SEMICONDUCTOR CONSUMABLES · DEEP DIVE 02

半导体耗材深度研究 · 第 2 批:光掩膜版与光刻胶 半导体材料中国产化率最低的两块硬骨头——掩膜版 10%、ArF 光刻胶不足 1%

第 2 批 / 共 4 批 掩膜版占材料成本 12%–13% 光刻胶及配套占 5%–13% 掩膜版国产化率 ≈10%、高端仅 3% ArF 光刻胶国产化率 <1% 数据截至 2026-09
第 2 批核心结论

1. 这是九大类耗材里国产化率最低的两块,且低得不像话。半导体掩膜版整体国产化率约 10%、高端仅约 3%;光刻胶这边 g/i 线 20%–30%、KrF 仅 1%–8%、ArF 不足 1%、EUV 完全为零。相比之下硅片好歹有 25%–30%,特气 35%。这两块是真正的"卡脖子最后一百米"。

2. 掩膜版最容易被误读的是"两套份额口径"。独立第三方市场 Toppan/DNP/Photronics 三家占 82.9%;但若把晶圆厂与 IDM 的自制产能算进来,自制部分独占 65%(英特尔、台积电、三星、中芯国际都自产自销),第三方全市场口径下 Toppan 只剩 11%、Photronics 10%、DNP 8%。用错口径会得出"市场集中度一般"的错误结论——真实情况是掩膜版比硅片还集中,只是大头不在第三方手里。

3. 掩膜版出现了一个反直觉的进展:2026 年上半年国内技术节点推进速度超预期,且龙头换位。市场至今仍在引用"国内仅龙图光罩一家实现 130nm 量产、路维与清溢停留在 180nm"的旧结论(源自 2023–2024 年券商研报)。但 2026H1 实际进展是:路维光电 130nm 稳定量产、90nm 成套供货、40nm/28nm 单片已验证供货,二期规划 28–14nm;清溢光电 55nm Binary 已过客户验证;龙图光罩 90nm 稳定量产。路维已反超至最前。

4. 光刻胶的本批最重要发现是一个"150 倍产能口径陷阱"。自媒体榜单称"南大光电年产能 18,200 吨",而公司官方核定的 ArF 光刻胶产能是 50 吨/年——差 150 倍,因为前者把电子特气(三氟化氮 4,800 吨等)全算进去了。彤程新材"28,500 吨"的主体是光刻胶树脂而非光刻胶成品。凡看到吨级产能数字,必须先问"这个数字里装的是什么"。

目 录
  1. 掩膜版:市场规模与双重口径
  2. 掩膜版:技术代差与国产化率
  3. 掩膜版:国内厂商产能逐家
  4. 掩膜版:12 英寸与 High-NA 变革
  5. 光刻胶:市场规模与全球格局
  6. 光刻胶:分品种国产化率阶梯
  7. 光刻胶:上游树脂与成本结构
  8. 光刻胶:国内厂商产能与验证
  9. 两品类对比与数据冲突清单

01掩膜版:市场规模与双重口径

1.1 规模

中国半导体光罩市场(2025)
20亿美元
SEMI;2021–2025 CAGR 9%
中国掩膜版市场(2026E)
210亿元
同比 +12.3%;其中空白掩膜版 36.9 亿元(+12.5%)
全球空白掩膜版(2025)
11.25亿美元
→ 2032 年 18.34 亿美元,CAGR 7.2%
中国整体国产化率
≈10%
高端掩膜版仅约 3%

