A 股个股深度资料 · 半导体耗材 · 国产替代

三超新材(300554.SZ)CMP 钻石修整碟
综合研究 · 总览

主体研发:江苏三晶半导体材料有限公司 集成报告:6 份 生成日期:2026-09-18
CMP 耗材 HBM 先进封装 国产替代 CXMT 跟踪

核心结论(整合四份研究)

市场格局
国内 100%
国产份额(已量产唯一)
+ 全球 <5%(海外几无)
工程差距 vs 3M
≤5μm / <100ppm
平整度 / 脱落率
(3M: ≤3μm / <50ppm)
价格优势
-30~50%
vs 进口 RMB4500-6500/片
导入后价格下行空间
公司营收占比
<5%
2025-12 互动易明确
2026H1 +19.45% 业绩拐点

估值(三情景综合目标市值)

情景综合市值DCF EVEV/Rev 混合核心假设
Bear 6.94 亿元 5.68 7.78 CXMT 未准入 / 产能利用率 60% / HBM 单价 -15%
Base 12.20 亿元 5.52 16.65 CXMT 2027 准入 / 产能利用率 80% / HBM 占比 15%
Bull 22.01 亿元 5.04 33.33 CXMT 2026 准入并放量 / 产能利用率 95% / HBM 占比 30%

综合目标市值 = DCF × 40% + EV/Revenue × 60%。DCF 对重资本扩张天然不友好,综合后更能反映 CXMT 准入的增量价值。

HBM 链驱动下的可达订单

情景202520262027202820292030
Pessimistic —————17 亿
Base 4.266.419.2516.5520.4625.06 亿
Optimistic —————42 亿

国内同赛道格局(2026-09 时点)

进度公司关键定位
已量产 三超新材 (300554)江苏三晶,电铸镍基 + 激光微刻蚀,国产唯一
润平电子 (未上市)上海,CVD 钻石碟,差异化工艺路径
在研 / 小批量 鼎龙股份 (300054)抛光垫客户共享,潜在最大威胁
未涉及 华海清科 (688120)CMP 设备龙头,暂无 Disk 产品
安集科技 (688019)CMP 抛光液龙头,聚焦化学液
江丰电子 (300666)半导体靶材,工艺相关
中钨高新 (000657)金刚石微粉上游
国机精工 (002046)金刚石工艺基础,需跟踪
北方华创 (002371)设备龙头,耗材非主营

新进入者立项到客户认证至少需要 3-5 年,三超先发优势窗口期较长。

三大共性风险(交叉印证)

  1. CXMT HBM 进展不及预期 — 最高优先级
    2026-06 互动易已确认未送样;EUV 出口管制 + HBM 堆叠工艺良率爬坡慢; CXMT 突破与否是核心二元变量(突破前 2030 年 25 亿元 / 突破后乐观 35-42 亿元)。
  2. 华为系出口管制升级 — 高优先级
    盛合晶微(SJSemi,三超已验证最大 HBM 客户)若进 BIS 实体清单,2026-2027 累计订单减 3-5 亿元。
  3. 鼎龙股份切入 CMP-Disk — 中优先级
    共享抛光垫客户(中芯国际、长江存储、华虹),若切入可凭渠道快速渗透; 此外 HBM4 转向 hybrid bonding 可能改变 CMP 工艺结构,需求系数 ±30%。

关键跟踪节点(季度)

节点跟踪源频次
CXMT 送样进展互动易 / 调研纪要季度
中芯系新工厂导入节奏公司季报 / 中芯国际公告季度
盛合晶微订单兑现公司季报季度
华润微二代线切换进度公司 / 华润微公告半年
月度产能利用率(目标 2000 片/月→2027 5 万片/年)业绩说明会月度
良率爬升(目标 90%)互动易 / 调研季度
CMP-Disk 占公司营收比例半年报 / 年报强制披露
3M / SAESOL / Kinik 国内售价行业调研半年

报告导航

顶部 tab 可在 7 个分报告间切换,每份报告保留了独立的章节结构和数据表格。

投资判断要点:三超新材在 CMP-Disk 细分赛道凭借"国产唯一 + 技术闭环 + 龙头客户 + HBM 增量"四维优势构筑 1-2 年先发壁垒; 短期看 CXMT 准入节奏,中期看 12 寸 HBM 国产化扩产对耗材的拉动,长期看 CVD 金刚石涂层路线能否跟上 5nm 以下节点需求。 当前占公司营收比例仍较小(<5%),HBM 叙事尚未完全反映到财务数据中。
深度专题 · 公司控制权变动与技术来源

重组与 CMP-Disk 技术深度分析

主体:南京三超新材料 300554.SZ CMP-Disk 主体:江苏三晶半导体材料 报告时点:2026-09-18
控制权变更 2025-08 重组 技术来源 江苏三晶 中村超硬
报告时点:2026-09-18
信息来源:公司公告(diasc.com.cn / 东方财富 / 深交所互动易)、新华工商时报、新京报、中国经营报、证券时报、QQ 财经、爱企查、快懂百科、东方财富股吧等(详见末页引用)
目的:在已有 5 份研究基础上,补足"重组 + 技术负责人 + 技术来源 + 与 CMP-Disk 业务关系"这四块拼图

1. 一句话结论

三超新材的本质是一家"超硬材料 → CMP-Disk"技术演化型公司,从 1999 年邹余耀白手起家做金刚石砂轮起家,到 2008 年立项金刚线(2017 年成为"金刚线第一股"),再 2014 年起花近 10 年死磕 CMP-Disk,2022 年完成工艺升级、2024-2025 年实现国产唯一量产。

2025-08 控制权变更是光伏老兵柳敬麒借壳上市 + 资金注入 + 业务"去金刚线化、强半导体化"的转型重置,

CMP-Disk 业务是新旧两届董事会唯一高度共识的战略核心(2026-04 业绩说明会柳敬麒明确表态"加强 CMP Disk 应用研究")。

2. 重组时间线(完整版)

2.1 邹余耀时代 — 创立到上市(1999-2017)

时间 事件 关键数字

| 1999-01 | 南京三超金刚石工具有限公司成立 | 注册资本 51 万,3 个合伙人凑 10 万起家 |

| 1999-2005 | 磁性材料行业用金刚石砂轮国产替代,拿下几乎所有客户 | 实现原始积累 |

| 2008 | 立项金刚线(光伏切割场景) | 拿到国家创新基金支持 |

| 2011-12 | 引入凯风万盛等创投 | — |

| 2014-03 | 设立江苏三超金刚石工具(全资) | 句容生产基地 |

| 2014-07 | 引入镇江协立等创投 | — |

| 2014-12 | 改制股份公司,更名"南京三超新材料" | 注册资本 3,900 万 |

| 2016-06 | 在日本横滨设立株式会社 SCD | 全资子公司,2 亿日元 |

| 2017-04-21 | 深交所创业板上市 | "金刚线第一股" |

| 2017 | 当年净利润 8,612.67 万元,同比 +127.14% | 巅峰时刻 |

2.2 半导体转型布局(2014-2022)

时间 事件 战略意义

| 2014 | 立项研发 CMP-Disk(在原 IC 砂轮事业部框架下) | 起步阶段,几乎全部依赖日本专家 |

| 2016-06 | SCD 成立(横滨)— 海外技术桥头堡 | 引入日方资深技术专家主导核心配方 |

| 2019 | 落地日本广岛三原市精密金刚石工具研发实验室 | 升级为有自研能力的实验室 |

| 2019-08 | 以 19 亿日元收购株式会社中村超硬的冲绳工厂 + 大阪和泉工厂 + 3 亿日元的金刚线制造设备 | 关键技术来源 — 中村超硬是日本金刚线/CMP-Disk 老牌厂 |

| 2020-02 | SCD 从横滨迁至广岛三原市下北方 1 丁目 10 番 15 号 | 强化日本研发基地 |

| 2021-12-24 | 设立控股子公司江苏三晶半导体材料 | CMP-Disk 业务正式独立运营,注册资本 5,000 万 |

| 2022-07 | 设立全资子公司江苏三泓(淮安金湖)— 金刚线扩产 | 平衡光伏业务 |

| 2022-10/11 | 设立控股子公司江苏三芯精密机械(原南京三芯)— 半导体设备 | 与 CMP-Disk 配套的减薄机/边抛机 |

| 2022 年 | CMP-Disk 完成产品工艺升级,推出"金刚石有序排布电镀工艺 CMP-Disk" | 邹余耀亲述:"经过近 10 年艰辛历程,在 2022 年完成了产品工艺升级" |

2.3 江苏三晶成立细节 — 核心团队与股权绑定(2021-2023)

设立时股权结构(2021-12):

出资方 出资额(万元) 持股 身份

| 三超新材 | 4,680 | 93.60% | 母公司 |

| 俞月国 | — | — | 三超金刚石精密电镀砂轮事业部 技术总监 |

| 徐永江 | — | — | 精密电镀砂轮事业 部部长 |

| 杨松彬 | — | — | 三超新材 IC 砂轮事业部 经理 |

| 楚磊 | — | — | 精密电镀砂轮事业部 研发经理 |

| 张金宇 | — | — | 软刀研发工程师 |

| 张富纬 | — | — | CMP-DISK 研发工程师 ← 关键 |

| 朱华超 | — | — | IC 砂轮事业部 研发工程师 |

| 司云云、崔蓉 | — | — | (其他核心员工) |

2023-02 员工持股平台落地:

2023-12 增资扩股:

2024-06:江苏三晶以 540 万元拍下南京市江宁区迎翠路 7 号翠屏科创大厦地块(经营场所升级)

2023-12 → 2025-09 江苏三晶财务变化:

2.4 控制权易主 — 2025-08 至今

2025-08-01 协议签署:

2025-11-24:第一期股份过户登记完成 → 控股股东变更为博达合一,实控人变更为柳敬麒

2025-12-02:原董事长邹余耀、原董事吉国胜/周海鑫/姜东星、独董李寒松/党耀国集体辞职

2025-12-17:博达合一提名的新董事会成员(柳敬麒/吴洪坤/ZHANG JING/王义涛+独董黄水荣/那恪)选举通过

2026-04-01:2025 年度业绩说明会(柳敬麒首次以新董事长身份公开亮相)

2026-06-30 前(计划):第二期股份转让完成,博达合一持股升至 16.62%

第二期 + 定增完成后:

3. 关键人物对比

维度 邹余耀(原实控人/创始人) 柳敬麒(新实控人)

| 出生 | 1970 | 1982(80 后) |

| 学历 | 大专,超硬材料专业,高级工程师 | 硕士,工商管理 |

| 行业经验 | 28 年(1991 起做金刚石砂轮) | 19 年(2007 起做光伏) |

| 创业起点 | 1999,3 个合伙人凑 10 万 | 2007,创立无锡博达能源 |

| 上一份事业 | 南京仪机股份(1991-1999)砂轮车间技术员/主任 | — |

| 主营领域 | 超硬材料精密工具(金刚石砂轮 + 金刚线) | 光伏组件(海外为主)+ 半导体新尝试 |

| 重大资产运作 | 2019 收购日本中村超硬冲绳/大阪工厂(19 亿日元) | 2019 收购 ET Solar(美国市场);2024-07 交建股份终止收购博达新能 |

| 财务表现(2024) | 三超新材营收下滑,亏损 1.41 亿 | 博达合一营收 21.63 亿,净利 3.95 亿 |

| 2025 表现 | 三超净利 -1.59 亿(亏幅扩大 12.86%) | 博达合一前三季度净利 5.35 亿,ROE 29.64% |

| 持股现状 | 22.95%(限售) | 通过博达合一间接持有 + 直接持股 15.79% |

| 当前职务 | 已辞去董事长、董事等所有职务,仍任江苏三晶法定代表人 | 三超新材董事长、法定代表人 |

对比解读:

4. CMP-Disk 技术来源

4.1 国内自主研发路径(2014 起,主体)

时点 研发事件 技术成果

| 2014 立项 | 邹余耀亲自带队,在 IC 砂轮事业部框架下立项 | 起步 |

| 2016-06 | 日本横滨设立株式会社 SCD,引入日方专家 | 海外技术桥头堡 |

| 2019 | 广岛三原市落地精密金刚石工具研发实验室 | 升级为自研实验室 |

| 2022 | 完成产品工艺升级 — "金刚石有序排布电镀工艺 CMP-Disk" | 国内唯一量产技术 |

| 2023 | 研发投入 3,671.34 万元(占总营收 7.63%),其中 >60% 投向 CMP-Disk | 新增 12 项专利(含 3 项 CMP-Disk 发明专利) |

| 2023 | 专项引进 1 名海外 CMP 耗材领域顶尖专家、1 名国内半导体超硬材料资深专家 + 1 名博士 + 多名硕士 | 团队升级 |

| 2024-09 | 子公司江苏三超金刚石工具入选国家级专精特新"小巨人" | 政府认证 |

| 2025 | 累计专利 92-100 项,多项国家及省市科技大奖 | 知识产权壁垒 |

4.2 海外技术来源 — 日本中村超硬收购(2019,关键技术来源)

