🔥【国盛通信】优迅股份：高速电芯片突破在即，国产替代核心标的。 🌟 高速率电芯片（800G+）供给趋紧，受限于Fab资源配套。公司已与国内外Fab（锗硅/CMO
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🔥【国盛通信】优迅股份：高速电芯片突破在即，国产替代核心标的。
🌟 高速率电芯片（800G+）供给趋紧，受限于Fab资源配套。公司已与国内外Fab（锗硅/CMOS）深度合作，产能保障能力强。
🌟 400G/800G电芯片（TIA/Driver）进展积极，有望落地数据中心高速率订单，绑定核心大客户。
🌟 1.6T单波200G电芯片已启动开发，明年送样；面向DCI长距离的4通道128Gbaud相干电芯片通过客户验证，可配套ZR及coherent-lite模块。
🌟 客户覆盖主流光模块大厂，低速率基本盘稳固，高速率为最大增量（单模块价值量约20-30美金）。已有配套硅光的EIC方案及LPO等方案配合大客户测试，进展乐观。 作为国产电芯片稀缺标的，高速率产品即将进入放量期，同时受益于硅光、LPO等新技术演进，建议重点关注！ 风险提示：客户导入不及预期、Fab产能风险。
总体总结
主题正文
- 🔥【国盛通信】优迅股份：高速电芯片突破在即，国产替代核心标的。
- 🌟 高速率电芯片（800G+）供给趋紧，受限于Fab资源配套。
- 🌟 400G/800G电芯片（TIA/Driver）进展积极，有望落地数据中心高速率订单，绑定核心大客户。
- 🌟 1.6T单波200G电芯片已启动开发，明年送样；
- 面向DCI长距离的4通道128Gbaud相干电芯片通过客户验证，可配套ZR及coherent-lite模块。
- 🌟 客户覆盖主流光模块大厂，低速率基本盘稳固，高速率为最大增量（单模块价值量约20-30美金）。
- 作为国产电芯片稀缺标的，高速率产品即将进入放量期，同时受益于硅光、LPO等新技术演进，建议重点关注！
- 风险提示：客户导入不及预期、Fab产能风险。