碳化硅：器件设计和晶圆制造行业研究
聚焦SiC SBD/MOSFET/JFET、6/8英寸晶圆制造、IDM/Foundry/Fabless竞争和中国国产替代路径。
封面&核心结论
压缩版结论页，适合先看行业阶段、8英寸迁移、全球格局、中国机会和AI数据中心催化。
2030器件市场
近US$10bn
Yole公开口径
中国器件空间
2030E >US$6bn
TrendForce摘要
短期阶段
去库存+降价
2025-2027修复
制造主线
8英寸迁移
良率是核心
产品核心
1200V MOSFET
车端/光储充
新增催化
AI中压电源
仍需兑现
| 主题 | 核心结论 | 经营/投资含义 | 来源ID |
|---|---|---|---|
| 市场阶段 | SiC功率器件长期仍是高增长赛道，但2025-2027处于衬底/器件扩产后的去库存、降价和产能利用率修复期。Yole/TrendForce口径均提示2030器件市场约百亿美元量级，中国市场快速放大。 | 短期不要只看总需求故事，要看价格、良率、稼动率、客户验证和现金流；长期看8英寸制造、车端900V/1000V、工业电源和AI数据中心中高压电源。 | S01/S02/S03/S12 |
| 产业链位置 | 器件设计与晶圆制造位于SiC中游，承接上游衬底/外延质量，向下游模块和系统客户交付SBD、MOSFET、JBS、JFET等芯片。 | 公司价值不是单纯设计费，而是工艺平台、车规可靠性、良率和客户平台绑定。Fabless若缺少稳定工艺和封测生态，毛利弹性会被良率/代工价吞噬。 | S23 |
| 8英寸迁移 | 8英寸是成本下降和规模量产的主线，但良率、设备适配、外延一致性、缺陷检测和客户认证会决定迁移速度。TrendForce预计8英寸衬底2030出货份额超过20%。 | ST、Infineon、Wolfspeed、Bosch、士兰微、芯联集成等都在推进200mm/8英寸，扩产不是立刻利润增厚，先看量产良率和价格曲线。 | S01/S07/S10/S14/S19/S21 |
| 全球格局 | ST、Infineon、onsemi、Wolfspeed、ROHM、Mitsubishi、Bosch控制车规和工业高端；Wolfspeed虽经历重整，但仍是SiC材料和200mm制造的重要变量。 | 海外龙头的优势来自IDM垂直能力、车厂/Tier1平台认证和长期可靠性数据库；国内公司要从低压/工业/光储充逐步切入车规主驱。 | S04/S05/S07/S10/S12/S16/S17 |
| 中国机会 | 中国机会集中在三条线：芯联集成/士兰微/华润微等晶圆制造平台，扬杰/新洁能/斯达/时代电气等功率器件和模块应用，三安-ST重庆JV等国际合作本土化。 | 重点看8英寸SiC产线通线到量产、SiC MOSFET车规出货、国内OBC/DC-DC/光储充订单，以及毛利率从低位修复。 | S08/S19/S20/S21/S22/S24 |
| AI和数据中心 | AI数据中心并非当前最大需求，但高压直流、固态变压器、UPS、服务器电源树和中压配电为SiC提供新增想象空间。Wolfspeed 10kV器件和onsemi AI电源树表述是重要信号。 | AI主题带来估值催化，但收入兑现仍要分清电源架构采用节奏、器件电压段、模块/系统客户认证与量产时点。 | S06/S12 |
| 关键跟踪指标 | 为什么重要 | 观察频率 | 来源/抓手 |
|---|---|---|---|
| 8英寸SiC良率和片数 | 通线到有效良品产能的核心门槛 | 季度/年度 | 公司公告、调研、客户认证 |
| 车规主驱/900V平台定点 | 决定1200V MOSFET长期收入斜率 | 事件/季度 | 车企/Tier1/公司IR |
| 衬底和外延价格 | 上游降价既压毛利也推动渗透 | 季度 | TrendForce/Yole/供应链 |
| 毛利率和稼动率 | 区分扩产故事与真实盈利 | 季度/年度 | 财报、产能利用率 |
| AI数据中心电源订单 | 判断新需求是否从主题进入收入 | 事件/季度 | 电源架构、客户方案、器件电压段 |
全球股价涨幅
| 公司 | 代码/市场 | 区域 | 起点日期 | 起点复权收盘 | 终点日期 | 终点复权收盘 | 2025年至今 | 近1个月 | 近3个月 | 近半年 | AI/SiC股价解释 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Navitas | NVTS | 美国 | 2024-12-31 | 3.57 USD | 2026-05-29 | 26.60 USD | 645.1% | 61.2% | 195.6% | 204.3% | 小市值高弹性，800VDC AI factory、GaNFast/GeneSiC高压电源叙事最强。 | S36/S37/S47 | 波动和估值风险也最高 |
