📌 💡 中国长鑫存储技术（CXMT）越来越有可能推迟其第四代高带宽存储（HBM3）的商用化时间表。 💡 该公司最初计划在今年上半年实现商用化，但尚未向相关材料和
- 序号：287
- 星球链接：打开网页
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：无音频
图片
无图片
正文
📌
💡 中国长鑫存储技术（CXMT）越来越有可能推迟其第四代高带宽存储（HBM3）的商用化时间表。 💡 该公司最初计划在今年上半年实现商用化，但尚未向相关材料和组件供应商下达量产级订单。 📅 据业内人士 20 日消息，长鑫存储的 HBM3 量产计划原本针对今年上半年，但目前正遭遇挫折。 🏭 长鑫存储是中国最大的 DRAM 制造商。 🏭 虽然其全球 DRAM 市场份额仍未进入顶级行列，但该公司因技术进步迅速而备受认可，已成功商用化包括 DDR5 和 LPDDR5X 在内的最新 DRAM 标准。 💻 长鑫存储也正在叩开 HBM 市场大门 —— 这是用于 AI 数据中心的性能型 DRAM。 💻 HBM 是一种内存半导体，通过硅通孔（TSV）将多个 DRAM 芯片垂直堆叠并连接。 💻 它在前端和后端工艺上均要求高度先进的技术。 🔍 长鑫存储专注开发的产品是 HBM3，这是第四代 HBM，属于相对成熟（传统）工艺范畴。 🔍 三星电子、SK 海力士和美光等巨头今年正全面启动 HBM4 的量产。 ⚠️ 然而，业内评估显示，长鑫存储的 HBM3 仍处于测试阶段。 ⚠️ 尽管最初计划最早在今年上半年实现量产，但时间表持续延后。 ⚠️ 据悉，HBM3 所需材料和组件的订单仍停留在样品生产水平。 💬 一位半导体业内人士解释称：“长鑫存储的技术进步很快，但 HBM3 量产时间表不断推迟。从开发进度来看，今年内实现量产的可能性不大。” ⚙️ 与此同时，长鑫存储已采用 G4（16nm 级）DRAM 作为 HBM3 的核心芯片。 ⚙️ 这是去年开始全面量产的 DRAM 节点，代表长鑫存储的最先进工艺。 🔧 在 DRAM 芯片堆叠的后端工艺上，长鑫存储采用了 Mass Reflow-Molded Underfill（MR-MUF）技术。 🔬 MR-MUF 是一种在堆叠过程中用热量临时粘合每个 DRAM 芯片的技术，然后在完整堆叠完成后施加热量（回流）以最终固化粘合。 🔬 随后施加液体 EMC（环氧树脂模塑料 —— 一种将环氧聚合物与无机二氧化硅混合的模塑料材料）。 🔬 目前，SK 海力士正在使用 MR-MUF 工艺。
总体总结
主题正文
- 💡 中国长鑫存储技术（CXMT）越来越有可能推迟其第四代高带宽存储（HBM3）的商用化时间表。
- 💡 该公司最初计划在今年上半年实现商用化，但尚未向相关材料和组件供应商下达量产级订单。
- 📅 据业内人士 20 日消息，长鑫存储的 HBM3 量产计划原本针对今年上半年，但目前正遭遇挫折。
- 🏭 虽然其全球 DRAM 市场份额仍未进入顶级行列，但该公司因技术进步迅速而备受认可，已成功商用化包括 DDR5 和 LPDDR5X 在内的最新 DRAM 标准。
- ⚠️ 据悉，HBM3 所需材料和组件的订单仍停留在样品生产水平。
- ⚙️ 与此同时，长鑫存储已采用 G4（16nm 级）DRAM 作为 HBM3 的核心芯片。
- 🔧 在 DRAM 芯片堆叠的后端工艺上，长鑫存储采用了 Mass Reflow-Molded Underfill（MR-MUF）技术。
- 🔬 MR-MUF 是一种在堆叠过程中用热量临时粘合每个 DRAM 芯片的技术，然后在完整堆叠完成后施加热量（回流）以最终固化粘合。