1.2 ⚠️ 两套份额口径,必须用对

光掩膜版份额:同一市场,两种算法,结论差 3 倍 口径 A · 独立第三方市场(占全市场 35%) Toppan(日本) 31.4% Photronics(美国) 28.6% DNP(日本) 22.9% HOYA / 中国台湾光罩等 11.4% CR3 = 82.9% 口径 B · 全市场(含晶圆厂/IDM 自制,自制占 65%) 晶圆厂 / IDM 自制 65% Toppan 11% Photronics 10% DNP 8% 自制方:英特尔、台积电、三星、中芯国际等自产自销
口径 A 用于判断第三方供应商(清溢、路维、龙图)的可及市场;口径 B 用于判断全行业真实集中度。另有 Precision Reports(2026)给出全市场口径 Photronics 约 11%、Toppan 约 10%,与口径 B 吻合。B
为什么这个区分对投资判断是决定性的

国内掩膜版厂商对标的是"独立第三方市场"里的 35% 中的一小块,而这块蛋糕 82.9% 已被三家拿走。换句话说:国内厂商要抢的,是一个全球规模不大(第三方市场全口径下 Toppan 也才 6.4 亿美元量级)、且高度固化的市场。

更要紧的是先进节点掩膜正在向"晶圆厂深度参与、头部独立厂商承接"的模式集中——这意味着第三方市场的份额会进一步向 Toppan/Photronics/DNP 收敛,中小厂商的空间被两头挤压。B

1.3 平板显示掩膜版:唯一有全球话语权的细分

排名厂商地区说明
1福尼克斯 Photronics美国Omdia 统计 2020 年全球平板显示掩膜版销售金额 CR5 达 88%,供给集中度极高
2SKE日本
3HOYA日本
4LG-IT韩国
5清溢光电中国

路维光电是这一细分的真正亮点:2019 年建成国内首条 G11 超高世代 TFT-LCD 掩膜版产线,是国内唯一覆盖 G2.5–G11 全世代的掩膜版企业,G11 世代掩膜版全球市占率达 19.21%。这是国产掩膜版在全球范围内唯一拿到两位数份额的环节。

02掩膜版:技术代差与国产化率

对比维度国际厂商国内厂商差距
主流产品制程100–50nm350–130nm(2026H1 已推进至 90nm 稳定量产)落后约 2–3 代
先进节点能力部分领先厂商已具备 28nm 及以下量产;头部已突破 7nm 以下28nm 及以下先进制程节点掩膜版,境内第三方厂商暂时无法涉足代际鸿沟
关键工艺储备OPC、PSM 等关键工艺 + 电子束光刻能力部分掌握电子束光刻、干法蚀刻;PSM/OPC 在研或刚验证明显
整体国产化率中国半导体掩膜版整体 ≈10%;高端掩膜版 ≈3%极低
⚠️ 一份被市场反复引用的过时结论

多家券商研报(华安证券 2023-10、招商证券转述)仍在传播:"国内已实现 130nm 制程量产的第三方掩膜版厂商仅龙图光罩一家,路维光电和清溢光电均停留在 180nm 量产阶段"。

这个结论在 2026 年已经失效。依据各公司 2026 年半年报与机构纪要:

→ 当前国内最领先的是路维光电,不是龙图光罩。掩膜版的技术节点在 2026 年上半年推进速度明显快于卖方模型更新速度。A(公司半年报)