| ROHM | 6963.T | 日本 | 2024-12-30 | 1,433.95 JPY | 2026-05-29 | 5,458.00 JPY | 280.6% | 60.6% | 91.3% | 162.6% | EcoSiC/EcoGaN、AI服务器PSU和800VDC白皮书强化AI电源预期。 | S33/S34/S47 | 日本市场2024-12-31休市 |
| STMicroelectronics | STM | 美国ADR | 2024-12-31 | 24.57 USD | 2026-05-29 | 69.31 USD | 182.1% | 25.7% | 106.8% | 203.4% | 与NVIDIA 800VDC方案、数据中心收入和Si/SiC power design wins形成催化。 | S31/S32/S47 | ADR口径 |
| Wolfspeed | WOLF | 美国 | 2025-09-29 | 22.10 USD | 2026-05-29 | 59.28 USD | 168.2% | 100.7% | 200.6% | 192.3% | 10kV SiC、AI rack power和300mm SiC先进封装提供技术弹性。 | S25/S26/S27/S47 | 重整后数据源从2025-09-29起算，不能与2024-12-31基准严格可比 |
| Infineon | IFX.DE | 德国 | 2024-12-30 | 30.88 EUR | 2026-05-29 | 81.11 EUR | 162.7% | 42.0% | 77.0% | 125.0% | 12kW AI PSU、CoolSiC/CoolGaN和DG Matrix SST合作提升AI电源预期。 | S28/S29/S30/S47 | 德国市场2024-12-31休市 |
| Mitsubishi Electric | 6503.T | 日本 | 2024-12-30 | 2,627.27 JPY | 2026-05-29 | 6,558.00 JPY | 149.6% | 5.2% | 10.1% | 56.2% | 功率模块、工业/电网自动化和高压SiC应用受AI电力基础设施外溢拉动。 | S17/S47 | 日本市场2024-12-31休市 |
| X-FAB | XFAB.PA | 法国/欧洲 | 2024-12-31 | 5.03 EUR | 2026-05-29 | 10.76 EUR | 114.1% | 71.1% | 129.8% | 118.9% | SiC/GaN宽禁带代工稀缺，Q1披露SiC晶圆出货和宽禁带收入高增。 | S38/S47 | 巴黎上市口径 |
| onsemi | ON | 美国 | 2024-12-31 | 63.05 USD | 2026-05-29 | 120.62 USD | 91.3% | 19.7% | 81.4% | 140.1% | AI data center power tree同比翻倍叙事叠加EliteSiC 900V EV平台。 | S35/S47 | AI电源收入不完全等同SiC收入 |
| 扬杰科技 | 300373.SZ | 中国 | 2024-12-31 | 42.62 CNY | 2026-05-29 | 107.12 CNY | 151.4% | 42.1% | 23.3% | 66.7% | Q1高增且公告提及AI、新能源汽车、储能和工控需求，SiC系列产品提供弹性。 | S40/S47 | A股对照 |
| 新洁能 | 605111.SS | 中国 | 2024-12-31 | 33.84 CNY | 2026-05-29 | 66.61 CNY | 96.9% | 63.7% | 39.7% | 92.3% | 功率器件设计公司，受AI PSU、高效电源和新能源需求预期影响。 | S45/S47 | A股对照 |
| 斯达半导 | 603290.SS | 中国 | 2024-12-31 | 89.10 CNY | 2026-05-29 | 128.70 CNY | 44.4% | 23.8% | 18.3% | 36.3% | SiC/IGBT模块与车规/工业高压应用相关，AI更多为间接电力电子需求。 | S45/S47 | A股对照 |
| 华润微 | 688396.SS | 中国 | 2024-12-31 | 47.11 CNY | 2026-05-29 | 64.09 CNY | 36.0% | 13.1% | 12.2% | 38.0% | 功率IDM和SiC/GaN平台提供制造弹性，但AI直接订单需验证。 | S43/S47 | A股对照 |
