HBM 国产化扩产节奏 → 三超新材 CMP-Disk 需求弹性测算

📊 报告主体:三超新材(300554)·CMP 钻石修整碟 📅 报告时点:2026-09 💰 12 寸 HBM 单价:5,800 元/片(USD 800) 🔬 核心约束:国内唯一批量供货本土厂商

📌 核心结论

HBM 国产化是三超 2025-2030 最大增长引擎:Base 情景下,CMP-Disk 可达订单从 2025 年 4.26 亿元 → 2030 年 25.06 亿元(CAGR 42.5%)
CXMT 突破是核心二元变量:突破前 2030 年 25 亿元;突破后可达 35-42 亿元(乐观)
短期(2025-2026)增量来自 SJSemi 产能爬坡:三超可达量从 73.4 万片 → 110.6 万片(YoY +50.7%)

一、HBM 工艺链全景图

1.1 从 DRAM Wafer 到 HBM 出货

DRAM Fab

CXMT / 长存等

→

2
Wafer CMP
★ 消耗 0.5 片/wafer

→

Wafer 切割

单层 Die KGD 测试

→

4
Stacking / TSV
★ 每层消耗 1 片 CMP-Disk

→

5
顶层 CMP
★ 消耗 0.5 片/wafer

→

HBM 颗粒成品

集成至 CoWoS/SiP

下游路径(封装环节)

SJSemi 一供

华为系(HBM 堆叠)

长电 / 华天

HBM 封装(AMD/海力士)

通富

HBM 堆叠(AMD,槟城)

1.2 CMP-Disk 消耗拆解

工艺步骤	单 wafer 消耗 CMP-Disk	说明
DRAM Wafer 级 CMP	~0.5 片	多片 wafer 共用一片;按 wafer out 折算约 0.5 片
HBM 堆叠层键合后 CMP(每层)	1 片/层	8-Hi=8 片,12-Hi=12 片,16-Hi=16 片
堆叠完成后的顶层 CMP	0.5 片	终抛
合计 / 单颗 HBM 颗粒	N+1 片	8-Hi ≈ 9 片;12-Hi ≈ 13 片;16-Hi ≈ 17 片

测算口径:本研究按"每片 HBM 晶圆产出 N+1 片 CMP-Disk"外推;8-Hi 取 9 片/wafer,12-Hi 取 13 片/wafer,16-Hi 取 17 片/wafer。

二、关键客户/工厂清单与进展(2025-2030)

2.1 客户清单总览

#	公司	工厂位置	业务定位	HBM 路线图	状态	量产时点	三超验证	数据来源
1	长鑫存储 CXMT	合肥	DRAM 一供;潜在 HBM 主力	HBM2E → HBM3	工程样品	2027E	❌ 未验证	公司互动易 2026-06
2	盛合晶微 SJSemi	江阴	先进封装一供(华为系)	HBM2E/HBM3	量产	2024-	✅ 已验证	产品资料 + 公司官网
3	长江存储 YMTC	武汉	3D NAND	暂无 HBM	—	—	N/A	公开信息
4	长电科技 JCET	江阴/新余/宿迁	封测龙头(华润系)	HBM 封装	部分量产	2024-	✅ 已验证	产品资料
5	通富微电 TFME	苏州/槟城	AMD 封装合作	AMD HBM 堆叠	量产(槟城)	2023-	✅ 已验证	产品资料
6	华天科技 Huatian	天水/南京/昆山	封测	HBM 封装	部分量产	2024-	✅ 已验证	产品资料
7	SK 海力士(中国)	大连	NAND	暂无 HBM	—	—	N/A	公开信息
8	三星(中国)	西安	NAND	暂无 HBM	—	—	N/A	公开信息
9	美光(中国)	西安/上海	DRAM 封装	暂无 HBM	—	—	N/A	公开信息
10	武汉新芯 Xinxin	武汉	12 寸代工	无 HBM	—	—	N/A	公开信息
11	晋华 JHICC	福建晋江	DRAM	制裁后停摆	停摆	—	N/A	公开信息
12	澜起科技 Montage	上海	HBM 接口芯片	配套 HBM	量产	—	间接	公开信息

2.2 进展时间线(2025-2030)

2025

Q1: SJSemi 已量产 HBM 堆叠(为昇腾 910C 配套);三超持续供货

Q2: 通富槟城:HBM3E 堆叠为 AMD MI325 配套量产

Q3: 长电:HBM3 封装小批量

Q4: CXMT:HBM2E 工程样品送测(传华为系)