这是 CMP-Disk 业务最关键的海外技术来源,但并购重组纪要披露中未明确指向 CMP-Disk 工艺,而是金刚线制造设备与冲绳/大阪工厂。三超通过收购获得了日本老牌超硬材料厂的核心工艺积累,这是 2022 年 CMP-Disk 工艺升级的隐性基础。

时点 交易 金额 标的

| 2019-08-31 | 江苏三超金刚石工具收购中村超硬冲绳工厂 + 大阪和泉工厂 | 19 亿日元(约 1.2 亿元 RMB) | 厂房 + 设备 + 工艺 Know-how |

| 2019-08-31 | 江苏三超收购中村超硬金刚线制造设备及生产工具 | 3 亿日元(约 1,900 万元 RMB) | 设备 |

| 2019-08-27 | 三超新材对株式会社 SCD 增资 | 1.5 亿日元 | SCD 资本金 |

| 2019-10-17 | SCD 收购日本三原市下北方一丁目土地 | 6,022.5 万日元 | 广岛研发基地土地 |

4.3 技术团队核心成员(2026 时点公开可查)

邹余耀本人:

CMP-Disk 核心研发团队(2021 江苏三晶成立时即核心出资人):

现任管理层(2025-12-17 起):

关键观察 — 半导体背景出身:

5. 重组与 CMP-Disk 业务的关系

5.1 重组动因(2024-2025)

旧主(邹余耀)困境:

新主(柳敬麒)诉求:

5.2 重组交易结构

步骤 交易 金额 占比

| 第一期股份转让 | 博达合一受让 1,025 万股 @ 24.52 元 | 2.51 亿 | 8.97% |

| 第二期股份转让(2026-06-30 前) | 博达合一受让邹余耀 873.54 万股 | (待定,不低于第一期单价) | 约 7.65% |

| 定增 | 博达合一以 19.52 元/股认购 2,181 万股 | 4.26 亿 | 约 19.10% |

| 表决权放弃 | 邹余耀放弃至多 100%(完成定增后恢复 50%);刘建勋永久放弃 | — | — |

| 博达合一最终持股 | 24.83%(第二期 + 定增完成后) | | |

额外动作:

5.3 业务协同的"双向喂养"

博达新能 → 三超新材(金刚线):

三超新材 → 博达新能(半导体技术):

CMP-Disk 业务在重组中的地位 — 核心战略不动摇:

时间点 表述 来源

| 2025-12 | "控股股东变更后,暂无变更原有业务的计划" | 公司答复投资者 |

| 2026-04-01 业绩说明会 | 柳敬麒公开表态:"加强 CMP Disk 应用研究"列为 2026 研发三大方向之一 | 雪球业绩说明会速递 |

| 2026-04-20 | 经营范围新增"电子专用材料制造/销售/研发"等 | 启信宝变更记录 |

| 2026-03-24 | 拟设立全资子公司实施电池技术研发项目(光伏延伸)→ 表明半导体仍是核心 | 并购重组一览 |

| 2025-12-29 | 为江苏三晶提供 17,300 万元担保(兴业银行镇江分行) | 担保进展公告 |

5.4 关键判断 — 重组对 CMP-Disk 业务的实际影响

维度 影响 评估

| 资金 | 博达合一注入 4.26 亿补流偿贷;江苏三晶 1.73 亿担保 → CMP-Disk 扩产资金来源稳定 | 正面 |

| 业务方向 | 新实控人公开承诺"不改变原有业务方向",且 2026 研发继续强调 CMP Disk | 正面 |

| 管理团队 | 一线技术团队(CMP-DISK 研发工程师张富纬等)未动,法人代表仍为邹余耀(技术延续) | 正面 |

| 海外渠道 | 博达系海外资源对 CMP-Disk 短期无直接帮助(海外客户主要是 3M/Saesol/Kinik 既有渠道) | 中性 |

| 战略专注度 | 博达新需配套光伏(钙钛矿实验基地 2.4 亿)→ 新东家可能让光伏和半导体双线作战,半导体资源被分散 | 风险 |

| 资本市场 | 借壳后,公司估值有望从制造业向半导体材料赛道切换,PE 修复空间存在 | 正面 |

| CXMT 等关键客户 | 新东家无半导体背景,对中国半导体客户(中芯/盛合/华润微)关系无补充 | 中性 |

6. 关键风险(重组维度)

6.1 控股股东稳定性风险

6.2 战略协同不及预期风险

6.3 核心技术团队稳定性

6.4 资产减值历史包袱

7. 信息源可靠性分级

一级来源(高可靠,公司公告/官网)

来源 内容

| 三超新材官网 diasc.com.cn | 公司沿革、子公司列表、产品介绍 |

| 东方财富数据中心 data.eastmoney.com | 重组一览、公告全文 |

| 深交所互动易 | 公司答复 |

| 启信宝 qixin.com | 工商登记、股东、变更记录 |

| 快懂百科 baike.com | 邹余耀履历、专利信息 |

二级来源(中等可靠,媒体纪要)

来源 内容

| 新华工商时报《练就专啃技术"硬骨头"的"工业牙齿"》 | 邹余耀深度专访,关键 |

| 中国经济网 finance.ce.cn | 重组详细流程、套现金额 |

| 新京报(网易转载)163.com | 柳敬麒创业史、博达新能重组历史 |

| 中国经营报(腾讯新闻)news.qq.com | 董事会改组、新东家资产计划 |

| 证券时报网 stcn.com | 定增细节 |

| 雪球业绩说明会 xueqiu.com/382239018 | 2026-04 业绩会核心问答 |

| 散户吧sanhuba.cn | CMP-Disk 业务深度分析(含江苏三晶财务) |

| 东方财富股吧mguba.eastmoney.com | 2022 年关注函披露的 CMP-Disk 核心团队姓名 |

三级来源(参考)

来源 内容

| 爱企查行业地位分析 | 行业地位定性描述 |

| QQ 财经so.html5.qq.com | 2025 年报、董事长致辞解读 |

| 中商情报网s.askci.com | 邹余耀个人简介 |

8. 一句话总结

三超新材的重组是"光伏老兵借半导体壳上市 + 给超硬材料老兵 2.46 亿套现离场"的资本故事;CMP-Disk 业务是新旧两届董事会唯一高度共识的战略核心;技术来源混合自主研发(邹余耀+核心团队)+ 日本中村超硬收购+SCD 海外研发,但邹余耀+江苏三晶核心技术团队的稳定性是新业务能否持续兑现的关键变量。

短期(2026-2027)看重组资金到位 + 江苏三晶扩产 + 客户验证广度;中期看邹余耀是否会逐步退出江苏三晶法人代表身份、柳敬麒是否会注入更多半导体资源;长期看博达新能在海外是否能把三超的工具带出去(CMP-Disk 海外占比仍 < 5%)。

A 股个股深度资料 · 半导体材料

三超新材 CMP 钻石修整碟(CMP-Disk)产品资料

股票:南京三超新材料股份有限公司 300554.SZ 主体研发子公司:江苏三晶半导体材料有限公司 报告生成:2026-09-18
半导体耗材 国产替代 CMP HBM 先进封装

1. 产品是什么 — 一句话定义

CMP-Disk(Chemical Mechanical Polishing Diamond Conditioning Disk,钻石修整碟 / 钻石研磨盘)是一种表面镶嵌有规则排布金刚石颗粒的圆盘形精密工具,在化学机械抛光(CMP)过程中对抛光垫(pad)进行在线或离线修整(dressing / conditioning),以恢复 pad 表面粗糙度与孔隙结构、稳定材料去除率,是 CMP 工艺必不可少的核心耗材。

  • 占 CMP 材料总成本约 10%(硅片再生、先进逻辑、存储制程通用)
  • HBM / Chiplet 等多次堆叠场景中,每完成一层堆叠就需要一次 CMP,8 层 HBM 即消耗 8 片 CMP-Disk,用量数倍于传统 DRAM
  • 公司 2025-06-05 互动易答复:"适用于所有精度的半导体芯片制造过程中抛光垫的修整",覆盖成熟制程到 5nm 及以下先进节点

2. 工作原理与工艺位置

2.1 CMP 工艺链中的位置

晶圆制造(前道)、先进封装(后道)、硅片再生、第三代半导体 SiC/GaN 衬底加工均需要 CMP 把晶圆表面磨平到纳米级。CMP 工艺的核心耗材链路:

耗材占 CMP 材料成本功能
抛光垫 (polishing pad)~30-40%直接接触晶圆,提供机械与化学环境
抛光液 (slurry)~40-50%提供化学腐蚀 + 机械磨粒
CMP-Disk (钻石修整碟)~10%在线/离线修整 pad 表面,恢复 pad 表面织构
清洁剂、后段化学品余下清洗与表面处理

2.2 Pad 为什么要修整?

抛光垫使用过程中会出现三种劣化(行业统称"pad decay"):

  1. 釉化 (glazing) — 抛光副产物堵塞 pad 孔隙,pad 表面变光滑、疏水
  2. 磨粒钝化 — pad 表面微观凸起(asperity)被磨平
  3. 形貌变形 — pad 不同区域磨损不均,导致晶圆内平坦度差异

如不修整,padding 的传输抛光液能力下降,材料去除率逐步衰减、稳定性变差,pad 寿命直接缩短 30-50%。CMP-Disk 通过机械刮削 pad 表面,重建 pad 的微粗糙度和开放孔隙结构,从而维持稳定的材料去除率、减少 wafer-to-wafer 差异、延长 pad 寿命(从 ~50 小时延长到 ~150 小时以上)、减少 pad 更换频次,提升设备稼动率。

2.3 修整方式

  • in-situ(在线):在抛光一片 wafer 的同时,钻石碟以受控的下压力(典型 3-10 lbs)扫掠 pad 表面
  • ex-situ(离线):换片之间单独做 pad 维护

钻石碟安装在 conditioning arm 上,随主轴旋转同时做水平扫掠,通过编程 sweep profile 可以实现分区域磨损速率控制,这是维持 pad 全寿命平整度的关键。

3. 三超新材 CMP-Disk 产品规格

3.1 核心技术特征

项目三超新材规格 / 表述行业基准 / 对标
产品形态圆盘型(disc),含整面型(full face)与环状(ring)两种行业通用
基底材质镍基合金烧结金刚石 / 不锈钢 / 聚碳酸酯(按工艺定制)3M 同档产品用 304/410 不锈钢、聚碳酸酯
金刚石类型单层金刚石网格,均匀排布3M A188/A2813/C 系列同档
颗粒排布技术"无叠砂"均匀排布 + 激光微刻蚀行业一般需 ≥3 层叠加
表面平整度≤2 μm(行业平均 ~5 μm)3M C 系列改善 40% 后仍约 ~3 μm
颗粒脱落率<1 ppm行业一般 5-20 ppm,脱落易划伤晶圆
适配粒径主流 40-250 μm,12 寸 HBM 用 250 μm 档与 3M 同档
适配工艺Cu bulk/barrier、W bulk/buff、PMD/ILD、STI、Final Buff、oxide、ECMP、WCMP 等覆盖全部主流 CMP 制程
适配尺寸6 / 8 / 12 英寸全规格同
适配节点全精度(含 5nm 及以下先进节点)同
寿命指标800+ 次/片(12 寸 HBM 用档)3M 同类 ~600 次

3.2 工艺路线对比

公开行业报告显示,CMP-Disk 主流技术路线正从电铸镍基结合剂向 CVD 多晶金刚石涂层过渡:

技术路线全球市占率 (2025)优势劣势
电铸/烧结镍基金刚石~47%(2025,降自 2021 约 72%)成熟、成本低、适用面广颗粒脱落风险、平整度依赖电镀工艺
CVD 多晶金刚石涂层~47%(2025,升自 2021 约 28%)一致性高、寿命长、颗粒污染低成本高、设备贵
3D 打印 / 激光微结构~6%(其他)沟槽精度亚微米级量产性待验证

三超新材当前主流量产路线为电铸镍基烧结金刚石 + 激光微刻蚀无叠砂排布(对应 3M 主流 A/C 系列对标档),同时在研/小批量 CVD 金刚石涂层工艺,以覆盖下一代 HBM4/3nm 节点。

4. 市场格局与竞争格局

4.1 市场规模

全球市场 (2025)
$1.27B
同比 +18.3%
全球出货量 (2025)
420 万片
14nm 以下先进制程占比 >55%
中国大陆市场 (2024)
¥18.5 亿
2026E ~¥26 亿 (CAGR ~15%)
国内份额 (三超)
~100%
国产口径唯一量产
注:不同来源统计口径差异较大。IIM 全球数据偏宏观(含前端+先进封装+硅片再生),雪球调研数据偏国内 Fab+封测实际用量。投资判断时建议同时参照 SEMI 及安集/鼎龙等可比公司年报披露。

4.2 竞争格局 — 全球三巨头垄断

厂商总部技术路线全球份额 (2025)国内份额
3M美国烧结镍基(完整 A/C/S/E 系列) + CVD 路线储备~34%(北美主导)~50-60%
SAESOL韩国镍基金刚石,主打存储 / Foundry~20%~15-20%
Kinik (台湾中砂)中国台湾烧结 + 电铸~15%~10-15%
三超新材 (江苏三晶)中国电铸/烧结镍基 + 激光微刻蚀<5%(海外几无)~100%(唯一量产国产)
其他 (Noritake、Asahi、Fujimi 等)日本 / 欧洲各家侧重不同余下余下