| 士兰微 | 600460.SS | 中国 | 2024-12-31 | 25.98 CNY | 2026-05-29 | 34.60 CNY | 33.2% | 19.7% | 7.5% | 23.9% | 8英寸SiC线通线与IDM功率平台形成预期，仍需看量产良率。 | S44/S47 | A股对照 |
| 时代电气 | 688187.SS | 中国 | 2024-12-31 | 46.47 CNY | 2026-05-29 | 61.00 CNY | 31.3% | 26.0% | 2.7% | 22.5% | 功率模块和高压电力电子对AI数据中心设施建设有间接弹性。 | S42/S47 | A股对照 |
| 三安光电/三安集成 | 600703.SS | 中国 | 2024-12-31 | 12.15 CNY | 2026-05-29 | 15.64 CNY | 28.7% | 14.4% | -6.3% | 18.5% | 三安-ST重庆JV为长期SiC制造选项，但集团业务宽、短期财务承压。 | S41/S47 | A股对照 |
| 芯联集成 | 688469.SS | 中国 | 2025-10-09 | 7.34 CNY | 2026-05-29 | 8.06 CNY | 9.8% | 17.0% | 3.6% | 20.8% | 国内SiC晶圆制造平台，AI直接客户仍需验证，核心看8英寸有效良率和毛利率。 | S39/S47 | Yahoo数据源从2025-10-09起算，不能与2024-12-31基准严格可比 |
| 口径说明 | 内容 |
|---|---|
| 起止日期 | 多数市场起点为2024-12-31；日本、德国因2024-12-31休市，起点使用2024-12-30；终点统一用2026-05-29。 |
| 价格口径 | 优先使用Yahoo Finance调整收盘价；若拆股、分红或重整导致不可比，在备注列单独标注。 |
| 解读方式 | 股价涨幅反映AI电源/SiC高压/8英寸制造预期和市场风险偏好，不等同于SiC收入实际增长。 |
| 特殊项 | Wolfspeed因重整后数据源起点为2025-09-29，芯联集成Yahoo数据源从2025-10-09起算，均不能与完整2025年至今口径严格比较。 |
市场规模&价格趋势
区分器件市场、衬底市场、中国市场和公司产能规划，避免把不同口径直接相加。
| 来源/口径 | 时间 | 市场规模 | 预测规模 | CAGR/增速 | 区域 | 口径说明 | 来源ID | 解读 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Yole via Semiconductor Today | 2025/2030E | 约US$3.4bn级(2024基数) | 2030接近US$10bn | 长期高双位数 | 全球 | Power SiC device market；经历2019-2024投资浪潮后进入修正周期 | S02 | 器件端长期空间清晰，但2027-2028前供需仍偏修复 |
| TrendForce中国报告摘要 | 2030E | 未披露完整年度序列 | 中国SiC功率器件市场有望超过US$6bn | 高增长 | 中国 | 中国SiC power device市场 | S03 | 中国车端、光储充、工业电源和本土制造共同拉动 |
| TrendForce衬底报告 | 2024/2030E | 2024 N-type SiC衬底收入约US$1.04bn，同比-9% | 8英寸衬底2030出货份额>20% | 短期承压，长期迁移 | 全球 | 上游导电型衬底，不等同器件市场 | S01 | 衬底降价会压上游毛利，但有利于器件渗透和应用扩展 |
| Wolfspeed 10-K | FY2025 | 总收入US$757.6mn，其中Power Products US$414.0mn，Materials Products US$343.6mn | 重整后客户拓展和200mm爬坡 | 短期承压 | 全球 | 公司收入，非市场规模 | S04/S05 | Wolfspeed是SiC周期的放大器：材料、器件和资本结构同时影响预期 |
| ST Catania SiC Campus | 2026/2033 | 200mm SiC器件和模块产线计划2026投产 | 满产最高15,000片/周 | 产能爬坡 | 欧洲 | 单一公司产能规划 | S07 | ST的垂直一体化将强化车规和工业客户供给安全 |
| Infineon Kulim 200mm SiC Fab | 2024起 | 一阶段已开幕 | 长期成为最大200mm SiC power fab之一 | 产能爬坡 | 马来西亚/欧洲 | 单一公司产能规划 | S10/S11 | Infineon用Villach+Kulim虚拟晶圆厂降低量产切换风险 |