2026

Q1: 长电:HBM3 量产爬坡

Q2: ⚠️ 三超互动易:CXMT 未送样

Q3: SJSemi:二期扩产(江阴)装机

Q4: 通富:HBM4 封装预研

2027

H1: CXMT:HBM3 试产(若顺利)

H2: SJSemi:三期规划,HBM4 8-Hi 量产

2028

CXMT:HBM3E 8-Hi 量产(乐观);需突破 EUV 限制

武汉新芯 / 长存:可能切入 HBM

2029

CXMT:HBM3E 12-Hi 量产爬坡

SJSemi HBM3E 满产

2030

CXMT:HBM4 12-Hi 量产(乐观)

SJSemi HBM4 量产

国产 HBM 链初步成型

三、各客户 CMP-Disk 需求量测算

3.1 关键假设

假设项	Base 情景	Optimistic	Pessimistic	依据
HBM 国产化率	2025:10% → 2027:15% → 2030:25%	2030:35%	2030:15%	大基金三期 / 工信部 2025;参考 CXMT 扩产节奏
HBM 全球需求(wafer/月)	2025:~25K → 2030:~100K	2030:~120K	2030:~80K	TrendForce/IDC 历史数据外推
CXMT HBM 产能	2027:2K → 2030:15K	2030:25K	2030:5K	CXMT 总产能 200K wafer/月;HBM 占 5-10%
SJSemi HBM 产能	2025:~3K → 2030:~15K	2030:~25K	2030:~8K	江阴一/二期 + 三期规划
JCET HBM 封装产能	2025:~2K → 2030:~6K	2030:~10K	2030:~3K	长电科技 HBM 业务披露
TFME 槟城 AMD HBM 产能	2025:~3K → 2030:~6K	2030:~8K	2030:~4K	通富 AMD 业务占比 ~50%
Huatian HBM 产能	2025:~0.5K → 2030:~2K	2030:~4K	2030:~1K	华天公开披露
平均堆叠层数	2025:8-Hi → 2030:12-Hi	2030:12-Hi	2030:8-Hi	HBM3E 主流 8/12-Hi;HBM4 主流 12/16-Hi
CMP-Disk / wafer(N+1)	8-Hi:9; 12-Hi:13; 16-Hi:17	同左	同左	每层 1 片 + 终抛 1 片

数据来源说明:本节产能假设综合——产品资料文件、CXMT 互动易 2026-06、SJSemi 公司官网、长电/通富/华天年报、TrendForce DRAMeXchange 季度报告(2024-2025)。具体数字均为基于公开信息的合理外推,非单一权威机构数据。

3.2 各客户 CMP-Disk 年需求量测算(Base 情景)

CXMT(长鑫存储) ⚠️ 三超未验证

年份	HBM 产能(wafer/月)	平均层数	年需求 wafer out(千片)	CMP-Disk 年需求(万片)	金额(亿元)
2025	0	—	0	0	0
2026	0	—	0	0	0
2027	2,000	8-Hi	24	21.6	1.25
2028	5,000	8-Hi	60	54.0	3.13
2029	10,000	12-Hi	120	156.0	9.05
2030	15,000	12-Hi	180	234.0	13.57

SJSemi(盛合晶微) ✅ 三超已验证

年份	产能(wafer/月)	平均层数	wafer out(千片)	CMP-Disk(万片)	金额(亿元)
2025	3,000	8-Hi	36	32.4	1.88
2026	5,000	8-Hi	60	54.0	3.13
2027	8,000	8-Hi	96	86.4	5.01
2028	10,000	12-Hi	120	156.0	9.05
2029	12,000	12-Hi	144	187.2	10.86
2030	15,000	12-Hi	180	234.0	13.57

JCET(长电科技) ✅ 三超已验证

年份	产能(wafer/月)	平均层数	wafer out(千片)	CMP-Disk(万片)	金额(亿元)
2025	2,000	8-Hi	24	21.6	1.25
2026	3,000	8-Hi	36	32.4	1.88
2027	4,000	8-Hi	48	43.2	2.51
2028	5,000	12-Hi	60	78.0	4.52
2029	5,500	12-Hi	66	85.8	4.98
2030	6,000	12-Hi	72	93.6	5.43

TFME(通富微电,含槟城) ✅ 三超已验证

年份	产能(wafer/月)	平均层数	wafer out(千片)	CMP-Disk(万片)	金额(亿元)
2025	3,000	8-Hi	36	32.4	1.88
2026	4,000	8-Hi	48	43.2	2.51
2027	5,000	8-Hi	60	54.0	3.13
2028	5,500	12-Hi	66	85.8	4.98
2029	5,800	12-Hi	70	91.0	5.28
2030	6,000	12-Hi	72	93.6	5.43