4.3 HBM 驱动下的需求增量

产品层数每次消耗 CMP-Disk单片价值量
传统 DDR0(无堆叠)n/an/a
HBM2E4-8 层4-8 片~$800 USD/片(高端)
HBM38-12 层8-12 片~$800 USD/片
HBM3E / HBM412-16 层(规划)12-16 片$800-1000 USD/片

用量数倍于传统 DRAM,叠加 SK 海力士 / 三星 / 美光 + 长鑫存储 + 国产 HBM 链扩产,2025-2030 年 CMP-Disk 需求年化 17-23%。

5. 三超新材产能与商业化进展

5.1 产能爬坡

时点有效产能良率来源
2024 年初< 1 万片/年~70%雪球调研纪要
2024 年底3 万片/年~75%雪球调研纪要
2025 H25 万片/年~80%雪球调研纪要
2026 年初 (2 月业绩会)2,000 片/月以上(年化 2.4 万片+)持续爬升雪球业绩说明会速递
2026 年规划8-10 万片/年目标 90%雪球调研纪要
重要提示:产能数字在不同来源差异较大,且公司未在公开公告中逐月披露。雪球调研纪要口径偏向规划上限,业绩说明会强调"实际产能 2000 片/月"。建议结合后续半年报披露的实际产销情况跟踪。

5.2 客户验证进度

客户类型客户进展时点
逻辑 Fab中芯国际绍兴工厂稳定量产,2024 Q3 起按月滚动下单,月 1.2-1.5k 片2025
逻辑 Fab中芯国际京城工厂全面导入,首批订单 800 片,2025 目标年需求 2 万片2025-2026
逻辑 Fab中芯国际其他 10+ 工厂在导入过程中,单厂预期收入 ~5,000 万元,合计潜在 7 亿元2026-2027
先进封装盛合晶微 (华为先进封装一供)全面导入,国产唯一,2025H1 锁定 3,000 片订单,预计收入 1.5 亿元2025-2026
功率 / IDM华润微"二代线"计划 2025 起全部切换国产,三超为唯一国产商2025-2026
封测长电科技、通富微电已完成送样或小批量供货2025
硅片再生友达、中环、合晶等再生晶圆厂已通过再生晶圆 CMP 制程考核2024-2025
存储长鑫存储 (CXMT)2026-06 互动易明确否认送样/准入2026-06
其他士兰微、燕东微等验证 / 小批量阶段2025-2026

5.3 收入与毛利率预期(非官方口径)

口径202420252026E2027E
CMP-Disk 收入 (规划上限)~0.5 亿~1.5 亿~3-5 亿~8-15 亿
毛利率45-50%45-50%45-50%45-50%
单价 — 6-8 寸1,200-1,400 元/片
单价 — 12 寸2,000-2,200 元/片
单价 — 12 寸 HBM 档~$800 USD/片(对应 ~5,800 元)
同规格 vs 3M 价差低 15-20%
注:上述收入预测为雪球 / 韭研公社调研口径,未在公司公开公告中正式披露。公司 2025-12-31 互动易明确:"CMP-Disk 在整体营收中占比较小"。投资判断应以公司半年报 / 年报披露的实际数据为准。

6. 三超新材的差异化优势

依据雪球调研纪要、公司互动易回复及公开研报,公司在 CMP-Disk 细分赛道构筑了 6 维护城河(部分为公司及卖方研报口径,需谨慎):

6.1 国内独家量产,先发卡位

  • 打破 3M / SAESOL / Kinik 三家垄断,国内"唯一"标签明确(已多次被雪球 / 韭研公社 / 华鑫研报重复验证)
  • 短期(1-2 年)难以被国内同行复制 — 因为需要同时具备:金刚石微粉处理工艺、电铸 / 烧结工艺、精密激光刻蚀设备、CMP 工艺端 Know-how
  • 享有"独占窗口期"溢价,客户在国产替代政策驱动下倾向优先采用

6.2 技术闭环 — 7 项发明专利构筑护城河

公开专利信息(雪球调研口径)涵盖:

  • 金刚石颗粒无叠砂均匀排布技术(解决划伤晶圆痛点)
  • 镍钴合金化烧结工艺(提升颗粒结合强度)
  • 激光微刻蚀工艺(实现亚微米级沟槽精度)
  • 金刚石微粉分级与处理工艺
  • 在用厚度监测集成技术
  • Pad 表面接触压力分布控制
  • 抗腐蚀基材配方

形成"金刚石微粉 → 烧结 → 激光刻蚀 → 工艺验证"的闭环。

6.3 客户验证最齐全 — Fab + 封测 + 再生三线突破

客户线代表客户状态
逻辑 Fab中芯国际绍兴 / 京城(12+ 工厂潜在)已量产 / 全面导入
先进封装盛合晶微(华为一供)唯一国产,2025 锁定 3,000 片
功率 IDM华润微二代线100% 国产切换
硅片再生友达 / 中环 / 合晶已通过考核
未覆盖的硬骨头:长鑫存储(2026-06 互动易明确尚未送样/准入),这是 HBM 链国产化中最大的潜在增量,需持续跟踪。

6.4 直接受益 HBM / Chiplet 增量

  • HBM 多次堆叠 × CMP 多次平坦化,用量数倍于传统 DRAM
  • 国产 HBM(长鑫、长存等)扩产周期内,公司处于"独家供货"位置
  • Chiplet / HBM 封装环节对 CMP-Disk 价值量与用量的拉动是长期叙事

6.5 成本-价格优势

  • 同规格 12 寸 CMP-Disk 售价 2,000-2,200 元/片,比 3M 低 15-20%
  • 毛利率仍维持 45-50%,具备持续降价空间以加速替代

6.6 产能弹性大,良率持续爬升

  • 设备国产化率高,扩产周期短(单产线 6-9 个月)
  • 良率从 70% 提升至 85%,目标 90%
  • 2026 规划产能 8-10 万片/年,对应产值上限 ~15 亿元

7. 关键风险

7.1 客户验证不及预期 — 高风险

  • 长鑫存储(CXMT)2026-06 互动易明确"尚未送样 / 准入"
  • 12 寸 HBM 国产化窗口期(2026-2028)是核心成长关键,若 CXMT 准入推迟,HBM 叙事将打折

7.2 国际厂商反制 — 中风险

  • 3M / SAESOL / Kinik 可能降价或绑定客户长期合约反制
  • 2025 年 3M CMP-Disk 涂层的"75% 金属析出降低"技术升级,可能再次拉高门槛

7.3 产能爬坡低于预期 — 中风险

  • 良率从 70% → 90% 的爬坡存在工艺波动
  • 关键设备(精密激光刻蚀机)国产化率不足,可能受供应链限制

7.4 公司经营风险 — 中风险

  • 2025 年公司归母净利润亏损 1.41 亿元(硅切片线价格战 + 资产减值 8,922 万元),2026 Q1 业绩说明会披露现金流"稳定健康"
  • 2025-08 控股股东变更为博达新能(柳敬麒),战略重心向光伏/半导体耗材倾斜,但光伏业务本身也存在价格战压力
  • 公司整体收入结构中,CMP-Disk 占比仍较小(2025-12 公司明确:"在整体营收中占比较小"),半导体耗材业务规模化贡献收入仍需时间

7.5 政策 / 出口管制风险 — 中风险

  • 超硬材料(金刚石微粉)已被列入中国出口管制清单(2025 起),反过来利好国产替代
  • 若美方进一步对中国晶圆厂 / 封测厂施加限制(如 HBM 出口管制),可能影响下游需求节奏

7.6 估值与流动性风险

  • 公司 2024 年 11 月公告显示流通市值 ~24 亿元,2025 年总市值波动较大
  • 题材股属性明显,股价弹性大但波动率高

8. 关键跟踪指标(投资跟踪清单)

跟踪项频率关注时点
中芯国际新工厂导入节奏季度每次深扩 / 新建 Fab 公告
盛合晶微订单兑现季度公司季报披露
长鑫存储送样进展季度互动易 / 调研纪要
华润微二代线切换进度半年公司 / 华润微公告
月度产能利用率月度业绩说明会 / 互动易
良率数据(目标 90%)季度互动易 / 调研
CMP-Disk 单价变化半年调研纪要
3M / SAESOL / Kinik 国内售价半年行业调研
HBM 国产化进展(长鑫 / 长存等)季度行业新闻
公司整体营收中 CMP-Disk 占比半年报 / 年报强制披露
公司经营性现金流季报强制披露
控股股东战略协同(博达新能)不定期公司公告

9. 与可比公司 / 产品的对比

项目三超新材3MSAESOLKinik (中砂)
产品定位12 寸 HBM + 8 寸成熟制程 + 6 寸再生全规格全节点12 寸存储 / Foundry12 寸 / 8 寸并存
工艺路线电铸/烧结镍基 + 激光刻蚀烧结镍基 (A/C/S/E)电铸镍基烧结 / 电铸
CVD 储备在研已推出涂层未公开未公开
国内份额 (2025-2026)~100%进口进口进口
全球份额 (2025)<5%~34%~20%~15%
价格 (12 寸)2,000-2,200 元2,500-2,800 元n/an/a
毛利率45-50%n/a(整体高毛利)n/an/a
主要客户中芯国际、盛合晶微、华润微、长电等Intel、TSMC、Samsung、SK 海力士等Samsung、SK 海力士TSMC、UMC 等

关键观察:三超新材的"国产唯一"在 HBM 增量 + 国产替代双重逻辑下,具备 1-2 年的明确先发窗口;但其全球份额仍低(<5%),且长鑫存储等关键客户尚未渗透,叙事尚未完全兑现。

10. 信息来源与可靠性分级

一级来源(高可靠,优先采纳)

  • 三超新材官网 diasc.com.cn/product/293.html — 产品定位、CMP-Disk 介绍页(2023-04 起)
  • 三超新材互动易答复(深交所互动易 / 搜狐 / 网易转载) — 产能、良率、客户验证进展(2024-2026 多轮)
  • 三超新材业绩说明会(价值在线,2026-04-01) — 战略、产能、业务进展
  • 公司公告(2025-08 / 2025-11) — 控股股东变更、博达合一注入
  • 华鑫证券公开研报 stock.quote.stockstar.com — 首次覆盖"买入"评级(2023-11-13)
  • 3M 官网技术文档 3m.com.cn — 工艺、规格、涂层技术对标
  • IIM 全球行业报告 iim.net.cn — 全球市场规模、出货、技术路线占比(2026)

二级来源(中等可靠,需交叉验证)

  • 雪球用户调研纪要 — 客户验证细节、产能数字、收入预测
  • 韭研公社作者文章 — 投资逻辑梳理(作者免责声明:"非投资建议")
  • 东方财富财富号、新浪财经 / 网易 / 搜狐转载互动易 — 二手转载,内容可靠

三级来源(低可靠,仅供旁证)

  • 各财经论坛(股吧、新浪股市汇等) — 个人投资者观点,情绪化数据
  • 部分自媒体"千亿市值"等标题 — 主观预测,不构成证据

11. 一句话总结

三超新材的 CMP-Disk 是 国产唯一量产、打破美 / 韩 / 台三巨头垄断 的半导体 CMP 关键耗材,在 HBM / Chiplet / 国产替代三重叙事下具备 1-2 年明确先发窗口;短期看长鑫存储等关键客户的准入节奏,中期看 12 寸 HBM 国产化扩产对耗材的拉动,长期看 CVD 金刚石涂层路线的技术升级能否跟上 5nm 以下节点需求。当前占公司营收比例仍较小(<5%),业绩弹性需要持续验证。
A 股个股深度资料 · 半导体材料 · 国产替代

三超新材 CMP 钻石修整碟(CMP-Disk)技术对标报告

股票:南京三超新材料股份有限公司 300554.SZ 主体研发子公司:江苏三晶半导体材料有限公司 对标基准:江苏三晶 SJ-Cu / SJ-W / SJ-Stine 系列 报告生成:2026-09-18
半导体耗材 国产替代 CMP HBM 先进封装 电铸镍 CVD

一、行业背景与对标必要性

CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光)是当前唯一能实现晶圆全局平坦化的工艺,广泛用于 Cu bulk / Cu barrier / W bulk / W buff / STI / PMD-ILD / Oxide / ECMP / WCMP 等关键步骤。CMP-Disk 在工艺中负责对抛光垫 pad 进行"在线修整"(in-situ conditioning),通过持续露出新磨料、维持 pad 粗糙度与孔隙结构,保证工艺稳定性与良率。

CMP-Disk 在 CMP 材料成本中占比约 10%,单台 12 寸 CMP 机台通常配置 1-3 张修整碟,12 寸晶圆厂月耗量在数十至上百张。

国内 12 寸晶圆厂长期使用的 CMP-Disk 全部依赖进口(美国 3M 主导、韩国 SAESOL / 中国台湾 Kinik 补充),江苏三晶于 2023 年量产下线后,首次实现国产替代。本报告对国内外 6 家厂商的产品矩阵、技术路线、客户验证进行横向对标。

二、总览对比表(6 家厂商横向对比)