| 中国8英寸产线 | 2025-2028 | 芯联集成、士兰微等推进8英寸SiC通线/量产 | 士兰项目规划2028年底一期年产42万片8英寸SiC | 从通线到量产 | 中国 | 公司产线规划，不等同有效良品产能 | S19/S21 | 中国供给弹性大，但关键在车规良率和订单 |
| 环节/产品 | 供需状态 | 价格趋势 | 关键驱动 | 验证指标 | 风险 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 导电型SiC衬底 | 2024-2025供给竞争加剧 | 价格下行，收入承压 | 中国厂商扩产、6英寸成熟、8英寸导入 | 衬底ASP、N-type出货、缺陷密度、8英寸比例 | 低价竞争、客户认证未完成 | S01 | 上游降价是器件渗透前提 |
| SiC外延片 | 质量分层明显 | 普通规格承压，高压厚外延更有韧性 | 外延厚度、掺杂均匀性、缺陷控制 | BPD/TSD转换、厚外延良率、客户返修 | 衬底缺陷传导、设备瓶颈 | S01/S23 | |
| 650V-1200V SiC SBD/JBS | 产品相对成熟 | 低端竞争加剧 | OBC、PFC、光伏、快充和工业电源 | 导通压降、反向恢复、良率、封测成本 | 硅FRD/超结MOS替代竞争 | S16/S22 | 适合国产先切入 |
| 750V-1200V SiC MOSFET | 车规和工业高端仍稀缺 | 车规高端价格更稳，非车价格受竞争影响 | 800V/900V EV、OBC、DC-DC、光储充 | Rds(on)、短路能力、栅氧可靠性、AEC-Q101/车厂验证 | 价格下探、失效率、客户验证周期 | S12/S13/S16 | 当前最核心器件 |
| 1700V-3300V SiC MOSFET/模块 | 小批量高壁垒 | 项目型定价 | 轨交、风电、储能PCS、中压电源 | 耐压、短路、热循环、模块寄生 | 量小、项目周期长 | S06/S17/S19 | 高压段与模块封装强耦合 |
| 6英寸SiC晶圆制造 | 产能成熟但降价压力大 | 成本继续下降 | 客户导入、设备折旧、良率 | 稼动率、单片成本、良率 | 产能过剩、价格战 | S01/S19 | 仍是多数国产量产基础 |
| 8英寸SiC晶圆制造 | 全球进入爬坡期 | 短期成本未必低，良率爬坡后才体现优势 | 200mm设备、外延、离子注入、退火、缺陷检测 | 良率、片内均匀性、客户认证、设备OEE | 通线不等于量产，资本开支压力大 | S07/S10/S14/S19/S21 | 2026-2028是关键验证窗口 |
最新资讯&催化
跟踪900V车端、8英寸SiC通线/量产、Wolfspeed重整和AI数据中心电源等事件。
| 日期/期间 | 事件 | 核心内容 | 影响判断 | 关注指标 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026-05 | onsemi Q1 2026显示需求触底修复 | Q1 2026收入US$1.513bn，管理层称需求改善；业务亮点包括AI数据中心收入同比翻倍，以及EliteSiC支持900V EV架构。 | 车端和AI电源树均给SiC提供增量，但公司仍处周期修复。 | 汽车订单、EliteSiC客户、毛利率、AI电源树收入 | S12 | |
| 2026-04 | onsemi与吉利/NIO等推进EliteSiC合作 | 吉利展示搭载onsemi EliteSiC的超级电混系统，NIO也扩展900V EV平台合作。 | 客户验证证明SiC仍是高压快充和续航提升的核心器件。 | 900V平台车型、量产爬坡、单车SiC价值量 | S13 | |
| 2026-04 | Bosch推出第三代SiC芯片 | Bosch第三代SiC芯片在Reutlingen 200mm晶圆上开发制造，面向全球车厂样品供应。 | 车企/Tier1垂直化加深，IDM/系统厂参与会改变传统分立器件格局。 | 200mm良率、车厂导入、Roseville投产 | S14/S15 | |
| 2026-03 | Wolfspeed发布10kV SiC MOSFET | 面向电网现代化、工业电气化和AI数据中心基础设施的10kV SiC MOSFET。 | SiC从车载主逆变向中压电源、固态变压器和电网装备延伸。 | 10kV客户、可靠性、模块化方案、收入贡献 | S06 | |
| 2026-01 | Wolfspeed完成Renesas股权发行关键节点 | CFIUS批准Renesas获得Wolfspeed重整协议相关股权，并有Renesas高管进入董事会。 | 日本车规/功率半导体生态与Wolfspeed材料/200mm制造绑定加强。 | 客户拓展、债务压力、Mohawk Valley稼动率 | S05 | |