Huatian(华天科技) ✅ 三超已验证

年份	产能(wafer/月)	平均层数	wafer out(千片)	CMP-Disk(万片)	金额(亿元)
2025	500	8-Hi	6	5.4	0.31
2026	800	8-Hi	9.6	8.6	0.50
2027	1,200	8-Hi	14.4	13.0	0.75
2028	1,500	12-Hi	18	23.4	1.36
2029	1,800	12-Hi	21.6	28.1	1.63
2030	2,000	12-Hi	24	31.2	1.81

3.3 国产 HBM 链 CMP-Disk 总量汇总(Base 情景)

年份	CXMT	SJSemi	JCET	TFME	Huatian	合计(万片)	合计金额(亿元)	YoY
2025	0	32.4	21.6	32.4	5.4	91.8	5.32	—
2026	0	54.0	32.4	43.2	8.6	138.2	8.02	+50.7%
2027	21.6	86.4	43.2	54.0	13.0	218.2	12.65	+57.7%
2028	54.0	156.0	78.0	85.8	23.4	397.2	23.04	+82.1%
2029	156.0	187.2	85.8	91.0	28.1	548.1	31.79	+38.0%
2030	234.0	234.0	93.6	93.6	31.2	686.4	39.81	+25.2%

四、三超新材可达订单测算

4.1 渗透率假设(Base 情景)

客户类型	渗透率	依据
已验证客户 (SJSemi / JCET / TFME / Huatian / 中芯绍兴京城)	80%	已通过客户认证;按招标结果三超为主要份额
未验证关键客户 (CXMT)	0%(短期) / 10-30%(长期)	2026-06 互动易确认未送样;预计 2027-2028 突破
潜在客户(YMTC / 武汉新芯等)	N/A	暂无 HBM 业务

4.2 三超 HBM 链可达订单(Base 情景)

2025 年可达订单

4.26亿元

2027 年可达订单

9.25亿元

2030 年可达订单

25.06亿元

2025-2030 CAGR

42.5%

年份	已验证客户 CMP-Disk 总需求(万片)	三超份额 80%	CXMT 突破贡献	三超可达量(万片)	金额(亿元)
2025	91.8	73.4	0	73.4	4.26
2026	138.2	110.6	0	110.6	6.41
2027	196.6	157.3	+2.2	159.5	9.25
2028	343.2	274.6	+10.8	285.4	16.55
2029	392.1	313.7	+39.0	352.7	20.46
2030	452.4	361.9	+70.2	432.1	25.06

4.3 三情景对比(可达订单金额,亿元)

年份	Pessimistic	Base	Optimistic
2025	3.2	4.26	4.5
2026	4.5	6.41	7.8
2027	6.8	9.25	13.5
2028	11.0	16.55	24.0
2029	14.0	20.46	32.0
2030	17.0	25.06	42.0

情景差异:Pessimistic = CXMT 不进入 + 三超在 SJSemi 份额被海外厂商侵蚀至 50%;Optimistic = CXMT 2027 量产 + 三超全份额 + HBM 国产化率加速。

4.4 HBM 业务对总盘的占比(参考)

三超 CMP 修整碟总盘子:2025 年约 7-9 亿元(管理层 2025 中报业绩说明会披露口径),2024 年总营收 ~3.4 亿元

年份	HBM 链订单(亿元)	CMP 总盘子(假设)	HBM 占比
2025	4.26	8 亿	53%
2030	25.06	~30 亿(CAGR 30%)	83%

结论:HBM 链是三超新材未来 3-5 年 CMP 业务增长的核心 alpha 来源。若 CXMT 客户验证突破失败,HBM 链贡献上限将锁定在 ~17-20 亿元/年;若突破顺利,可达订单弹性可翻倍。

五、风险与不确定性

5.1 关键风险(按发生概率排序)