对比项 三超新材
(江苏三晶)		 3M
(美国)		 SAESOL
(韩国)		 Kinik/中砂
(中国台湾)		 润平电子
(中国大陆)		 Draco Materials
(中国台湾天龙)
核心工艺 电铸镍基
(Electroplated Ni + 钻石)		 电铸镍基
(电铸+烧结+树脂)		 电铸镍基
(Ni + 钻石)		 烧结+电铸
(Sintered + Electroplated)		 CVD 化学气相沉积
全金刚石涂层		 电铸镍基
(电铸金刚石)
基底材质 SUS304 不锈钢 SUS304 不锈钢(主) 镍 + 不锈钢 烧结金属基体 + 不锈钢 高强度陶瓷 不锈钢
金刚石粒径(μm) 76-251(主力 120-152) 80-300(分工艺定制) 公开资料未披露 公开资料未披露 CVD 多晶,无固定粒径 公开资料未披露
底座直径(mm) Φ101.6 / Φ120 / Φ127 Φ107.95(主流 4.25") 公开资料未披露 公开资料未披露 标准 CMP 装夹规格 标准 CMP 装夹规格
颗粒结合技术 电铸镍 电铸镍 / 烧结 / 树脂 电铸镍 烧结 + 电铸 CVD 金刚石涂层
(无结合剂)		 电铸
颗粒脱落率 < 100 ppm(内部口径) < 50 ppm(行业基准) 公开资料未披露 公开资料未披露 接近 0 ppm(CVD 全金刚石) 公开资料未披露
表面平整度(μm) ≤ 5 ≤ 3 公开资料未披露 公开资料未披露 ≤ 2 公开资料未披露
适用晶圆尺寸 6 / 8 / 12 英寸 6 / 8 / 12 英寸 8 / 12 英寸 6 / 8 / 12 英寸 8 / 12 英寸 8 / 12 英寸
覆盖 CMP 工艺 Cu bulk / barrier /
W bulk / buff /
STI / PMD-ILD / Oxide		 Cu bulk / barrier /
W bulk / buff /
STI / PMD-ILD /
Tungsten bulk		 存储/Foundry
(具体工艺未披露)		 主流 Cu/W/STI/ILD 主流 CMP 主流 CMP
代表型号 SJ-Cu / SJ-W / SJ-Stine A188H / A2813 / A2810 /
C 系列 / E187 / E221 /
E3910 / E3920 /
S60 / S82 / S122 /
X251S / X252S /
A165-CIP / A189L		 S60 / S82 / S122(系列) 公开资料未披露 CVD-D 系列 公开资料未披露
量产时间 2023 1990s 量产 2000s 量产 1990s 2024 量产 公开资料未披露
公开价格区间 国产化前进口 RMB 4500-6500/张,
三晶导入后预计下行 30%-50%		 USD 700-1200/张 公开资料未披露 公开资料未披露 国产化定位中端 公开资料未披露
客户验证状态 已通过部分国内 12 寸 fab 验证,
小批量供货		 全球所有先进 fab 三星/SK 海力士/
部分 Foundry		 TSMC / 联电 / GlobalFoundries 国内某 12 寸 fab 验证中 中国台湾本土晶圆厂

说明:三超新材系列号为江苏三晶内部命名规则。3M 产品线系列号沿用官方命名规则。SAESOL S60/S82/S122 系列型号系行业惯例映射,SAESOL 官方页面公开资料未披露工艺细节。

三、分厂商详情卡

3.1 3M(美国)— 全球 CMP-Disk 行业开创者与主导者
行业基准
电铸镍 + 烧结 + 树脂三工艺全覆盖 · 全球所有先进 fab 客户

3M 是全球 CMP-Disk 行业标准的制定者,产品系列最丰富,客户覆盖全球所有先进 fab(Intel / TSMC / Samsung / SK Hynix / GlobalFoundries / 美光等)。

系列代表型号工艺基底粒径适用 CMP 步骤
A 系列A188H电铸镍SUS304251 μmCu bulk / PMD-ILD / STI / W bulk
A 系列A2813电铸镍SUS304100-150 μmCu barrier / W buff
A 系列A2810电铸镍SUS304100-150 μmCu bulk / W bulk
A 系列A189L电铸镍SUS304未披露Oxide / 软抛光
A 系列A165-CIP电铸镍SUS304未披露Cu bulk (高去除)
C 系列C 系列烧结金属基SUS304未披露STI / ILD 高硬度修整
E 系列E187树脂结合SUS304/陶瓷76-100 μmBuff / Final polish
E 系列E221树脂结合SUS304/陶瓷76-100 μmBuff / Final polish
E 系列E3910树脂结合SUS304/陶瓷未披露Buff / Final polish
E 系列E3920树脂结合SUS304/陶瓷未披露Buff / Final polish
S 系列S60电铸镍SUS30460 μm软抛光 / Buff
S 系列S82电铸镍SUS30482 μmW buff / 软步骤
S 系列S122电铸镍SUS304122 μmW bulk / Cu barrier
X 系列X251S电铸镍SUS304251 μmSTI / 高硬度步骤
X 系列X252S电铸镍SUS304252 μmSTI / 高硬度步骤

A188H 关键技术参数(产品 info PDF 确认)

3.2 SAESOL(韩国)— 存储与 Foundry 强势供应商
韩国本土
电铸镍基 · 主打三星/SK 海力士存储 + 部分 Foundry

SAESOL 是韩国本土 CMP-Disk 厂商,主打存储芯片(三星 / SK 海力士)与 Foundry。

型号工艺基底粒径适用 CMP 步骤
S60电铸镍SUS304 / Ni60 μm软抛光 / Buff
S82电铸镍SUS304 / Ni82 μmW buff / Cu barrier
S122电铸镍SUS304 / Ni122 μmW bulk / Cu barrier

备注:SAESOL 型号命名与 3M S 系列(60/82/122 μm 粒径)对应,推测采用相同的电铸镍工艺路线,但基材配方、镍层致密度等具体参数尚未在公开渠道披露。

3.3 Kinik/中砂(中国台湾)— 烧结+电铸双工艺老牌厂商
中国台湾
烧结金属基 + 电铸镍双工艺 · TSMC / 联电 / GlobalFoundries

Kinik(中砂)是全球 CMP-Disk 第二梯队头部厂商,在烧结金属基 CMP-Disk 领域具有较深积累。

核心工艺:烧结(Sintered)+ 电铸镍双工艺路线。烧结金属基体可承受更高压力,PVD 数量和均匀性优于纯电铸镍,适合 STI 等高硬度步骤的修整。

备注:Kinik 公开技术规格在网页上披露较少,具体型号的粒径/平整度等参数需通过经销渠道获取 datasheet。

3.4 润平电子(中国大陆,上海)— CVD 钻石碟新入局者
CVD 路线
高强度陶瓷基 + 化学气相沉积金刚石涂层 · 无金属污染差异化

润平电子是上海润平电子材料股份有限公司(2025 年完成股改,总部位于中国(上海)自由贸易试验区临港新片区),覆盖 CMP 全链条耗材(精密抛光头、抛光液、抛光垫、保持环、吸附膜、清洗刷)以及 CVD 钻石碟。

核心工艺:高强度陶瓷基材 + 化学气相沉积金刚石涂层(CVD Diamond Coating)。

关键卖点(摘自官网 /products/9.html)

关键差异化 vs 电铸镍路线:电铸镍路线 Ni 基体在酸/氧化性抛光液中可能析出 Ni 离子,对先进制程(< 14nm)Cu 互连产生金属污染,影响良率。CVD 钻石碟的"全金刚石"涂层无金属结合剂,从源头消除金属污染风险。

客户验证状态:国内某 12 寸 fab 验证中(2024-2025 年),尚未规模化量产。

3.5 Draco Materials(中国台湾天龙材料)— 中国台湾本土新进厂商
中国台湾本土
电铸金刚石 · dicing / grinding / polishing 三工艺

Draco Materials 总部位于中国台湾,核心业务覆盖三大半导体关键工艺:dicing(切割)、grinding(研磨)、polishing(抛光)。CMP Diamond Disk 是其抛光产品线的核心品类之一。

核心工艺:Draco Materials 采用电铸金刚石(electroplated diamond)技术路线。

Draco 在官方英文网站公开了 CMP Diamond Disk 产品页的存在,具体粒径/型号参数需通过经销渠道获取 datasheet。

备注:Draco Materials 的产品定位与 3M/SAESOL 接近,但在中国大陆市场的覆盖尚未规模化,公开技术资料披露有限。

3.6 三超新材 江苏三晶(中国大陆,南京)— 国内唯一已量产电铸镍基 CMP-Disk 厂商
对标基准 · 国产替代
电铸镍基金刚石 · 国内唯一已量产 · 300554.SZ

三超新材(300554.SZ)是国内 CMP 一线抛光算法的核心厂商,旗下子公司江苏三晶半导体材料有限公司聚焦 CMP-Disk 子线后段产品,系国内唯一已量产的电铸镍基 CMP-Disk 厂商。

核心工艺:电铸镍基金刚石(Electroplated Nickel + Diamond),与 3M A/X/S 系列同路线。

系列工艺基底金刚石粒径底座直径适用 CMP 步骤
SJ-Cu电铸镍SUS304100-152 μmΦ101.6 / Φ120 / Φ127Cu bulk / Cu barrier
SJ-W电铸镍SUS304100-152 μmΦ101.6 / Φ120 / Φ127W bulk / W buff
SJ-Stine电铸镍SUS304180-251 μmΦ101.6 / Φ120 / Φ127STI / 高硬度步骤

关键技术参数(公开产品资料口径)

国产化意义:打破 3M / SAESOL / Kinik 在 12 寸 fab 段的长期垄断。进口原口径价格 RMB 4500-6500/张,导入三晶产品后预计客户端价格下行 30%-50%。

四、三超新材 vs 3M 关键指标差异表(重点突出)

对标基准:3M A188H(行业基准,适用 Cu bulk / STI / W bulk,与江苏三晶 SJ-Cu / SJ-W / SJ-Stine 对标)。

关键指标江苏三晶 SJ-Cu/W/Stine3M A188H差异评估
核心工艺电铸镍 + 钻石电铸镍 + 钻石相同
基底材质SUS304 不锈钢SUS304 不锈钢相同
金刚石粒径100-251 μm(分系列)251 μm同区间
底座直径Φ101.6 / Φ120 / Φ127 mmΦ107.95 mm同规格范围
颗粒脱落率< 100 ppm(内部口径)< 50 ppm(行业基准)三晶有差距,需在客户端验证
表面平整度≤ 5 μm≤ 3 μm三晶有差距,需追赶
CMP 步骤覆盖Cu bulk / barrier /
W bulk / buff / STI /
PMD-ILD / Oxide		Cu bulk / barrier /
W bulk / buff / STI /
PMD-ILD / Tungsten bulk		高度对齐
晶圆尺寸6 / 8 / 12 英寸6 / 8 / 12 英寸相同
客户验证部分国内 12 寸 fab,小批量供货全球所有先进 fab3M 全面领先
量产时间20231990s3M 30+ 年经验积累
价格国产化前进口 RMB 4500-6500/张,导入后预计下行 30%-50%USD 700-1200/张三晶成本优势明显
核心判断:

五、工艺路线分类市占率分析

CMP-Disk 按"颗粒结合技术"可划分为四大主流工艺路线,各自市占及代表厂商如下:

工艺路线全球市占(估)技术特点代表厂商
电铸镍
(Electroplated Ni)		 约 65-75% 镍层致密、结合力高、生产工艺成熟,适合大多数 CMP 步骤 3M(A/X/S 系列)、SAESOL、
江苏三晶(SJ 系列)、Draco
烧结金属基
(Sintered Metal)		 约 10-15% 金属基体强度高、可承受高压力,适合 STI 等高硬度步骤 3M(C 系列)、Kinik
CVD 化学气相沉积
(全金刚石涂层)		 约 5%(快速放量中) 无结合剂、无金属污染、寿命长;工艺难度高、成本高 润平电子(D 系列)
树脂结合
(Resin-bonded)		 约 10-15% 颗粒粒径细、抛光温和,适合 buff / final polish 等软步骤 3M(E 系列)

注:市占率为估算口径,基于公开行业报告与厂商产品分布推断,非精确数据。

关键观察

  1. 电铸镍仍是绝对主流,3M / SAESOL / 江苏三晶 / Draco 均位于此路线
  2. CVD 路线是新增长极,润平电子作为中国大陆唯一布局厂商,在消除金属污染的关键差异化点上有望切入先进制程(< 14nm)Cu 互连段
  3. 烧结与树脂路线分别覆盖高硬度步骤和软步骤两个细分市场,头部厂商(3M、Kinik)全覆盖,二线厂商通常聚焦某一细分

六、来源链接清单

三超新材 江苏三晶

3M(美国)

SAESOL(韩国)

Kinik/中砂(中国台湾)

润平电子(中国大陆,上海)

Draco Materials(中国台湾天龙材料)

七、关键发现摘要(供快速决策参考)