| 2026-01 | 士兰微8英寸SiC功率器件芯片产线通线 | 士兰微在厦门举行8英寸SiC功率器件芯片制造生产线通线仪式。 | 中国本土IDM开始进入8英寸SiC验证窗口。 | 通线到量产、良率、车规客户、资本开支 | S21 | |
| 2025-2026 | 芯联集成SiC业务快速放量 | 2025年报披露公司形成8英寸硅基、12英寸硅基、6/8英寸SiC三大产线，SiC MOSFET覆盖650V-3300V平台。 | 国内晶圆制造平台卡位突出，但盈利仍处修复期。 | SiC收入、月产片数、毛利率、主驱客户 | S19 | |
| 2024-2026 | ST/Infineon/三安/重庆JV推进200mm本土化 | ST Catania SiC Campus计划2026投产，重庆JV聚焦200mm SiC器件制造，Infineon Kulim进入200mm爬坡。 | 海外IDM通过一体化制造锁定车规和工业客户；中国通过JV和本土平台追赶。 | 200mm片数、满产节奏、内部衬底比例、客户绑定 | S07/S08/S10 |
产品分层&技术路线
按SBD/JBS、不同耐压MOSFET、JFET、Foundry和裸芯/模块适配拆解产品路线。
| 产品层级 | 代表产品 | 关键参数/技术路线 | 壁垒 | 下游驱动 | 全球代表公司 | 中国/亚洲代表公司 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiC SBD/JBS | 650V/1200V/1700V肖特基二极管、结势垒肖特基 | 低Vf、低Qrr、反向漏电、耐浪涌、结终端设计 | 外延缺陷、边缘终端、封装热阻、可靠性 | PFC、OBC、光伏、工业电源、快充 | Infineon、ST、ROHM、onsemi、Wolfspeed | 扬杰、新洁能、士兰微、华润微、三安生态 | S16/S20/S22 | 国产先行突破品类 |
| SiC MOSFET 650-750V | 数据中心电源、OBC、光伏低压段MOSFET | Rds(on)、Qg、栅氧可靠性、短路能力、并联一致性 | 沟槽/平面结构、栅氧质量、动态Rds(on)、可靠性数据 | AI服务器电源、OBC、光储逆变、工业电源 | Infineon、ST、onsemi、ROHM、Wolfspeed | 芯联集成、士兰微、华润微、新洁能、基本半导体 | S06/S12/S16/S19/S20 | |
| SiC MOSFET 1200V | 车规主逆变、OBC/DC-DC、光储充 | 低导通损耗、低开关损耗、短路承受、栅极驱动窗口 | AEC-Q101、栅氧寿命、缺陷筛选、车厂长期验证 | 800V/900V EV平台、快充、光伏储能 | ST、Infineon、onsemi、ROHM、Bosch、Wolfspeed | 芯联集成、时代电气、斯达半导、士兰微、三安-ST JV | S07/S08/S12/S13/S14/S19/S21 | 最重要收入池 |
| SiC MOSFET 1700V-3300V | 轨交、电网、风电、储能PCS、中压固态开关 | 更厚外延、更高耐压、边缘终端、热循环、封装绝缘 | 厚外延均匀性、缺陷控制、高压可靠性、模块寄生 | 中压配电、SST、工业电机、铁路牵引 | Wolfspeed、Mitsubishi、Infineon、ROHM、ST | 芯联集成、时代电气、宏微/斯达等模块厂 | S06/S17/S19 | 量小但单价和壁垒高 |
| SiC JFET/可关断器件 | Cascode、JFET、固态断路器器件 | 常开/常关设计、驱动安全、短路保护、低损耗 | 系统应用know-how、驱动保护、可靠性 | 固态断路器、数据中心供电、航空航天 | Infineon、Qorvo/UnitedSiC、Wolfspeed等 | 国内早期布局 | S06/S10/S11 | 高压新场景关注 |
| 晶圆制造服务/Foundry | 6/8英寸SiC MOSFET工艺平台、SBD平台、模块前段工艺 | 外延、离子注入、高温退火、欧姆接触、终端保护、缺陷检测 | 工艺模块完整性、车规质量体系、良率、客户IP保护 | Fabless器件设计公司、模块厂、车企供应链 | X-FAB、ST/Infineon/onsemi自用IDM、Bosch部分垂直 | 芯联集成、士兰微、华润微、三安集成 | S18/S19/S20/S21 | 决定国内Fabless能否规模化 |
| 裸芯/模块适配 | 裸die、分立器件、半桥模块、主驱模块 | 芯片并联一致性、封装寄生、热阻、驱动保护 | 芯片-模块-驱动协同设计和系统验证 | 主逆变、OBC、充电桩、工业变频 | Mitsubishi、ROHM、Infineon、ST、onsemi | 时代电气、斯达半导、宏微科技、扬杰科技 | S17/S22/S24 | 本专题聚焦裸芯前段，模块作为下游衔接 |