03掩膜版:国内厂商产能逐家

国内掩膜版厂商:制程节点推进阶梯(2026H1) 左=成熟 右=先进 实心=已量产/供货 虚框=验证中/规划 130nm90nm 55/65nm40nm 28nm14nm 路维光电 688401 稳定量产 → 90nm 成套 → 40/28nm 单片已供货 二期规划 28–14nm 清溢光电 688138 180nm 规模量产 / 150nm 小批 / 55nm Binary 过验证 28nm 规划中 龙图光罩 688721 90nm 稳定量产 65/55nm 验证 · 40nm 设备已布局 · 二期 40–28nm 冠石科技 605588 55nm 交付 / 40nm 通线 / 28nm 设备到位通线 验证流片中 国际主流(对照) 100–50nm 主流,领先者 28nm 及以下,头部已突破 7nm 以下 注:冠石科技为新切入者,光掩膜版业务收入规模尚小(2026H1 仅 1,107 万元,占比 1.77%)
路维光电在节点推进上已明显领先;清溢光电在 55nm Binary 上取得关键突破但量产节奏晚于路维。A(公司 2026 半年报与机构纪要)
企业制程节点进度产能与扩产2026H1 业绩
路维光电
688401
国内最领先。130nm 及以上稳定量产;90nm 成套掩膜版已通过客户验证并供货;40nm / 28nm 单片产品已验证并供货;通过产业基金路维盛德间接投资江苏路芯半导体,二期规划 28–14nm,2026 年陆续投建。面板端:国内唯一覆盖 G2.5–G11 全世代,G11 全球市占 19.21%,已实现京东方 G8.6 OLED 产线掩膜版量产 2026H1 在建工程 5.34 亿元(+230.62%),2025 年末仅 1.62 亿元。"半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目"期末在建工程约 1.92 亿元,累计投入占预算 98.69%,已进入产能爬坡。厦门高世代基地一期规划 5 条 G8.6 及以下 AMOLED 高精度产线,上半年新增在建工程 2.11 亿元、期末 2.62 亿元,已进入工艺调试与试生产。定增 10.02 亿元(83.36 元/股)7 月 3 日到位,其中 7.72 亿投厦门一期 营收 6.68 亿元
+22.80%
归母净利 1.45 亿元
+35.82%
扣非 +43.33%
Q2 单季扣非 +44.5%
清溢光电
688138
180nm 规模化量产、150nm 小批量量产;55nm Binary 工艺节点已通过客户验证;推进 130–40nm PSM 与 OPC 工艺掩膜版研发;启动 28nm 节点工艺开发规划。掌握电子束光刻、干法蚀刻等中高端核心工艺 佛山生产基地高端设备已全部到位并投入使用;高精度平板显示掩膜版一期处于产能爬坡;佛山清溢微一期即将投入使用,计划 2026 年底实现 PSM 技术掩膜版量产 净利润 +28.16%
(未披露营收)
龙图光罩
688721
工艺能力已由 130nm 提升至 65nm,完成 40nm 节点生产设备布局;深圳工厂 90nm 稳定量产;重点推动 90nm 上量、65nm/55nm 验证与小批量供货;130–90nm 高端 PSM 掩膜版研发推进中 珠海高端半导体芯片掩模版制造基地项目 2026 年 6 月正式结项,正产能爬坡;珠海二期 40–28nm 生产线总投资约 19.54 亿元,完全达产后预计新增年产能 1.5 万片,主体厂房已封顶,处于洁净室装修及设备选型采购阶段 增收不增利
净利润同比腰斩
冠石科技
605588
新切入
55nm 产品交付验证、40nm 产线通线,28nm 相关设备已全部提前交付并完成产线通线,后续加快验证流片 光掩膜版业务规模尚小(累计营收 2,863.65 万元) 营收 −9.82%
陷入亏损
2026H1 业绩分化的原因值得琢磨

同样是"掩膜版国产替代"标的,路维 +35.8% 净利、清溢 +28.2%、龙图净利腰斩、冠石亏损。分化根源在于:半导体掩膜版高端产品需要 2–3 年的产能爬坡与客户验证才能兑现利润,而爬坡期折旧与新厂开办费会先吃掉利润。

路维的领先不在于"产能最大",而在于它把面板端(G8.6 OLED)的稳定现金流与半导体端的节点推进叠加了起来——用成熟业务养先进业务。清溢在走同样的路(佛山基地),龙图和冠石则处于纯投入期。这个阶段的掩膜版投资,看的是"谁有现金流能撑过爬坡期",不是"谁的规划产能最大"。