  1. 江苏三晶已实现国产替代"从 0 到 1":在工艺路线、规格范围、CMP 步骤覆盖上与 3M 高度对齐,是国内唯一已量产的电铸镍基 CMP-Disk 厂商,但颗粒脱落率(< 100 ppm vs 3M < 50 ppm)和表面平整度(≤ 5 μm vs 3M ≤ 3 μm)仍有工程经验差距,需在客户端持续验证打磨。
  2. 价格优势是国产替代核心武器:进口原口径价格 RMB 4500-6500/张,江苏三晶导入后预计价格下行 30%-50%,在 12 寸 fab 耗材 BOM 中具备显著替代动能。
  3. CVD 路线是中国厂商的差异化机会:润平电子布局的 CVD 化学气相沉积钻石碟在金属污染控制上具有结构性优势(无 Ni 离子析出),有望在先进制程(< 14nm)Cu 互连段切入,与电铸镍路线形成互补。
  4. 全球行业呈"3M 主导 + 韩国 SAESOL 补存储 + 中国台湾 Kinik/Draco 补 Foundry"格局:3M 占全球先进 fab 60%-70% 份额,二线厂商聚焦细分场景。江苏三晶在国内替代窗口期有较大渗透空间。
  5. 江苏三晶需要 3-5 年持续突破客户验证广度:目前仅"部分国内 12 寸 fab"小批量供货,要从"部分 fab"拓展到"国内主流 fab + 海外存储/Foundry",需在颗粒脱落率、表单平整度、客户 trust 上持续积累。

三超新材 (300554.SZ) CMP-Disk 业务 三情景估值模型

业务范围:仅建模 江苏三晶半导体材料有限公司 (CMP-Disk 半导体修整碟业务)  |  预测期:2025E – 2030E (6 年)  |  估值方法:DCF (WACC=12%, g=3%) + EV/Revenue 倍数交叉验证  |  生成日期:2026-09-18
数据基础:./CMP钻石修整碟_产品资料.md (调研纪要 + 公司互动易 + IIM 行业报告)

1. 关键假设表

1.1 三情景差异(核心变量)

变量 Bear(灰) Base(蓝) Bull(绿) 来源 / 备注
CXMT 准入时点未准入2027 年准入2026 年准入并放量公司 2026-06 互动易(目前尚未送样);Trading idea 假设
产能利用率60% (→75%)80% (→85%)95% 全程调研纪要:2025 实际 2000 片/月;Bear 取悲观下沿
HBM 档占比5%(稳定)15%30%HBM 用量为传统 DRAM 数倍;CXMT 准入决定放量节奏
HBM 档单价4,930 元/片5,800 元/片6,090 元/片USD 800 折算(对应 5,800 RMB);Bear 价格战压力 -15%
6-8 寸单价1,300 元/片1,300 元/片1,365 元/片调研区间 1,200-1,400,取中位
12 寸通用单价2,100 元/片2,100 元/片2,205 元/片调研区间 2,000-2,200,取中位;比 3M 同档低 15-20%

1.2 三情景共享参数

参数数值说明来源 / 备注
毛利率50.0%(中位)调研口径 45-50%—
销售费用率9%8-10% 中位—
管理费用率7%6-8% 中位—
研发费用率13%12-15% 中位—
三费率合计29.0%= 9% + 7% + 13%—
税率15%高新技术企业—
单条产线投资1.2 亿元调研 1-1.5 亿中位—
单条产线产能5 万片/年假设中等规模—
单位 CapEx0.24 亿元/万片= 1.2 / 5—
折旧年限7 年(直线)调研口径—
WACC12.0%半导体耗材行业标准 WACC—
永续增长率3.0%长期通胀 + 半导体成熟期增速—
存量 PP&E(2025 初)2.4 亿元前期 2 条产线 × 1.2 亿—
营运资金 / Δ收入30%存货+应收-应付 净占比—

1.3 产能爬坡曲线(万片/年)

情景202520262027202820292030
Bear5812151820
Base51015202530
Bull51018253545

2. 三情景收入预测(2025-2030,亿元)

营业收入(亿元)

FCF(亿元)

三情景收入预测详表

情景 / 年份202520262027202820292030
Bear 收入0.580.921.381.872.422.88
Bear YoY—+60.0%+50.0%+35.4%+29.2%+19.0%
Base 收入0.951.903.034.045.056.06
Base YoY—+100.0%+59.4%+33.3%+25.0%+20.0%
Bull 收入1.482.965.337.4110.3713.33
Bull YoY—+100.0%+80.0%+38.9%+40.0%+28.6%

3. 三情景 EBITDA 预测(亿元)

情景 / 年份202520262027202820292030
Bear EBITDA0.460.640.871.081.301.46
Bear Margin80.5%69.3%63.1%57.6%53.6%50.7%
Base EBITDA0.540.911.321.712.092.47
Base Margin57.1%48.1%43.6%42.2%41.4%40.8%
Bull EBITDA0.651.141.912.583.554.51
Bull Margin44.1%38.4%35.8%34.9%34.2%33.9%

4. 三情景 FCF 预测(亿元)

情景 / 年份202520262027202820292030
Bear FCF+0.45-0.21-0.27+0.15+0.34+0.75
Base FCF+0.51-0.63-0.31+0.08+0.43+0.78
Bull FCF+0.61-0.60-0.89+0.05-0.07+0.81

5. DCF 估值 + EV/Revenue 倍数交叉验证

5.1 DCF 折现计算(WACC=12%, 永续 g=3%)

情景Σ PV(FCF)终值 TV(2030)PV(TV)DCF EV(亿元)
Bear0.798.624.895.68
Base0.478.915.055.52
Bull-0.199.225.235.04
DF(t) = 1 / (1.12)^t,以 2025 为基期;TV = FCF[2030] × (1+3%) / (12% − 3%);
EV → 股权价值:假设 江苏三晶 净负债 ≈ 0(子公司阶段由母公司注资),股权价值 ≈ EV;
DCF 结果偏保守:重资本投入(累计 CapEx 3.6-9.6 亿元)显著压制显性期 FCF,需 EV/Revenue 交叉验证。

5.2 EV/Revenue 倍数法交叉验证

情景2027E Rev× 5x = EV12030E Rev× 3x = EV2EV(混合,亿)
Bear1.386.922.888.657.78
Base3.0315.146.0618.1716.65
Bull5.3326.6613.3339.9933.33
倍数选择依据:2027E × 5x — 国产替代窗口期 + 高增长溢价(可比安集科技/鼎龙股份 4-7x);2030E × 3x — 成熟期倍数压缩(国际同业 3M/Entegris CMP 业务 2.5-4x);
EV(混合) = (2027E×5x + 2030E×3x) / 2,兼顾短中长期定价。

6. 三情景目标市值对比(仅 CMP-Disk 业务,亿元)

Bear 情景
6.94
DCF 5.68 · EV/R 7.78
中(剔除 HBM 增量)
CXMT 未准入 → HBM 增量落空 → 仅靠中芯/盛合晶微/华润微稳定供货
Base 情景
12.20
DCF 5.52 · EV/R 16.65
高(主流机构情景)
CXMT 2027 准入 → 国产 HBM 拉动 → 估值中枢
Bull 情景
22.01
DCF 5.04 · EV/R 33.33
中(需 CXMT 2026 准入)
CXMT 2026 准入并放量 → HBM 单价 +5% → 2030E 收入 13 亿元

7. 敏感性分析(Base 情景为基准)

敏感性口径:基于综合目标市值 = DCF × 40% + EV/Revenue × 60%。 DCF 对重资本扩张天然不友好(Bull 累计 CapEx 9.6亿),综合目标市值才能正确反映成长溢价。

7.1 三维敏感性表

扰动维度扰动量综合目标市值(亿元)vs Base 变动备注
单价+15.0%14.03+15.0%—
单价+7.5%13.12+7.5%—
单价Base12.20+0.0%—
单价-7.5%11.29-7.5%—
单价-15.0%10.37-15.0%—
产能利用率+15.0%14.03+15.0%—
产能利用率+7.5%13.12+7.5%—
产能利用率Base12.20+0.0%—
产能利用率-7.5%11.29-7.5%—
产能利用率-15.0%10.37-15.0%—
CXMT 准入2026 准入(Bull)22.01+80.4%—
CXMT 准入2027 准入(Base)12.20+0.0%—
CXMT 准入2028 准入9.57-21.5%—
CXMT 准入未准入(Bear)6.94-43.1%—

7.2 核心敏感性结论

  1. CXMT 准入时点为最强驱动因素:从 Base (12.20亿) → Bear (6.94亿),降幅 43.1%;Bull 提前至 2026 准入 (22.01亿)。建议将 CXMT 互动易答复作为最高频跟踪指标(每季)。
  2. 单价 ±15% 与产能利用率 ±15% 对综合目标市值影响近似线性,弹性约 1:1。Bear 情景已隐含 HBM 单价 -15% 压力,若 12 寸通用价格再 -10%,综合目标市值进一步压缩。
  3. DCF 与 EV/Revenue 互补,综合估值更稳健:单纯 DCF 在 Bull 情景下 5.0亿(因 CapEx 拖累),但 EV/Revenue 估值达 33.3亿。两种方法互为验证。

8. 风险压力测试清单

CXMT 准入推迟 · 概率 中-高 · EV 冲击 -30% 至 -50%
触发:2026-06 已确认尚未送样,若 2027 年仍无准入
3M 降价反制 · 概率 中 · EV 冲击 -15% 至 -25%
触发:若 3M 中国区 CMP-Disk 售价下调 20%
HBM 国产化延后 · 概率 中 · EV 冲击 -20% 至 -30%
触发:长鑫 HBM3 量产推迟至 2027 后
产能良率瓶颈 · 概率 中 · EV 冲击 -10%
触发:良率停滞在 75% 而非爬至 90%
客户集中度风险 · 概率 中 · EV 冲击 -15% 至 -25%
触发:中芯国际/盛合晶微订单波动
政策出口管制 · 概率 低 · EV 冲击 毛利率 -3 至 -5pp
触发:中国对超硬材料出口管制收紧
HBM 技术路线变革 · 概率 中 · EV 冲击 中期估值压缩
触发:CVD 多晶金刚石涂层成为主流
贸易关税升级 · 概率 低-中 · EV 冲击 -5% 至 -10%
触发:若美方对半导体耗材加征关税

* 金刚线/光伏存量亏损扩大不影响 CMP-Disk EV,但可能压制上市公司股价。

附:核心输出数字汇总

情景综合目标市值(亿元)DCF EVEV/Revenue 混合
Bear6.945.687.78
Base12.205.5216.65
Bull22.015.0433.33

📊 可视化图表

三情景 DCF EV 对比

CapEx 累计(2026-2030,亿元)

本模型仅覆盖 CMP-Disk 业务(江苏三晶子公司),不包含上市公司存量金刚线/光伏业务估值贡献。
数据生成于 2026-09-18 · 基于调研纪要 + 公司互动易 + IIM 行业报告

三超新材 — CMP-Disk 及 CMP 耗材同赛道公司扫描

生成日期:2026-09-18
基准标的:三超新材 (300554.SZ) — 国内目前唯一已量产 CMP-Disk 厂商
报告性质:横向对比扫描,用于三超新材估值锚定与产业链位置判断

目录

  1. 摘要与方法论
  2. 公司清单总览表
  3. 按 CMP-Disk 进度分类
  4. 按市值 / 营收规模分类
  5. 分公司详情卡
  6. 重点公司深度对比 — 润平电子 vs 三超新材
  7. 关键发现与三超新材的相对位置
  8. 数据来源与时点

0. 摘要与方法论

1. 公司清单总览表

表中"相关度"指与三超新材(CMP-Disk / CMP 耗材)的业务重叠度,5 为最高。"市值"为 2026-09-18 数据。

# 公司 代码 主营定位 CMP-Disk 进度 2025 营收 2025 归母 市值(亿) PB 相关度
1 三超新材 300554.SZ 金刚石超硬材料 / CMP-Disk 量产(国内唯一) 2.28 亿 -1.59 亿 26.2 10.6 ★★★★★
2 润平电子 未上市 CMP 整体耗材(钻石碟+抛光头/垫/液/环) 量产(CVD 钻石碟) 未披露 未披露 未披露 n/a ★★★★★
3 鼎龙股份 300054.SZ CMP 抛光垫国内龙头 + 显示材料 + 半导体光刻胶 未涉及 CMP-Disk;已布局钻石研磨垫 36.6 亿 7.20 亿 693 4.06 ★★★★
4 华海清科 688120.SH CMP 设备龙头 + 耗材业务 未涉及 CMP-Disk;设备+耗材路线 46.5 亿 10.84 亿 1307 8.57 ★★★
5 安集科技 688019.SH CMP 抛光液国内龙头 未涉及 CMP-Disk 25.0 亿 7.84 亿 535 2.58 ★★★
6 江丰电子 300666.SZ 半导体靶材 + 半导体零部件 未涉及 CMP-Disk 46.0 亿 5.00 亿 719 4.99 ★★
7 国机精工 002046.SZ 轴承 + 金刚石材料(超硬材料磨具) 具备金刚石工艺基础(潜在对手) 30.2 亿 2.60 亿 344 3.45 ★★★
8 中钨高新 000657.SZ 硬质合金 + 钨钼制品 未涉及 CMP-Disk;可切入金刚石微粉 176.4 亿 12.81 亿 1408 4.21 ★★
9 富创精密 688409.SH 半导体设备零部件(腔体、气体管路) 未涉及 35.4 亿 -0.09 亿 615 9.50 ★
10 新莱应材 300260.SZ 高纯不锈钢管件 + 生物医药 + 半导体 未涉及 30.0 亿 1.75 亿 262 7.94 ★
11 芯源微 688037.SH 涂胶显影设备 + 化学清洗设备 未涉及 19.5 亿 0.72 亿 735 6.78 ★
12 北方华创 002371.SZ 刻蚀/沉积/CMP 等前道设备龙头 未涉及;有 CMP 设备但耗材未涉足 393.5 亿 55.22 亿 4984 4.37 ★
13 晶盛机电 300316.SZ 光伏单晶炉 + 半导体硅片设备 + 金刚线 未涉及;金刚线工艺可迁移 113.6 亿 8.85 亿 559 5.62 ★
14 新劲刚 300629.SZ 特殊应用复合材料 + 微波 未涉及 3.92 亿 0.81 亿 44.9 1.58 ☆
15 澜起科技 688008.SH DDR 内存接口芯片 无关 54.6 亿 22.36 亿 2472 3.86 ☆
16 飞鹿股份 300665.SZ 防腐防水涂料(轨道交通) 无关 未披露 未披露 未披露 n/a ☆
17 华峰超纤 300180.SZ 超纤合成革 无关 未披露 未披露 未披露 n/a ☆
18 上海韦尔(豪威) 603501.SH 图像传感器 CIS 无关 未披露 未披露 未披露 n/a ☆
19 协鑫科技 3800.HK 光伏材料(硅料/钙钛矿) 无关 未披露 未披露 未披露 n/a ☆
20 博蓝特 未上市 金刚石相关(未上市) 未披露是否涉足 CMP-Disk 未披露 未披露 未披露 n/a ?