制造工艺&良率瓶颈
从衬底、外延、器件结构、离子注入、栅氧、金属化到晶圆测试梳理制造瓶颈。
| 工艺环节 | 关键设备/材料 | 核心难点 | 良率/成本影响 | 海外领先做法 | 国内追赶路径 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 衬底选择 | 4H-SiC导电型衬底，6英寸/8英寸 | 微管、TSD/BPD缺陷、TTV、翘曲、厚度和表面损伤 | 缺陷会在外延和器件端放大，决定良率底盘 | Wolfspeed、Coherent、ROHM/ST自供、Infineon供应链 | 天岳先进、天科合达、三安、晶盛/高测等设备链提升8英寸能力 | S01/S07/S10 | 衬底不是本专题主体但决定制造成败 |
| 外延生长 | CVD外延炉、Si/H/C源气体、掺杂气体 | 厚度/掺杂均匀性、缺陷转化、表面三角缺陷、厚外延周期 | 影响耐压、漏电和芯片筛选成本 | IDM内部外延与长期统计数据库 | 国产外延供应商和IDM自建外延，先从1200V以下做稳定 | S01/S23 | |
| 器件结构设计 | TCAD、工艺PDK、平面/沟槽MOS、JBS终端 | Rds(on)与可靠性、栅氧电场、短路承受能力的平衡 | 一次流片成功率和客户平台性能 | Infineon trench、ROHM trench、Mitsubishi trench、ST/onsemi平台化 | Fabless+Foundry协同，积累车规失效数据库 | S16/S17/S19 | |
| 离子注入与高温退火 | 高能离子注入、1700-2000C退火、石墨保护 | SiC扩散系数低，P/N区形成难，设备和热场要求高 | 决定阈值、电阻、漏电和片内一致性 | 海外IDM长期设备和工艺窗口积累 | 芯联、士兰、华润微等平台化后降低客户门槛 | S19/S20/S21 | |
| 栅氧与界面 | 栅氧生长、NO/N2O退火、界面态控制 | SiC/SiO2界面态高，阈值漂移、栅氧可靠性和短路是车规核心 | 高端MOSFET客户验证周期长 | 海外龙头拥有长期可靠性和失效分析数据库 | 从工业/光储到车规主驱分阶段认证 | S12/S13/S16 | |
| 金属化/欧姆接触 | Ni/Ti/Al金属化、PVD、快速退火 | 低接触电阻、热稳定、片内一致性 | 影响导通损耗、热循环和长期漂移 | IDM对封装和芯片协同优化 | 制造平台与模块厂共同调试 | S17/S19/S24 | |
| 刻蚀与终端保护 | ICP刻蚀、钝化、边缘终端、JTE | 高深宽比、损伤控制、终端耐压和泄漏 | 决定耐压余量和良率 | 沟槽/终端结构专利与工艺库 | 国产设备替代与多项目流片积累 | S17/S21 | |
| 晶圆测试与可靠性筛选 | CP测试、动态Rds(on)、HTRB/HTGB、短路、雪崩、热阻 | SiC缺陷的早期筛选和车规失效责任 | 筛选不足会带来系统级失效，筛选过度推高成本 | 海外车规龙头有大样本可靠性曲线 | 建立AEC-Q101和车厂自定义测试数据库 | S12/S13/S19 | |
| 6到8英寸迁移 | 200mm衬底/外延/注入/退火/检测/搬运 | 设备适配、片内均匀性、缺陷检测和客户重新认证 | 初期成本未必下降，量产良率达标后降本明显 | ST Catania、Infineon Kulim、Bosch Reutlingen、Wolfspeed Mohawk Valley | 芯联集成、士兰微、三安-ST JV推进通线和量产 | S07/S08/S10/S14/S19/S21 | 通线、试产、量产、车规定点应分开看 |
全球公司矩阵
对比海外IDM、Foundry、国内晶圆制造平台、功率器件和模块公司的定位。
| 序号 | 公司 | 代码 | 区域 | 定位 | 制造/产能模式 | 重点产品 | 优势 | 风险/短板 | 业务口径 | 跟踪指标 | 来源ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | STMicroelectronics | STM | 欧洲 | SiC功率器件和模块全球龙头之一 | IDM；Catania/Singapore/China，多地制造；Catania 200mm Campus和重庆JV | SiC MOSFET、SBD、模块、MCU+功率方案 | 车规客户、垂直整合、200mm和内部衬底布局 | 汽车工业周期、资本开支、毛利率修复 | 集团宽口径 | SiC收入、Catania投产、重庆JV、汽车客户 | S07/S08/S09/S24 |
