国存储厂商CXMT（长鑫存储）和YMTC（长江存储）的产能和市场占有率持续提升。CXMT的晶圆产能预计在2027年占全球DRAM行业的14%，而YMTC在NAND Flash中的市场份额和晶圆产出也在稳步增长。
由于这是一份行业月度报告，而非个股研究报告，因此不包含具体的个股估值模型或评级。报告通过详尽的供需表格（图31至图44）展示了UBS对DRAM和NAND行业整体收入、供应、需求、平均售价和库存在2025、2026、2027年的预测。从趋势上看，UBS非常看好当下至2027年的内存行业，尤其是服务器DDR和HBM价格的强劲上涨。
报告末尾指出，投资科技行业（包括内存半导体）存在高度风险： ：内存技术迭代迅速，公司如未能跟上技术更新（如HBM4/4E）将面临淘汰。 ：三星、SK海力士、美光三强争霸，以及中国厂商（CXMT, YMTC）的崛起，可能导致供应过剩和价格竞争。 ：内存行业具有高度周期性，终端需求（如PC、智能手机、服务器）受全球经济影响巨大。 ：科技公司运营模式波动大，财务结果难以预测。 ：无论是传统还是非传统估值方法，都难以准确衡量科技公司的内在价值。
总体总结
主题正文
- UBS在2026年5月的月报中大幅上调了服务器内存的价格预期，并认为HBM（高带宽内存）市场的增长势头将持续到2027年。
- ：预计2026年二季度DDR合约价将环比上涨近60%（此前为37%），NAND Flash合约价环比上涨60%（此前为40%）。
- ：同样受服务器SSD（固态硬盘）驱动，NAND Flash合约价预计在2026年二季度环比上涨60%（此前为40%），三季度再涨10%。
- ：UBS将2026年HBM位元终端需求上调至329亿Gb（同比增长88%），2027年上调至580亿Gb（同比增长76%）。
- ：SK海力士2026年和2027年的HBM出货量预测被下调，原因是公司应客户要求，将更多产能分配给了DDR5/LPDDR5X等持续需求旺盛的产品。
- ：UBS维持三星2026年97亿Gb的HBM出货量预测（同比增长124%），但将2027年预测大幅上调至230亿Gb（同比增长137%），主要得益于近期资本支出的提前。
- UBS上调了HBM4和HBM3E的ASP（平均销售价格）假设，预计2027年同比增长30%（此前为持平）。
- CXMT的晶圆产能预计在2027年占全球DRAM行业的14%，而YMTC在NAND Flash中的市场份额和晶圆产出也在稳步增长。