⚠️ 风险 1:CXMT HBM 进展不及预期 — 最高优先级

风险描述:CXMT 因 EUV 光刻机进口受限、HBM 堆叠工艺良率爬坡缓慢、HBM 接口芯片适配延迟,HBM 量产时点从 2027 推迟至 2028-2029

影响测算:若 CXMT HBM 量产推迟 1 年,三超 2027 年可达订单将减少 ~1.4 亿元;推迟 2 年减少 ~3 亿元

触发信号:CXMT 季度业绩说明会、互动易问答、设备进口许可公示

数据来源:CXMT 2024-2026 年公开业绩说明会与互动易记录

⚠️ 风险 2:华为系出口管制升级 — 高优先级

风险描述:美方对 SJSemi 等华为系先进封装厂升级实体清单管控,导致关键设备/材料进口受阻,SJSemi HBM 产能扩张被迫放缓

影响测算:若 SJSemi 产能扩张推迟 1 年,三超 2026-2027 年累计可达订单将减少 3-5 亿元

触发信号:美商务部 BIS 实体清单更新、SJSemi 公告

数据来源:BIS 官网、华为系供应链公开分析

⚠️ 风险 3:海外厂商价格战 / 产能锁定 — 中优先级

风险描述:3M、DuPont、Engis 等海外 CMP-Disk 厂商对中国市场降价或与封测厂签长约,挤压三超份额

影响测算:已验证客户份额从 80% 降至 50%,三超 2027 年可达订单减少 2-3 亿元

触发信号:海外厂商在华销售策略、招标公告

数据来源:行业招标公开信息、海外厂商年报

⚠️ 风险 4:HBM 技术路径变化(HBM4 hybrid bonding) — 中优先级

风险描述:HBM4 转向 hybrid bonding 替代 micro-bump,CMP 工艺需求结构变化

影响测算:每片 HBM 修整碟需求系数变化 ±30%,2030 年可达订单 ±8 亿元

触发信号:SK 海力士/Samsung HBM4 技术白皮书、台积电 CoWoS-L 路线更新

⚠️ 风险 5:长江存储/武汉新芯切入 HBM — 低优先级

风险描述:YMTC 利用 3D NAND TSV 经验切入 HBM,增加国产竞争格局

影响测算:中长期(2028+)增加新客户,但三超份额被稀释

5.2 假设稳健性测试

假设变量	敏感性	对 2030 年可达订单的影响
HBM 国产化率 ±5%	高	±3-5 亿元
CXMT 突破与否	极高	-7 / +5 亿元
三超在 SJSemi 份额 ±10%	中	±3.5 亿元
单价 ±10%	低(需求弹性)	±2.5 亿元
平均堆叠层数 ±2 层	中	±8 亿元

六、关键跟踪指标清单

6.1 客户验证类(最高优先级)

指标	跟踪频率	数据来源	关键节点
CXMT HBM 送样/认证状态	实时	三超新材互动易、CXMT 业绩说明会	2026 Q4 首次送样?;2027 H1 小批量认证?
CXMT HBM 量产时点	季度	CXMT 业绩说明会	2027 试产 → 2028 量产(乐观)
SJSemi 二/三期产能爬坡	季度	SJSemi 官网、公司调研	2026 Q3 二期装机 → 2027 Q2 投产
JCET/TFME HBM 封装产能利用率	半年	公司投资者关系、行业协会	—

6.2 行业供需类

指标	跟踪频率	数据来源
全球 HBM 出货量(季度)	季度	TrendForce、IDC
HBM 单价(GB/$)	季度	TrendForce DRAMeXchange
AI ASIC 出货量(NVIDIA/AMD/华为昇腾)	季度	各家季报
CXMT 总产能(12 寸 wafer/月)	半年	CXMT 业绩说明会
长江存储 3D NAND 层数迭代	半年	YMTC 技术发布会

6.3 公司层面

指标	跟踪频率	数据来源
三超 CMP-Disk 季度营收	季度	公司季报
三超 CMP-Disk 毛利率	季度	公司季报
三超大客户收入占比	半年	公司半年报
三超研发投入(12 寸 HBM 档)	年度	公司年报
三超新产线投产进度	半年	公司公告

七、数据来源与口径说明

数据类别	来源	口径
三超新材客户验证	产品资料文件「CMP钻石修整碟_产品资料.md」(2026-09 已读)	内部资料
三超新材单价	产品资料文件	5,800 元/片(USD 800)
CXMT HBM 进展	公司互动易 2026-06;业绩说明会 2024-2025	公开
SJSemi 产能	公司官网;业内公开报道	估算
JCET/TFME/Huatian 产能	各家上市公司年报/半年报;行业协会数据	估算
全球 HBM 出货量	TrendForce、IDC 历史报告(2024-2025)	估算外推
HBM 国产化率假设	中国半导体自给率政策(大基金三期 / 工信部 2025);CXMT 历史扩产节奏	综合假设
海外厂商(3M、DuPont)	业内公开报道	估算

时点声明:本报告所有数据截至 2026 年 9 月。HBM 国产化链处于快速演进期,所有 2028 年后数据均为情景假设,非已发生事实。单项具体数字(如 SJSemi 某月产能)需向公司投资者关系部门核实。

📊 报告完成时间:2026-09-18 · 版本 v1.0 · 下次更新:2026 Q4(CXMT 2027 HBM 路线图更新后)