| 2 | Infineon | IFX.DE | 德国 | 功率半导体龙头，CoolSiC平台 | IDM；Villach+Kulim 200mm SiC虚拟晶圆厂 | CoolSiC MOSFET、SBD、模块、驱动配套 | 汽车/工业客户深，功率系统方案强 | 周期下行、价格竞争、扩产利用率 | 集团宽口径 | Kulim爬坡、CoolSiC客户、汽车/绿色工业收入 | S10/S11/S24 |
| 3 | onsemi | ON | 美国 | EliteSiC车规和工业功率器件 | IDM；SiC衬底、外延、器件、模块和封测整合 | EliteSiC MOSFET、模块、智能功率、传感 | NIO/Geely等车端合作，AI数据中心电源树 | 2025盈利下滑，SiC价格和稼动率 | 集团宽口径 | EliteSiC客户、900V平台、AI电源收入、毛利率 | S12/S13/S24 |
| 4 | Wolfspeed | WOLF | 美国 | SiC材料和200mm制造核心公司 | 垂直整合；Mohawk Valley 200mm器件，材料业务 | SiC衬底、外延、MOSFET、模块 | 材料和200mm先发，10kV高压产品 | 重整后客户拓展、负毛利和稼动率压力 | SiC高纯度口径 | Power Products/Materials收入、Mohawk Valley良率、Renesas协同 | S04/S05/S06 |
| 5 | ROHM | 6963.T | 日本 | EcoSiC垂直整合供应商 | IDM；从晶圆制造、器件、封装到质量控制 | SiC SBD、MOSFET、模块、驱动配套 | 车规/工业可靠性和日本客户资源 | 扩产利用率、集团盈利承压 | 集团宽口径 | SiC产能、EcoSiC订单、汽车客户 | S16/S24 |
| 6 | Bosch | Private | 德国/美国 | 车用系统厂垂直进入SiC芯片 | Reutlingen 200mm SiC；Roseville改造200mm SiC | 第三代SiC芯片、车用功率器件 | 车企系统能力、内部需求、质量体系 | 非上市无财务拆分，外供比例不确定 | 私有公司 | 200mm投产、车厂样品、系统集成 | S14/S15 |
| 7 | Mitsubishi Electric | 6503.T | 日本 | 功率模块和高压SiC器件 | IDM；功率半导体和模块一体 | 沟槽型SiC-MOSFET裸芯、功率模块 | 轨交/工业/汽车功率模块经验深 | 集团口径宽，SiC收入拆分有限 | 集团宽口径 | 沟槽裸芯量产、xEV/可再生能源客户 | S17 |
| 8 | X-FAB | XFAB.PA | 欧洲 | 模拟/功率特色工艺代工，宽禁带平台 | Foundry；SiC/GaN工艺服务 | SiC/GaN代工、特色模拟/功率工艺 | 为Fabless和系统公司提供制造入口 | 规模和车规客户绑定弱于IDM | 代工口径 | SiC/GaN客户项目、产能利用率 | S18 |
| 9 | 芯联集成 | 688469.SH | 中国大陆 | 国内SiC晶圆制造和车规功率平台 | 6/8英寸SiC、8/12英寸硅基多平台；Foundry+IDM协同 | 650V-3300V SiC MOSFET、IGBT、MEMS | 8英寸SiC量产出货线索，车规晶圆制造基础 | 仍亏损，毛利率和稼动率需修复 | 公司整体口径 | SiC月产、全球份额、主驱客户、毛利率 | S19/S24 |
| 10 | 士兰微 | 600460.SH | 中国大陆 | IDM功率器件和8英寸SiC平台 | 厦门8英寸SiC功率器件芯片产线通线 | SiC MOSFET、IPM、功率器件、模拟芯片 | IDM体系和多尺寸产线，8英寸SiC自主突破 | 资本开支、价格周期、车规认证 | 公司整体口径 | 8英寸产线量产、车规客户、功率毛利率 | S21/S24 |
| 11 | 华润微 | 688396.SH | 中国大陆 | 功率半导体IDM和特色工艺平台 | IDM全产业链；SiC/GaN第三代半导体产品推进 | 车规MOSFET、IGBT、SiC器件、功率模块 | 功率器件和制造平台完整 | SiC收入拆分有限，集团口径宽 | 公司整体口径 | SiC/GaN产品上量、车规MOSFET、产能利用率 | S20 |
| 12 | 三安光电/三安集成 | 600703.SH | 中国大陆 | 化合物半导体平台，与ST共建重庆200mm SiC JV | 化合物半导体制造；ST重庆JV聚焦200mm SiC器件 | SiC、GaN、GaAs、光电和RF/功率 | 化合物平台和国际合作 | 集团亏损、LED周期、SiC盈利拆分难 | 集团宽口径 | 重庆JV进度、三安SiC衬底/外延/器件、稼动率 | S08/S24 |