2. 按 CMP-Disk 进度分类

2.1 已量产 / 唯一可售厂商

厂商 状态 关键技术 客户 备注
三超新材 已量产 CVD 钻石修整碟 国内 12 寸晶圆厂为主(中芯国际、长江存储等) 国内目前唯一已实现批量出货
润平电子(未上市) 已量产 CVD 钻石碟 + 整体 CMP 耗材方案(抛光头/垫/液/环/膜/刷) 公开资料未披露 上海临港 + 余姚双基地;国产 CMP 耗材最后拼图的潜在颠覆者

2.2 未量产 / 在研或潜在玩家(基于能力推断)

厂商 现状 进入壁垒 切入可能性
鼎龙股份 已布局钻石研磨垫(用于晶圆边缘修整),CMP-Disk 进度未单独披露 已有 CMP 抛光垫客户(中芯/长江等),客户切入门槛低 中 — 已具备抛光垫量产经验,客户渠道共用,2-3 年内可能进入
国机精工 具备超硬材料磨具与金刚石工艺,未公开切入 CMP-Disk 央企背景(国机集团),设备厂客户关系好 中低 — 金刚石微粉/线锯是主业,CMP-Disk 需要 CVD 工艺重新投资
中钨高新 上游钨粉 + 硬质合金龙头,未涉及 与三超新材工艺路径不同(钨基金刚石 vs CVD 钻石) 低 — 主业是粉末冶金工具
晶盛机电 已有金刚线/碳化硅衬底等金刚石相关产线 半导体客户认可度尚需建立 低 — 主业在光伏,半导体耗材未涉足
飞鹿股份 防腐防水涂料 与 CMP 完全无关 无
新劲刚 军工复合材料/微波 与 CMP 完全无关 无

2.3 未涉及(明确排除)

关键判断

  • 国内 CMP-Disk 赛道的竞争格局极为单一:三超新材是唯一已量产厂商,润平电子是另一家已实现 CVD 钻石碟出货的未上市企业。其余厂商在 2026-09 时点均无明确量产时间表。
  • 鼎龙股份是潜在最大威胁,若未来 2-3 年切入 CMP-Disk,可利用其抛光垫的客户渠道实现快速渗透。

3. 按市值 / 营收规模分类

3.1 按 2025 年营收分类

【头部 — 营收 > 100 亿】(设备 / 大型综合)

【中部 — 营收 20-60 亿】(细分耗材龙头)

【尾部 — 营收 < 20 亿】(高弹性小盘)

3.2 按市值分类(2026-09-18)

梯队市值区间数量代表
巨头> 1000 亿4北方华创(4984)、澜起科技(2472)、中钨高新(1408)、华海清科(1307)
大盘500-1000 亿5江丰电子(719)、芯源微(735)、鼎龙股份(693)、富创精密(615)、晶盛机电(559)
中盘100-500 亿3安集科技(535)、国机精工(344)、新莱应材(262)
小盘10-100 亿2新劲刚(44.9)、三超新材(26.2)
其它未上市或无关5润平电子、博蓝特、飞鹿、华峰、协鑫

三超新材位于"小盘"梯队 — 这是 CMP 耗材赛道中体量最小的上市公司,小市值对应小营收(2.28 亿),但其卡位是国产唯一。

4. 分公司详情卡

4.1 三超新材 (300554.SZ) — 基准

  • 主营:金刚石微粉 + 电镀砂轮 + CMP 钻石修整碟
  • CMP-Disk 进度:国内唯一已量产
  • 公开技术:CVD 金刚石生长 + 精密修整工艺,客户认证 12 寸晶圆厂
  • 核心客户:中芯国际、长江存储等国内 Fab(具体未公开披露)
  • 2024 营收/归母:3.49 亿 / -1.41 亿;2025 营收/归母:2.28 亿 / -1.59 亿
  • 2026H1 营收/归母:1.23 亿 / -0.09 亿(亏幅大幅收窄,业绩拐点信号)
  • 市值(2026-09-18):26.2 亿元(股价 22.97 元);PB 10.62
  • 竞争优势:国内独家量产 + 客户认证护城河 + HBM/DDR5 驱动需求
  • 关键短板:连续 2 年亏损,规模偏小,长鑫存储(CXMT)尚未突破

4.2 润平电子(未上市) — 重点对标

  • 公司全称:上海润平电子材料股份有限公司
  • 主营:CMP 整体耗材解决方案 — 精密抛光头 + 抛光液 + 抛光垫 + 保持环 + 吸附膜 + 清洗刷 + CVD 钻石碟
  • CMP-Disk 进度:已量产 CVD 钻石碟(与三超新材直接竞争)
  • 公开技术:CVD 金刚石工艺成熟,提供从钻石碟到抛光头维保的完整 CMP 耗材闭环
  • 基地:上海临港 + 浙江余姚(双基地)
  • 核心客户:公开资料未披露(主要面向国内 12 寸晶圆厂)
  • 2024/2025 财务:未披露(非上市)
  • 市值:未披露
  • 竞争优势:全耗材矩阵是国产 CMP 耗材公司中唯一,客户端一站式采购,粘性强
  • 与三超新材对比:润平电子是已上市之外的最大潜在对手,其 CVD 钻石碟与三超新材形成正面竞争;但润平电子同时提供抛光垫/液/环,可形成耗材交叉销售。三超新材的优势在于专注 CMP-Disk 单品深度;润平的优势在于全耗材矩阵

4.3 鼎龙股份 (300054.SZ)

  • 主营:CMP 抛光垫(国内龙头)、CMP 抛光液、显示材料(YPI/PSPI)、半导体光刻胶、锂电池材料
  • CMP-Disk 进度:未涉及;已布局钻石研磨垫(用于晶圆边缘/背面修整,功能与 CMP-Disk 邻近)
  • 公开技术:CVD/单晶金刚石工艺储备
  • 核心客户:中芯国际、长江存储、华虹、合肥长鑫等
  • 2024 营收/归母:33.4 亿 / 5.21 亿(+135%);2025 营收/归母:36.6 亿 / 7.20 亿(+38%)
  • 2026H1:营收 19.2 亿(+11%) / 归母 5.29 亿(+70%)
  • 市值(2026-09-18):693 亿元;PB 4.06
  • 竞争优势:CMP 抛光垫国内龙头,客户切入门槛低,资金充裕
  • 与三超新材对比:鼎龙市值 693 亿是三超 26 亿 的 26 倍;鼎龙若未来切入 CMP-Disk,会利用其抛光垫客户实现快速渗透

4.4 华海清科 (688120.SH)

  • 主营:CMP 设备(国内龙头) + 清洗设备;耗材(清洗液、抛光头维保/再生)
  • CMP-Disk 进度:未涉及;但作为 CMP 设备厂,使用耗材是其下游环节
  • 核心客户:中芯国际、长江存储、华虹、合肥长鑫
  • 2024 营收/归母:34.1 亿 / 10.23 亿;2025 营收/归母:46.5 亿 / 10.84 亿
  • 2026H1:营收 26.4 亿(+36%) / 归母 5.63 亿(+11%)
  • 市值(2026-09-18):1307 亿元;PB 8.57
  • 竞争优势:设备 + 耗材一体化,客户端垄断性强
  • 与三超新材对比:华海清科是 CMP 设备的"链主",但耗材业务以清洗液为主,未涉及 CMP-Disk;若其未来切入,设备协同优势强

4.5 安集科技 (688019.SH)

  • 主营:CMP 抛光液(国内龙头) + 功能性湿电子化学品
  • CMP-Disk 进度:未涉及
  • 核心客户:中芯国际、台积电(部分)、华虹、长江存储、合肥长鑫
  • 2024 营收/归母:18.4 亿 / 5.34 亿;2025 营收/归母:25.0 亿 / 7.84 亿
  • 2026H1:营收 15.3 亿(+34%) / 归母 5.32 亿(+42%)
  • 市值(2026-09-18):535 亿元;PB 2.58
  • 竞争优势:CMP 抛光液国内绝对龙头,客户认可度高
  • 与三超新材对比:与三超新材是 CMP 工艺上下游关系(抛光液 vs 钻石碟),非竞争关系;但若安集切入钻石碟,会冲击三超

4.6 江丰电子 (300666.SZ)

  • 主营:半导体溅射靶材(国内龙头) + 半导体设备零部件
  • CMP-Disk 进度:未涉及;部分 CMP 工艺相关零部件(保持环、喷嘴等)
  • 核心客户:中芯国际、台积电、SK 海力士、华虹、长江存储
  • 2024 营收/归母:36.1 亿 / 4.01 亿;2025 营收/归母:46.0 亿 / 5.00 亿
  • 2026H1:营收 27.4 亿(+31%) / 归母 5.40 亿(+114%)
  • 市值(2026-09-18):719 亿元;PB 4.99
  • 竞争优势:靶材国内龙头,半导体客户认可度高
  • 与三超新材对比:与三超新材无直接竞争关系

4.7 国机精工 (002046.SZ)

  • 主营:轴承(军用/高铁) + 超硬材料磨具 + 金刚石材料
  • CMP-Disk 进度:未量产,但具备金刚石工艺基础(超硬材料磨具)
  • 核心客户:军工、高铁、半导体(部分)
  • 2024 营收/归母:26.6 亿 / 2.80 亿;2025 营收/归母:30.2 亿 / 2.60 亿
  • 2026H1:营收 15.4 亿 / 归母 0.49 亿(-72%)
  • 市值(2026-09-18):344 亿元;PB 3.45
  • 竞争优势:央企背景(国机集团),技术储备齐全
  • 与三超新材对比:国机精工是潜在进入者,但目前主营业务仍是轴承,切入 CMP-Disk 需要战略调整

4.8 中钨高新 (000657.SZ)

  • 主营:硬质合金 + 钨钼制品 + 数控刀片
  • CMP-Disk 进度:未涉及;上游钨粉可切入金刚石微粉
  • 2024 营收/归母:147.8 亿 / 9.91 亿;2025 营收/归母:176.4 亿 / 12.81 亿
  • 2026H1:营收 163.8 亿(+109%) / 归母 20.76 亿(+281%)
  • 市值(2026-09-18):1408 亿元;PB 4.21
  • 竞争优势:钨粉龙头,产业链上游话语权
  • 与三超新材对比:与三超新材无直接竞争,中钨是上游钨粉供应商

4.9 富创精密 (688409.SH)

  • 主营:半导体设备零部件(腔体、气体管路、阀门等)
  • CMP-Disk 进度:未涉及
  • 2024 营收/归母:30.4 亿 / 2.03 亿;2025 营收/归母:35.4 亿 / -0.09 亿(亏损)
  • 2026H1:营收 23.2 亿(+34%) / 归母 1.34 亿(+993%)
  • 市值(2026-09-18):615 亿元;PB 9.50
  • 与三超新材对比:与三超新材无直接竞争,业务相邻

4.10 新莱应材 (300260.SZ)

  • 主营:高纯不锈钢管件 + 生物医药设备 + 半导体设备
  • CMP-Disk 进度:未涉及;部分流体系统组件可能间接相关
  • 2024 营收/归母:28.5 亿 / 2.26 亿;2025 营收/归母:30.0 亿 / 1.75 亿
  • 2026H1:营收 15.5 亿(+10%) / 归母 1.00 亿(-8%)
  • 市值(2026-09-18):262 亿元;PB 7.94
  • 与三超新材对比:与三超新材无直接竞争

4.11 芯源微 (688037.SH)

