再次超越三星……SK海力士–台积电“HBM4联盟”实力增强 SK 海力士正在加深与全球最大晶圆代工厂台积电的联盟关系，以加速基于前沿工艺的高带宽存储器（HBM）
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再次超越三星……SK海力士–台积电“HBM4联盟”实力增强
SK 海力士正在加深与全球最大晶圆代工厂台积电的联盟关系，以加速基于前沿工艺的高带宽存储器（HBM）的开发。为了摆脱三星电子在 HBM 市场上日益增强的追赶势头，SK 海力士计划升级与台积电的合作关系，抢先采用第 7 代 HBM（HBM4E）技术，并预计于明年开始全面量产。
16日（当地时间），台积电在其第一季度财报发布会上宣布，将“扩大其 3nm（纳米；一亿分之一米）生产计划，以应对包括 HBM 基础芯片在内的一系列 AI 需求。”基础芯片是 HBM 堆栈的最底层，起着“控制塔”的作用，负责控制数据流，从而与逻辑计算单元进行通信。
此前，SK 海力士一直自行生产基础芯片，但针对 HBM4，该公司已将生产外包给台积电的 12 纳米工艺。这是因为，从 HBM4 开始，基础芯片中的数据传输通道数量增加了一倍，这要求具备超精密电路设计，而此类设计在内存工艺中难以实现。
据了解，SK 海力士正计划将其下一代产品 HBM4E 的基础芯片采用台积电的 3 纳米工艺。据台积电称，3 纳米基础芯片提供的能效是前一代工艺的 2 倍。这项技术对于 AI 半导体至关重要——在 AI 半导体中，功耗是一个关键的制约因素——并且符合 NVIDIA 等关键客户的需求。
在“核心芯片”（即堆叠在基础芯片之上的存储层）上，SK 海力士还计划采用先进的第 6 代 DRAM 工艺（1c）。通过将 3nm 与 1c 相结合，SK 海力士旨在在能效方面超越三星电子。
尽管如此，韩国和台湾之间的物理距离被视为一个障碍。实际上，在 SK 海力士和台积电之间单向运送芯片样品需要大约 3 天的时间，而三星电子由于其内存、晶圆厂和封装设施的地理位置接近，可以实时进行合作。这使得三星能够迅速运送样品，并在设计变更或工艺错误出现时进行修复。供应链的不确定性是另一个变量：行业消息人士预计，台积电 3 纳米节点的产能短缺问题将持续到明年。
今年 2 月，三星电子率先在 HBM 竞赛中占据主动，开始大规模生产并首次向全球发运 HBM4。然而，SK 海力士为 NVIDIA 争取到了 HBM4 供应的时间，并维持了技术层面的竞争。
尽管 SK 海力士在 HBM4 认证过程中遇到了困难，但据报道公司已完成了对基础芯片的重新设计——此前这被认为是瓶颈所在——现在已完全准备好在今年下半年开始出货质量可靠的 HBM4 组件。SK 海力士计划明年开始大规模生产和出货 HBM4E，以此继续与三星电子争夺技术领先地位。
总体总结
主题正文
- 为了摆脱三星电子在 HBM 市场上日益增强的追赶势头，SK 海力士计划升级与台积电的合作关系，抢先采用第 7 代 HBM（HBM4E）技术，并预计于明年开始全面量产。
- 此前，SK 海力士一直自行生产基础芯片，但针对 HBM4，该公司已将生产外包给台积电的 12 纳米工艺。
- 这是因为，从 HBM4 开始，基础芯片中的数据传输通道数量增加了一倍，这要求具备超精密电路设计，而此类设计在内存工艺中难以实现。
- 这项技术对于 AI 半导体至关重要——在 AI 半导体中，功耗是一个关键的制约因素——并且符合 NVIDIA 等关键客户的需求。
- 在“核心芯片”（即堆叠在基础芯片之上的存储层）上，SK 海力士还计划采用先进的第 6 代 DRAM 工艺（1c）。
- 实际上，在 SK 海力士和台积电之间单向运送芯片样品需要大约 3 天的时间，而三星电子由于其内存、晶圆厂和封装设施的地理位置接近，可以实时进行合作。
- 供应链的不确定性是另一个变量：行业消息人士预计，台积电 3 纳米节点的产能短缺问题将持续到明年。
- 尽管 SK 海力士在 HBM4 认证过程中遇到了困难，但据报道公司已完成了对基础芯片的重新设计——此前这被认为是瓶颈所在——现在已完全准备好在今年下半年开始出货质量可靠的 HBM4 组件。