东京电子：4Q业绩及CY26指引超预期 📊【业绩回顾】4Q业绩超BBG预期，FY26营收创新高 4QFY26营收同比+8.6%，超BBG预期3%；归母净利JPY
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东京电子：4Q业绩及CY26指引超预期
📊【业绩回顾】4Q业绩超BBG预期，FY26营收创新高 4QFY26营收同比+8.6%，超BBG预期3%；归母净利JPY214.2bn（yoy+50%）超BBG15%（战略持股出售一次性收益叠加HBM/先进逻辑需求旺盛影响）。FY26全年营收JPY2,443.5bn in line，同比持平；净利JPY574.5bn（yoy+5.6%）略超BBG 5%。
【segment拆分】存储复苏及先进逻辑持续领涨 1）应用来看，FY26 DRAM/NAND/Logic占比31%/10%/59%（同比持平/+3pct/-3pct）。HBM/通用DRAM受AI驱动持续旺盛；3D NAND客户产能利用率改善进入复苏轨道；先进逻辑投资需求旺盛。2）地区来看，韩国/台湾需求强劲。FY26中国占比34.1%（yoy-7.6pct），韩国20.4%（+3.5pct）、台湾22.3%（+5.5pct）；CY26中国WFE占比预计从CY25的30%后半降至30%中段。
💡【指引】1HFY27业绩及CY26行业指引强劲 1）公司变更披露口径，仅披露H1指引：营收JPY1,570bn（yoy+33.1%）超BBG 13.3%；净利JPY328bn（yoy+35.7%）超BBG 11.4%。SPE新设备H1销售yoy+41%，下半年DRAM/先进逻辑出货持续增加。中期目标1-2年内GPM突破50%（FY26 45.3%）。2）行业来看，公司CY26-27 WFE上修至USD 150-170Bn/年（yoy+20%以上），leading edge设备yoy或+30%以上；AI服务器相关询单大幅增加并出现交期提前。
🏗️【产能及Capex】FY27 R&D JPY330bn（yoy+18.8%）/Capex JPY190bn。宫城/熊本新开发栋、岩手生产物流中心已竣工，宫城生产新栋（Smart Fab）2027年夏季竣工。
总体总结
主题正文
- 归母净利JPY214.2bn（yoy+50%）超BBG15%（战略持股出售一次性收益叠加HBM/先进逻辑需求旺盛影响）。
- 1）应用来看，FY26 DRAM/NAND/Logic占比31%/10%/59%（同比持平/+3pct/-3pct）。
- 3D NAND客户产能利用率改善进入复苏轨道；
- FY26中国占比34.1%（yoy-7.6pct），韩国20.4%（+3.5pct）、台湾22.3%（+5.5pct）；
- CY26中国WFE占比预计从CY25的30%后半降至30%中段。
- 1）公司变更披露口径，仅披露H1指引：营收JPY1,570bn（yoy+33.1%）超BBG 13.3%；
- 2）行业来看，公司CY26-27 WFE上修至USD 150-170Bn/年（yoy+20%以上），leading edge设备yoy或+30%以上；
- 🏗️【产能及Capex】FY27 R&D JPY330bn（yoy+18.8%）/Capex JPY190bn。