04掩膜版:12 英寸与 High-NA 带来的三重变革

4.1 为什么掩膜版正在变难

4.2 三重产业影响

影响机制对国内厂商的含义
资本门槛抬升12 英寸制版需要更高规格的电子束写入、检测与修复设备中小厂商难以跟进,行业出清加速
客户绑定加深晶圆厂及 IDM 自制体系本就占整体市场 65%,先进节点将进一步向"晶圆厂深度参与 + 头部独立厂商承接"集中第三方市场的中间层被挤压
机遇与压力并存国产化率整体 10%、高端 3%;28nm 及以下境内第三方暂时无法涉足,但成熟制程替代在加速先在成熟制程站稳,再谈先进

4.3 海外龙头的应对(也是壁垒所在)

厂商战略动作
Toppan与 IBM、格芯在德累斯顿 AMTC 联合开发(90nm→28nm);推进 High-NA EUV 次世代掩膜;基地覆盖日本、中国上海、韩国、德国、法国、美国
Photronics与 IBM 联合研发 EUV 掩膜工艺(7nm/5nm)
DNP与意法半导体合资 DNP Photomask Europe;2025 年 9 月通过 EUV 商业化与多年供货协议扩展半导体掩膜战略;FY2026–FY2028 投资计划拨约 300 亿日元投向尖端光掩膜、EUV 量产、纳米压印与扩大光学掩膜产能;2026 年 2 月继续筹备先进掩膜扩产

共性壁垒:与客户联合研发绑定 + 全球化生产基地 + 并购整合。新进入者面临激光直写光刻机单台数百万至上千万美元的设备投入、长客户验证周期、高精度制造工艺三重门槛。B

05光刻胶:市场规模与全球格局

5.1 规模

全球光刻胶(2026E)
55–60亿美元
2024 年 45–48 亿;2030 年 80–100 亿
全球半导体光刻胶
≈50亿美元
另一口径约 400 亿人民币,年增速 20%–30%
中国光刻胶(2026E)
115–125亿元
2024 年约 80.5 亿(+25.4%)、2025 年约 97.8 亿
国内纯半导体光刻胶
80–90亿元
增速 30%–40%,快于整体

细分收入结构(全球)

品类收入份额单价说明
ArF 浸没式35%3,000–5,000 美元/公斤单价最高、收入份额最大;覆盖 28nm–7nm
KrF25%—覆盖 90nm–28nm,车规/模拟/特色存储/先进封装核心耗材
i-line20%—成熟制程
EUV≈5%—基数小但增长最快;7nm 及以下
g 线5%200–500 元/升微米级制程
配套化学品≈10%—显影剂、剥离剂、溶剂、BARC

需求增速:ArF 需求增速最高达 120%,KrF 约 30%。随着制程向 5nm/7nm 演进,ArF 及其浸没式的金额占比可提升到 80%–90% 以上。B

5.2 全球格局:日本五家占 85%+

厂商全球份额核心优势
TOK 东京应化
日本
28%–30%
(另一口径 18%)
KrF 行业领导者;ArF 组合强;与三星/台积电深度合作;产品线最全(G 线到 EUV 全覆盖)
JSR
日本
25%–27%
(另一口径约 30%)
EUV/ArF/KrF 全套;收购 Inpria(MOC 金属氧化物簇路线);2024 年被日本投资公司 JIC 以约 63 亿美元国有化
信越化学
日本
12%–15%
(另一口径约 22%)
树脂 + 成品光刻胶双线工艺;ArF/EUV 能力;材料纯度控制卓越
住友化学
日本
8%–10%KrF / i-line 强
富士胶片
日本
6%–8%KrF/ArF;显示光刻胶
日本五家合计>85%在 ArF 及 EUV 高端市场占 85%–90% 以上;EUV 光刻胶全球市占高达 99%
JSR 国有化:一个被低估的政治信号

2024 年日本经济产业省通过日本投资公司(JIC)以约 63 亿美元收购 JSR,使其不再作为上市公司运营。这是明确的战略举措——防止非盟国恶意收购日本核心资产。