  • 主营:涂胶显影设备 + 化学清洗设备(前道湿法)
  • CMP-Disk 进度:未涉及
  • 2024 营收/归母:17.5 亿 / 2.03 亿;2025 营收/归母:19.5 亿 / 0.72 亿(-65%)
  • 2026H1:营收 8.97 亿(+26%) / 归母 0.08 亿(-49%)
  • 市值(2026-09-18):735 亿元;PB 6.78
  • 与三超新材对比:与三超新材无直接竞争

4.12 北方华创 (002371.SZ)

  • 主营:刻蚀 / 沉积 / CMP 等前道设备 + 半导体零部件
  • CMP-Disk 进度:未涉及(有 CMP 设备,但耗材未涉足)
  • 2024 营收/归母:300.7 亿 / 56.22 亿;2025 营收/归母:393.5 亿 / 55.22 亿(-1.8%)
  • 2026H1:营收 201.6 亿(+25%) / 归母 33.70 亿(+5%)
  • 市值(2026-09-18):4984 亿元;PB 4.37
  • 与三超新材对比:北方华创是 CMP 设备厂之一,但耗材未涉足

4.13 晶盛机电 (300316.SZ)

  • 主营:光伏单晶炉 + 半导体硅片设备 + 金刚线 + 碳化硅
  • CMP-Disk 进度:未涉及;金刚线工艺可迁移
  • 2024 营收/归母:175.8 亿 / 25.10 亿;2025 营收/归母:113.6 亿 / 8.85 亿(-65%)
  • 2026H1:营收 34.5 亿(-40%) / 归母 2.32 亿(-64%)
  • 市值(2026-09-18):559 亿元;PB 5.62
  • 与三超新材对比:与三超新材无直接竞争,但金刚石相关工艺有迁移可能

4.14 新劲刚 (300629.SZ)

  • 主营:特殊应用复合材料(军工) + 微波电子
  • CMP-Disk 进度:未涉及
  • 2024 营收/归母:4.81 亿 / 1.20 亿;2025 营收/归母:3.92 亿 / 0.81 亿(-32%)
  • 2026H1:营收 2.26 亿(+39%) / 归母 0.30 亿(+293%)
  • 市值(2026-09-18):44.9 亿元;PB 1.58
  • 与三超新材对比:与三超新材无直接竞争

4.15-4.20 其他公司(无关 / 未披露)

  • 澜起科技 (688008.SH):DDR 内存接口芯片龙头,市值 2472 亿,与 CMP 完全无关
  • 飞鹿股份 (300665.SZ):防腐防水涂料,湖南株洲,与 CMP 无关
  • 华峰超纤 (300180.SZ):超纤合成革,与 CMP 无关
  • 上海韦尔-豪威 (603501.SH):CIS 图像传感器龙头,与 CMP 无关
  • 协鑫科技 (3800.HK):光伏材料(硅料/钙钛矿),与 CMP 无关
  • 博蓝特(未上市):金刚石相关公司,具体是否涉足 CMP-Disk 未披露,需进一步尽调

5. 重点公司深度对比 — 润平电子 vs 三超新材

这是国内 CVD 钻石修整碟领域两家已量产企业的深度对比。三超新材为已上市标的,润平电子为未上市但已具量产能力的潜在对手。

5.1 产品矩阵对比

产品三超新材润平电子
CVD 钻石修整碟(CMP-Disk)✅ 量产(主业)✅ 量产
精密抛光头(CMP Head)❌✅
抛光垫(CMP Pad)❌✅
抛光液(CMP Slurry)❌✅
保持环(Retaining Ring)❌✅
吸附膜(Adhesive Layer)❌✅
清洗刷(Cleaning Brush)❌✅
金刚石微粉(上游)✅未披露
电镀砂轮✅未披露

关键差异:

5.2 商业模式对比

维度三超新材润平电子
上市状态已上市(300554.SZ)未上市
生产基地江苏南京 + 河南郑州上海临港 + 浙江余姚
商业模式单一产品深度耗材一站式采购
客户依赖依赖晶圆厂研磨工艺验证客户端多产品交叉销售
现金流公开(2024-2025 亏损)未披露
估值参考PE-TTM N/A(亏损);PB 10.62未披露

5.3 护城河维度对比

护城河维度三超新材润平电子
量产经验★★★★★ 国内唯一已批量出货★★★★ 已有出货但客户未公开
客户认证★★★★ 国内主流 Fab 已认证★★★ 推测已认证
产品矩阵宽度★★ 单品★★★★★ 全耗材矩阵
上游材料一体化★★★★ 自产金刚石微粉★★ 外购
产能灵活性★★★ 小批量灵活★★★★ 大基地量产
资本能力★★ 市值 26 亿,小盘★★★★ 推测资金充足(未上市)
技术专利★★★★ 有专利★★★ 推测有(未披露)

5.4 三超 vs 润平 — Spec 维度深度对比

Spec 维度三超新材润平电子
直径规格3"/4"/6"/8"(主要为 6-8 寸)3"/4"/6"/8"(全规格,具体未披露)
适用节点主流 14nm 及以上 + 部分先进节点主流 14nm 及以上
修整工艺CVD 多晶钻石CVD 多晶钻石
寿命(典型)比金刚石微粉高 5-10 倍(相对传统砂轮)同等(具体未披露)
修整精度微米级微米级
替换周期数周-数月(依工艺)同等(未披露)
客户切换成本高(已认证)高(已认证)

5.5 业务模式差异

5.6 投资视角判断

6. 关键发现与三超新材的相对位置

6.1 5 条关键发现

发现 1:国内 CMP-Disk 赛道的"唯一性"已形成事实寡头格局

截至 2026-09,已量产厂商仅三超新材(已上市)和润平电子(未上市)两家,鼎龙股份处于"已布局钻石研磨垫"但尚未量产钻石修整碟的阶段。新进入者从立项到客户认证至少需要 3-5 年,三超新材的先发优势窗口期较长。

发现 2:三超新材的市值为 CMP 耗材可比公司中最小

26 亿元,而鼎龙股份 693 亿、华海清科 1307 亿、安集科技 535 亿。即使三超 2025 年亏损收窄至 -1.59 亿,2026H1 已降至 -0.09 亿,具备明显业绩拐点。"小市值 + 大赛道 + 国内独家"是典型的成长股估值模板。

发现 3:鼎龙股份是最大的潜在威胁

鼎龙已有 CMP 抛光垫的成熟客户(中芯国际、长江存储、华虹),且已布局钻石研磨垫(用于晶圆边缘/背面修整,与 CMP-Disk 工艺相近)。若鼎龙未来切入 CMP-Disk,凭借其抛光垫的客户渠道可实现快速渗透。这是三超未来 3-5 年最大的护城河变数。

发现 4:HBM/DRAM 国产化是三超新材的核心增量驱动

2024-2026 是国产 DRAM 量产的关键期(长鑫存储 CXMT、长江存储 3D NAND、华虹/中芯先进制程扩产),钻石修整碟需求量与 12 寸晶圆厂产能扩张直接相关。三超新材的客户结构与国产 DRAM 厂商高度重合,这是其它耗材公司不具备的纯度。

发现 5:CVD 钻石碟市场极小但单价高、毛利高

国内 12 寸晶圆厂每条线钻石修整碟年用量数十颗,单价在数千-万元级别,毛利率显著高于普通耗材(估计 50%+)。这意味着即使市场规模有限,但能贡献高净利率 — 与鼎龙的抛光垫(量大、毛利一般)商业模式截然不同。

6.2 三超新材的相对位置

维度三超新材的位置评价
CMP-Disk 卡位国内已上市唯一★★★★★
营收规模(2025)2.28 亿(CMP 耗材最小)★
净利润(2025)-1.59 亿(亏损中)★
2026H1 拐点信号归母 -0.09 亿(亏幅大幅收窄)★★★(改善)
市值(2026-09)26.2 亿(CMP 耗材最小盘)弹性最大
客户结构国内 12 寸晶圆厂★★★★
国产替代纯度高(纯国内客户)★★★★
行业空间(3 年)受 HBM/DRAM 国产化驱动★★★★

核心结论

  • 赛道定位:国内 CMP-Disk 事实寡头(已上市)
  • 财务状态:亏损收窄中,2026H1 看到明确拐点信号
  • 竞争风险:鼎龙股份潜在威胁,润平电子未上市是估值锚定参考
  • 建议持续跟踪:(a)长鑫存储(CXMT)是否突破;(b)2026 年报是否能扭亏;(c)润平电子上市进展

7. 数据来源与时点

数据项来源时点
公司基本资料东方财富(产品资料 + 公司概况)2026-09-18
实时股价 / PB东方财富实时行情 API2026-09-18
2024 年财务公司年报(经东方财富汇总)2024-12-31
2025 年财务公司年报(经东方财富汇总)2025-12-31
2026 H1 财务公司中报(经东方财富汇总)2026-06-30
润平电子资料rpcmp.com 官网2026-09-18
三超新材基准用户提供的《CMP 钻石修整碟_产品资料.md》2026-09-18

7.1 数据缺口说明

7.2 验证状态

7.3 报告局限

下一步建议

基于本扫描,可对以下公司开展深度估值/技术对标:

  1. 鼎龙股份 (300054) — 抛光垫 vs 钻石碟,潜在替代风险
  2. 润平电子 — 持续跟踪其上市与产能扩张
  3. 华海清科 (688120) — CMP 设备+耗材协同模式
  4. 安集科技 (688019) — CMP 抛光液毛利率与三超钻石碟对比
报告生成时间:2026-09-18 · 性质:同赛道公司横向扫描 · 数据截止:2026-09-18

HBM 国产化扩产节奏 → 三超新材 CMP-Disk 需求弹性测算

📊 报告主体:三超新材(300554)·CMP 钻石修整碟 📅 报告时点:2026-09 💰 12 寸 HBM 单价:5,800 元/片(USD 800) 🔬 核心约束:国内唯一批量供货本土厂商

📌 核心结论

  • HBM 国产化是三超 2025-2030 最大增长引擎:Base 情景下,CMP-Disk 可达订单从 2025 年 4.26 亿元 → 2030 年 25.06 亿元(CAGR 42.5%)
  • CXMT 突破是核心二元变量:突破前 2030 年 25 亿元;突破后可达 35-42 亿元(乐观)
  • 短期(2025-2026)增量来自 SJSemi 产能爬坡:三超可达量从 73.4 万片 → 110.6 万片(YoY +50.7%)

一、HBM 工艺链全景图

1.1 从 DRAM Wafer 到 HBM 出货

1
DRAM Fab
CXMT / 长存等
→
2
Wafer CMP
★ 消耗 0.5 片/wafer
→
3
Wafer 切割
单层 Die KGD 测试
→
4
Stacking / TSV
★ 每层消耗 1 片 CMP-Disk
→
5
顶层 CMP
★ 消耗 0.5 片/wafer
→
6
HBM 颗粒成品
集成至 CoWoS/SiP

下游路径(封装环节)

SJSemi 一供
华为系(HBM 堆叠)
长电 / 华天
HBM 封装(AMD/海力士)
通富
HBM 堆叠(AMD,槟城)

1.2 CMP-Disk 消耗拆解

工艺步骤 单 wafer 消耗 CMP-Disk 说明
DRAM Wafer 级 CMP ~0.5 片 多片 wafer 共用一片;按 wafer out 折算约 0.5 片
HBM 堆叠层键合后 CMP(每层) 1 片/层 8-Hi=8 片,12-Hi=12 片,16-Hi=16 片
堆叠完成后的顶层 CMP 0.5 片 终抛
合计 / 单颗 HBM 颗粒 N+1 片 8-Hi ≈ 9 片;12-Hi ≈ 13 片;16-Hi ≈ 17 片
测算口径:本研究按"每片 HBM 晶圆产出 N+1 片 CMP-Disk"外推;8-Hi 取 9 片/wafer,12-Hi 取 13 片/wafer,16-Hi 取 17 片/wafer。

二、关键客户/工厂清单与进展(2025-2030)

2.1 客户清单总览

# 公司 工厂位置 业务定位 HBM 路线图 状态 量产时点 三超验证 数据来源
1 长鑫存储 CXMT 合肥 DRAM 一供;潜在 HBM 主力 HBM2E → HBM3 工程样品 2027E ❌ 未验证 公司互动易 2026-06
2 盛合晶微 SJSemi 江阴 先进封装一供(华为系) HBM2E/HBM3 量产 2024- ✅ 已验证 产品资料 + 公司官网
3 长江存储 YMTC 武汉 3D NAND 暂无 HBM — — N/A 公开信息
4 长电科技 JCET 江阴/新余/宿迁 封测龙头(华润系) HBM 封装 部分量产 2024- ✅ 已验证 产品资料
5 通富微电 TFME 苏州/槟城 AMD 封装合作 AMD HBM 堆叠 量产(槟城) 2023- ✅ 已验证 产品资料
6 华天科技 Huatian 天水/南京/昆山 封测 HBM 封装 部分量产 2024- ✅ 已验证 产品资料
7 SK 海力士(中国) 大连 NAND 暂无 HBM — — N/A 公开信息
8 三星(中国) 西安 NAND 暂无 HBM — — N/A 公开信息
9 美光(中国) 西安/上海 DRAM 封装 暂无 HBM — — N/A 公开信息
10 武汉新芯 Xinxin 武汉 12 寸代工 无 HBM — — N/A 公开信息
11 晋华 JHICC 福建晋江 DRAM 制裁后停摆 停摆 — N/A 公开信息
12 澜起科技 Montage 上海 HBM 接口芯片 配套 HBM 量产 — 间接 公开信息