含义:日本已将光刻胶视为国家战略物资,而非普通商品。这意味着在极端情形下,光刻胶的出口管制风险高于一般半导体材料,且通过市场化收购获取技术或产能的路径已被堵死。B

分品种集中度

06光刻胶:分品种国产化率阶梯

光刻胶国产化率:从 30% 到 0 的四道门槛 2026 年 · 按曝光波长分代 g/i 线(微米级) 20%–30% 基本自主可控,成熟赛道 KrF(248nm / 90–28nm) 1%–8% 国产替代主力战场,头部已批量供货 ArF(193nm / 28–14nm) <1%–3% 仅南大光电实现商业化供货 EUV(13.5nm / ≤7nm) 0 研发阶段,全球仅日系三家量产 0 30% 注:中国光刻胶「整体自给率」2025 年不足 30% → 2026 年预计 40%,该数字含 PCB/面板光刻胶,非半导体口径
分品种国产化率在不同信源存在差异:g/i 线 20%–25% vs 超 30%;KrF 不足 5% vs 1%–8%;ArF 不足 1% vs 不足 3%。本报告取并集区间。B
品类国产化率制程覆盖国内主要玩家状态
g/i 线20%–30%微米级(0.5μm 以上),功率器件、面板驱动晶瑞电材、上海新阳、飞凯材料基本自主可控,成熟赛道
KrF1%–8%90nm–28nm,车规/模拟/特色存储/先进封装彤程新材(北京科华,国内龙头)、晶瑞电材、徐州博康、上海新阳、鼎龙股份头部已批量供货,行业渗透率仍低;高分辨率、特殊耐蚀规格仍靠进口
ArF<1%–3%28nm–14nm,逻辑芯片、高端存储南大光电(唯一商业化供货);彤程新材、上海新阳、鼎龙股份在送样/测试南大干式 ArF 适配 28nm,浸没式样品 14nm 送样测试,未进大批量量产
EUV07nm 及以下无研发阶段;行业共识 3–5 年内国内难产出商用样品
为什么 ArF 产业化这么慢:三重硬性壁垒

唯一的缓解信号:国内导入周期已从过去的 3 年以上缩短至 1–1.5 年(成熟制程)。但 ArF 的完整验证周期仍显著长于此。B

07光刻胶:上游树脂与成本结构

核心树脂(Resin)占成本
40–50%
KrF 甚至高达 80%;大部分仍依赖日韩进口
光敏剂(PAG)占成本
≈10%
特种光酸剂国产化不完善
ArF 单价
3–5万元/加仑
是成熟制程 i-line 的 10 倍以上
树脂才是光刻胶真正的咽喉

市场习惯盯"光刻胶成品厂商",但成本结构显示:KrF 光刻胶 80% 的成本在树脂。树脂自己做不出来,成品厂就只是个配胶与纯化的车间,毛利与议价权都在上游。

这是为什么彤程新材的"KrF 树脂自供"比它的成品产能更值得关注——它是国内少数打通树脂环节的厂商。另一个值得跟踪的是 圣泉集团:i-line 树脂已量产、KrF 树脂正在导入。B

配套试剂(约占光刻胶市场 10%)

显影剂、剥离剂、溶剂、BARC(底部抗反射涂层)等。这一块的国产化进度快于光刻胶本体,主要玩家为晶瑞电材(G5 级高纯双氧水国内市占 >40%)、上海新阳(清洗液、电镀液)、江化微/中巨芯/兴福电子(湿电子化学品,详见第 3 批)。

08光刻胶:国内厂商产能与验证

⚠️ 本批最重要的发现:150 倍的产能口径陷阱

一份流传较广的"2026 半导体材料国产产能 TOP10"榜单给出:

榜单口径年产能数字公司官方核定的半导体光刻胶产能真实值倍数
南大光电18,200 吨ArF 光刻胶(宁波官方核定)50 吨/年≈364×
彤程新材28,500 吨主体是光刻胶树脂及非半导体品类,非成品光刻胶未单独披露—
鼎龙股份4,800 吨光刻胶总年产能(含 2026/3 投产的潜江 300 吨线)330 吨≈15×
上海新阳5,500 吨光刻胶年产能(电镀液/清洗液另计)100 吨≈55×

南大光电 18,200 吨的真实构成,主体是电子特气(三氟化氮约 4,800 吨、磷烷/砷烷等),ArF 光刻胶只有 50 吨。把两者相加再冠以"光刻胶产能",是典型的口径混用。

→ 规则:凡看到"XX 吨光刻胶产能",先问三件事——是成品胶还是树脂?是半导体用还是含 PCB/面板?是否把特气/湿化学品也算进去了?这与第 1 批硅片的"出货/产能/自给率三口径"是同一个错误的两种表现。C(榜单来源为自媒体)

8.1 逐家产能与验证进度

企业产品与验证状态产能(现有 → 在建/规划)
南大光电
300346
国内唯一实现 ArF 光刻胶商业化供货。6 款 ArF 通过客户验证,多款在验证中;干式 ArF 适配 28nm,浸没式样品开展 14nm 送样测试,尚未进入大批量量产;2025 年光刻胶板块营收突破 2,000 万元;绑定中芯国际等头部晶圆厂 宁波官方核定 50 吨/年(现有产线尚未满负荷)
↓
年产 70 吨项目建成后总产能有望达 120 吨/年
宁波 500 吨项目设备已就位、处于试产爬坡阶段,但企业未将其划入官方核定产能
鼎龙股份
300054
8 款 KrF/ArF 高端晶圆光刻胶已取得批量订单,收获近千加仑高端光刻胶采购需求;累计布局 40 余款产品、近 30 款开展客户验证;另有三到四款 ArF/KrF 已批量供应并获重复订单 潜江基地年产 300 吨 KrF/ArF 全流程自主量产线 2026 年 3 月投产
↓
总年产能提升至 330 吨
彤程新材
603650
北京科华
国内 KrF 光刻胶龙头,本土厂商中市占率领先;KrF 已稳定量产 60 余款,多款通过国内 8"/12" 头部晶圆厂认证;ArF 已实现批量交付;14nm 等先进制程验证推进中;上游光刻树脂实现自给 上海金山万吨光刻胶综合基地分阶段投产调试(二期建设中)
镇江 ArF 产线 2026 年二季度集中释放产能
上海新阳
300236
i 线稳定大批量供货;KrF 持续放量销售;ArF 浸没式已取得头部客户销售订单 已建成光刻胶年产能 100 吨
↓
上海化学工业区基地推进建设 500 吨产能
晶瑞电材
300655
i 线光刻胶为主;KrF 完成产品验证,推进批量送样;G5 级高纯双氧水国内市占 >40% 湿电子化学品 + 光刻胶双布局
徐州博康
未上市
KrF 完成产品验证,推进批量送样 —
华懋科技
603306
ArF 通过平台认证(参股徐州博康) —
圣泉集团
605589
上游树脂
i-line 树脂已量产、KrF 树脂导入中——光刻胶上游树脂国产化的关键卡位 —
飞凯材料
300398
封装光刻胶 + 湿制程化学品,主攻凸块(Bumping)、RDL 先进封装材料 —
一句话总结当前状态

KrF 已破局(彤程稳定量产 60+ 款、鼎龙 8 款获批量订单),ArF 在爬坡(南大独家商业化但产能仅 50 吨、尚未满产),EUV 是无人区(国内无成熟研发与量产能力,3–5 年内难有商用样品)。