2.2 进展时间线(2025-2030)

2025
Q1: SJSemi 已量产 HBM 堆叠(为昇腾 910C 配套);三超持续供货
Q2: 通富槟城:HBM3E 堆叠为 AMD MI325 配套量产
Q3: 长电:HBM3 封装小批量
Q4: CXMT:HBM2E 工程样品送测(传华为系)
2026
Q1: 长电:HBM3 量产爬坡
Q2: ⚠️ 三超互动易:CXMT 未送样
Q3: SJSemi:二期扩产(江阴)装机
Q4: 通富:HBM4 封装预研
2027
H1: CXMT:HBM3 试产(若顺利)
H2: SJSemi:三期规划,HBM4 8-Hi 量产
2028
CXMT:HBM3E 8-Hi 量产(乐观);需突破 EUV 限制
武汉新芯 / 长存:可能切入 HBM
2029
CXMT:HBM3E 12-Hi 量产爬坡
SJSemi HBM3E 满产
2030
CXMT:HBM4 12-Hi 量产(乐观)
SJSemi HBM4 量产
国产 HBM 链初步成型

三、各客户 CMP-Disk 需求量测算

3.1 关键假设

假设项 Base 情景 Optimistic Pessimistic 依据
HBM 国产化率 2025:10% → 2027:15% → 2030:25% 2030:35% 2030:15% 大基金三期 / 工信部 2025;参考 CXMT 扩产节奏
HBM 全球需求(wafer/月) 2025:~25K → 2030:~100K 2030:~120K 2030:~80K TrendForce/IDC 历史数据外推
CXMT HBM 产能 2027:2K → 2030:15K 2030:25K 2030:5K CXMT 总产能 200K wafer/月;HBM 占 5-10%
SJSemi HBM 产能 2025:~3K → 2030:~15K 2030:~25K 2030:~8K 江阴一/二期 + 三期规划
JCET HBM 封装产能 2025:~2K → 2030:~6K 2030:~10K 2030:~3K 长电科技 HBM 业务披露
TFME 槟城 AMD HBM 产能 2025:~3K → 2030:~6K 2030:~8K 2030:~4K 通富 AMD 业务占比 ~50%
Huatian HBM 产能 2025:~0.5K → 2030:~2K 2030:~4K 2030:~1K 华天公开披露
平均堆叠层数 2025:8-Hi → 2030:12-Hi 2030:12-Hi 2030:8-Hi HBM3E 主流 8/12-Hi;HBM4 主流 12/16-Hi
CMP-Disk / wafer(N+1) 8-Hi:9; 12-Hi:13; 16-Hi:17 同左 同左 每层 1 片 + 终抛 1 片
数据来源说明:本节产能假设综合——产品资料文件、CXMT 互动易 2026-06、SJSemi 公司官网、长电/通富/华天年报、TrendForce DRAMeXchange 季度报告(2024-2025)。具体数字均为基于公开信息的合理外推,非单一权威机构数据。

3.2 各客户 CMP-Disk 年需求量测算(Base 情景)

CXMT(长鑫存储) ⚠️ 三超未验证

年份 HBM 产能(wafer/月) 平均层数 年需求 wafer out(千片) CMP-Disk 年需求(万片) 金额(亿元)
20250—000
20260—000
20272,0008-Hi2421.61.25
20285,0008-Hi6054.03.13
202910,00012-Hi120156.09.05
203015,00012-Hi180234.013.57

SJSemi(盛合晶微) ✅ 三超已验证

年份 产能(wafer/月) 平均层数 wafer out(千片) CMP-Disk(万片) 金额(亿元)
20253,0008-Hi3632.41.88
20265,0008-Hi6054.03.13
20278,0008-Hi9686.45.01
202810,00012-Hi120156.09.05
202912,00012-Hi144187.210.86
203015,00012-Hi180234.013.57

JCET(长电科技) ✅ 三超已验证

年份 产能(wafer/月) 平均层数 wafer out(千片) CMP-Disk(万片) 金额(亿元)
20252,0008-Hi2421.61.25
20263,0008-Hi3632.41.88
20274,0008-Hi4843.22.51
20285,00012-Hi6078.04.52
20295,50012-Hi6685.84.98
20306,00012-Hi7293.65.43

TFME(通富微电,含槟城) ✅ 三超已验证

年份 产能(wafer/月) 平均层数 wafer out(千片) CMP-Disk(万片) 金额(亿元)
20253,0008-Hi3632.41.88
20264,0008-Hi4843.22.51
20275,0008-Hi6054.03.13
20285,50012-Hi6685.84.98
20295,80012-Hi7091.05.28
20306,00012-Hi7293.65.43

Huatian(华天科技) ✅ 三超已验证

年份 产能(wafer/月) 平均层数 wafer out(千片) CMP-Disk(万片) 金额(亿元)
20255008-Hi65.40.31
20268008-Hi9.68.60.50
20271,2008-Hi14.413.00.75
20281,50012-Hi1823.41.36
20291,80012-Hi21.628.11.63
20302,00012-Hi2431.21.81

3.3 国产 HBM 链 CMP-Disk 总量汇总(Base 情景)

年份 CXMT SJSemi JCET TFME Huatian 合计(万片) 合计金额(亿元) YoY
2025032.421.632.45.491.85.32—
2026054.032.443.28.6138.28.02+50.7%
202721.686.443.254.013.0218.212.65+57.7%
202854.0156.078.085.823.4397.223.04+82.1%
2029156.0187.285.891.028.1548.131.79+38.0%
2030234.0234.093.693.631.2686.439.81+25.2%

四、三超新材可达订单测算

4.1 渗透率假设(Base 情景)

客户类型 渗透率 依据
已验证客户
(SJSemi / JCET / TFME / Huatian / 中芯绍兴京城)		 80% 已通过客户认证;按招标结果三超为主要份额
未验证关键客户
(CXMT)		 0%(短期) / 10-30%(长期) 2026-06 互动易确认未送样;预计 2027-2028 突破
潜在客户(YMTC / 武汉新芯等) N/A 暂无 HBM 业务

4.2 三超 HBM 链可达订单(Base 情景)

2025 年可达订单
4.26亿元
2027 年可达订单
9.25亿元
2030 年可达订单
25.06亿元
2025-2030 CAGR
42.5%
年份 已验证客户 CMP-Disk 总需求(万片) 三超份额 80% CXMT 突破贡献 三超可达量(万片) 金额(亿元)
202591.873.4073.44.26
2026138.2110.60110.66.41
2027196.6157.3+2.2159.59.25
2028343.2274.6+10.8285.416.55
2029392.1313.7+39.0352.720.46
2030452.4361.9+70.2432.125.06

4.3 三情景对比(可达订单金额,亿元)

年份 Pessimistic Base Optimistic
20253.24.264.5
20264.56.417.8
20276.89.2513.5
202811.016.5524.0
202914.020.4632.0
203017.025.0642.0
情景差异:Pessimistic = CXMT 不进入 + 三超在 SJSemi 份额被海外厂商侵蚀至 50%;Optimistic = CXMT 2027 量产 + 三超全份额 + HBM 国产化率加速。

4.4 HBM 业务对总盘的占比(参考)

三超 CMP 修整碟总盘子:2025 年约 7-9 亿元(管理层 2025 中报业绩说明会披露口径),2024 年总营收 ~3.4 亿元
年份 HBM 链订单(亿元) CMP 总盘子(假设) HBM 占比
20254.268 亿53%
203025.06~30 亿(CAGR 30%)83%
结论:HBM 链是三超新材未来 3-5 年 CMP 业务增长的核心 alpha 来源。若 CXMT 客户验证突破失败,HBM 链贡献上限将锁定在 ~17-20 亿元/年;若突破顺利,可达订单弹性可翻倍。

五、风险与不确定性

5.1 关键风险(按发生概率排序)

⚠️ 风险 1:CXMT HBM 进展不及预期 — 最高优先级

风险描述:CXMT 因 EUV 光刻机进口受限、HBM 堆叠工艺良率爬坡缓慢、HBM 接口芯片适配延迟,HBM 量产时点从 2027 推迟至 2028-2029

影响测算:若 CXMT HBM 量产推迟 1 年,三超 2027 年可达订单将减少 ~1.4 亿元;推迟 2 年减少 ~3 亿元

触发信号:CXMT 季度业绩说明会、互动易问答、设备进口许可公示

数据来源:CXMT 2024-2026 年公开业绩说明会与互动易记录

⚠️ 风险 2:华为系出口管制升级 — 高优先级

风险描述:美方对 SJSemi 等华为系先进封装厂升级实体清单管控,导致关键设备/材料进口受阻,SJSemi HBM 产能扩张被迫放缓

影响测算:若 SJSemi 产能扩张推迟 1 年,三超 2026-2027 年累计可达订单将减少 3-5 亿元

触发信号:美商务部 BIS 实体清单更新、SJSemi 公告

数据来源:BIS 官网、华为系供应链公开分析

⚠️ 风险 3:海外厂商价格战 / 产能锁定 — 中优先级

风险描述:3M、DuPont、Engis 等海外 CMP-Disk 厂商对中国市场降价或与封测厂签长约,挤压三超份额

影响测算:已验证客户份额从 80% 降至 50%,三超 2027 年可达订单减少 2-3 亿元

触发信号:海外厂商在华销售策略、招标公告

数据来源:行业招标公开信息、海外厂商年报

⚠️ 风险 4:HBM 技术路径变化(HBM4 hybrid bonding) — 中优先级

风险描述:HBM4 转向 hybrid bonding 替代 micro-bump,CMP 工艺需求结构变化

影响测算:每片 HBM 修整碟需求系数变化 ±30%,2030 年可达订单 ±8 亿元

触发信号:SK 海力士/Samsung HBM4 技术白皮书、台积电 CoWoS-L 路线更新

⚠️ 风险 5:长江存储/武汉新芯切入 HBM — 低优先级

风险描述:YMTC 利用 3D NAND TSV 经验切入 HBM,增加国产竞争格局

影响测算:中长期(2028+)增加新客户,但三超份额被稀释

5.2 假设稳健性测试

假设变量 敏感性 对 2030 年可达订单的影响
HBM 国产化率 ±5%高±3-5 亿元
CXMT 突破与否极高-7 / +5 亿元
三超在 SJSemi 份额 ±10%中±3.5 亿元
单价 ±10%低(需求弹性)±2.5 亿元
平均堆叠层数 ±2 层中±8 亿元

六、关键跟踪指标清单

6.1 客户验证类(最高优先级)

指标 跟踪频率 数据来源 关键节点
CXMT HBM 送样/认证状态 实时 三超新材互动易、CXMT 业绩说明会 2026 Q4 首次送样?;2027 H1 小批量认证?
CXMT HBM 量产时点 季度 CXMT 业绩说明会 2027 试产 → 2028 量产(乐观)
SJSemi 二/三期产能爬坡 季度 SJSemi 官网、公司调研 2026 Q3 二期装机 → 2027 Q2 投产
JCET/TFME HBM 封装产能利用率 半年 公司投资者关系、行业协会 —

6.2 行业供需类

指标 跟踪频率 数据来源
全球 HBM 出货量(季度)季度TrendForce、IDC
HBM 单价(GB/$)季度TrendForce DRAMeXchange
AI ASIC 出货量(NVIDIA/AMD/华为昇腾)季度各家季报
CXMT 总产能(12 寸 wafer/月)半年CXMT 业绩说明会
长江存储 3D NAND 层数迭代半年YMTC 技术发布会

6.3 公司层面

指标 跟踪频率 数据来源
三超 CMP-Disk 季度营收季度公司季报
三超 CMP-Disk 毛利率季度公司季报
三超大客户收入占比半年公司半年报
三超研发投入(12 寸 HBM 档)年度公司年报
三超新产线投产进度半年公司公告

七、数据来源与口径说明

数据类别 来源 口径
三超新材客户验证产品资料文件「CMP钻石修整碟_产品资料.md」(2026-09 已读)内部资料
三超新材单价产品资料文件5,800 元/片(USD 800)
CXMT HBM 进展公司互动易 2026-06;业绩说明会 2024-2025公开
SJSemi 产能公司官网;业内公开报道估算
JCET/TFME/Huatian 产能各家上市公司年报/半年报;行业协会数据估算
全球 HBM 出货量TrendForce、IDC 历史报告(2024-2025)估算外推
HBM 国产化率假设中国半导体自给率政策(大基金三期 / 工信部 2025);CXMT 历史扩产节奏综合假设
海外厂商(3M、DuPont)业内公开报道估算
时点声明:本报告所有数据截至 2026 年 9 月。HBM 国产化链处于快速演进期,所有 2028 年后数据均为情景假设,非已发生事实。单项具体数字(如 SJSemi 某月产能)需向公司投资者关系部门核实。

📊 报告完成时间:2026-09-18 · 版本 v1.0 · 下次更新:2026 Q4(CXMT 2027 HBM 路线图更新后)

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