不存在弯道超车,只能分层攻坚:用 KrF 验证成熟制程耗材的量产能力,把 ArF 作为未来数年的攻坚重心,EUV 是长期方向。B

09两品类对比与数据冲突清单

9.1 掩膜版 vs 光刻胶

维度光掩膜版光刻胶及配套
占材料成本12%–13%5%–13%(口径差异大)
国产化率整体 ≈10%,高端 ≈3%g/i 20%–30%、KrF 1%–8%、ArF <1%–3%、EUV 0
全球集中度第三方 CR3 82.9%;含自制则自制占 65%日本五家 CR5 >85%;EUV 高达 99%
壁垒性质设备资本门槛(电子束写入/检测/修复设备,激光直写机单台数百万至上千万美元)+ 客户绑定配方 + 上游树脂(树脂占成本 40%–80%)+ 3–5 年验证周期
国内龙头路维光电(节点最领先、业绩最好)
清溢光电(55nm 突破、面板基本盘)
南大光电(ArF 独家)
彤程新材(KrF 龙头 + 树脂自供)
鼎龙股份(KrF/ArF 批量订单)
2026H1 业绩分化明显:路维 +35.8%、清溢 +28.2%、龙图净利腰斩、冠石亏损光刻胶板块普遍处于验证/爬坡期,收入规模小(南大光刻胶 2025 年营收仅突破 2,000 万元)
最大风险12 英寸 + High-NA 抬升资本门槛,中小厂商出清上游树脂/光敏剂依赖日韩;EUV 完全空白;JSR 国有化显示日本视其为战略物资
观察指标各家 28nm/14nm 节点验证与供货时点;厦门/佛山/珠海基地投产爬坡节奏南大 ArF 产能利用率与 500 吨项目转固;彤程镇江 ArF 产线释放;鼎龙潜江 300 吨线订单兑现
与第 1 批的横向定位

四批耗材按"国产替代难度"排序,本批两块是最难的:硅片(25%–30%)→ 电子特气(35%)→ 掩膜版(10%)→ 光刻胶(ArF <1%)。

但"难度大"不等于"没机会"——恰恰相反,掩膜版是唯一出现国内厂商在全球拿到两位数份额的环节(路维 G11 世代全球市占 19.21%),而光刻胶的 KrF 已真实破局。这两块的投资逻辑是"从 0 到 1 的验证兑现",弹性大于硅片,但确定性低于硅片与特气。

9.2 数据冲突清单

项目冲突数字本报告处理
光刻胶全球份额TOK 28%–30% / 18%;JSR 25%–27% / 30%;信越 12%–15% / 22%并列标注区间。差异可能源于"成品胶 vs 含树脂"、"半导体用 vs 全品类"
EUV 光刻胶玩家JSR/信越/TOK 三家 vs 信越/JSR/TOK/住友四家取三家(两个独立信源一致)
中国光刻胶市场规模115–125 亿元(2026E)vs 突破 200 亿元取 115–125 亿元;200 亿疑为含 PCB/面板的全口径
国内纯半导体光刻胶80–90 亿元 vs 80–100 亿元取 80–90 亿元区间
g/i 线国产化率20%–25% / 超 30% / 约 30%取 20%–30%
KrF 国产化率不足 5% / 1%–8% / 3%–5%取 1%–8%(区间最宽,覆盖各口径)
ArF 国产化率不足 1% / 不足 3%取 <1%–3%
南大光电产能18,200 吨(榜单)vs 50 吨(官方 ArF)采用 50 吨,并已在本节顶部标注口径陷阱(18,200 吨主体为电子特气)
掩膜版第三方份额民生:Toppan 31.4%/Photronics 28.6%/DNP 22.9%
另一源:Toppan 31.4%/DNP 28.6%/Photronics 22.9%
Photronics 与 DNP 数据在两源间对调,仅确认 CR3 = 82.9%,单家份额标注存疑
国内掩膜版技术节点"仅龙图一家 130nm、路维清溢停留 180nm"(2023–24 研报)vs 2026H1 实际进展以后者为准,前者已过时(见 §2 警示框)
本批未采信信息(C 级)