| 13 | 扬杰科技 | 300373.SZ | 中国大陆 | 功率器件IDM/Fabless混合，SiC系列布局 | 材料、晶圆、封装和销售服务一体化 | SBD、MOSFET、IGBT、SiC系列 | 渠道、产品矩阵和IDM链条 | SiC高端车规占比仍需验证 | 公司整体口径 | SiC产品收入、车规客户、欧洲制裁影响 | S22/S24 |
| 14 | 时代电气 | 688187.SH | 中国大陆 | 轨交/新能源功率模块和器件平台 | 功率半导体+模块+系统应用 | IGBT/SiC模块、电驱、轨交功率器件 | 下游牵引和电驱场景强，系统验证能力 | SiC器件收入拆分有限，模块口径多 | 集团宽口径 | SiC模块定点、轨交/车端订单、毛利率 | S24 |
| 15 | 斯达半导 | 603290.SH | 中国大陆 | IGBT/SiC功率模块龙头 | 模块设计和封装，芯片采购/合作 | SiC模块、IGBT模块、车规功率模块 | 车规模块客户和封装经验 | 前段晶圆制造不是核心，芯片供应依赖 | 公司整体口径 | SiC模块收入、主驱客户、芯片自给/合作 | S24 |
三年财务数据
展示相关上市公司近三年财务数据。注意大多为集团口径，并非纯SiC收入。
| 区域 | 公司 | 代码 | 财年截止 | 年度 | 币种 | 收入(百万原币) | 毛利(百万原币) | 净利润(百万原币) | 毛利率 | 净利率 | 收入(百万美元) | 净利润(百万美元) | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 德国 | Infineon | IFX.DE | 9月 | 2,023.0 | EUR | 16,309.0 | 7,413.0 | 3,137.0 | 45.5% | 19.2% | 17,613.7 | 3,388.0 | S24 | 财年截止9月；集团口径 |
| 德国 | Infineon | IFX.DE | 9月 | 2,024.0 | EUR | 14,955.0 | 6,245.0 | 1,301.0 | 41.8% | 8.7% | 16,151.4 | 1,405.1 | S24 | 集团口径 |
| 德国 | Infineon | IFX.DE | 9月 | 2,025.0 | EUR | 14,662.0 | 5,753.0 | 1,015.0 | 39.2% | 6.9% | 15,835.0 | 1,096.2 | S24 | 集团口径 |
| 欧洲 | STMicroelectronics | STM | 12月 | 2,023.0 | USD | 17,286.0 | 8,287.0 | 4,211.0 | 47.9% | 24.4% | 17,286.0 | 4,211.0 | S24 | 集团口径 |
| 欧洲 | STMicroelectronics | STM | 12月 | 2,024.0 | USD | 13,269.0 | 5,220.0 | 1,557.0 | 39.3% | 11.7% | 13,269.0 | 1,557.0 | S24 | 集团口径 |
| 欧洲 | STMicroelectronics | STM | 12月 | 2,025.0 | USD | 11,800.0 | 3,999.0 | 166.0 | 33.9% | 1.4% | 11,800.0 | 166.0 | S24 | 集团口径 |
| 美国 | onsemi | ON | 12月 | 2,023.0 | USD | 8,253.0 | 3,883.5 | 2,183.7 | 47.1% | 26.5% | 8,253.0 | 2,183.7 | S24 | 集团口径 |
| 美国 | onsemi | ON | 12月 | 2,024.0 | USD | 7,082.3 | 3,216.1 | 1,572.8 | 45.4% | 22.2% | 7,082.3 | 1,572.8 | S24 | 集团口径 |
| 美国 | onsemi | ON | 12月 | 2,025.0 | USD | 5,995.4 | 1,983.9 | 121.0 | 33.1% | 2.0% | 5,995.4 | 121.0 | S24 | 集团口径；净利受周期影响 |
| 美国 | Wolfspeed | WOLF | 6月 | 2,023.0 | USD | 758.5 | 148.0 | -330.0 | 19.5% | -43.5% | 758.5 | -330.0 | S04 | 估算/披露组合；2025 10-K收入精确，利润为重整期参考 |
| 美国 | Wolfspeed | WOLF | 6月 | 2,024.0 | USD | 807.2 | 77.4 | -573.6 | 9.6% | -71.1% | 807.2 | -573.6 | S04 | Power Products/Materials拆分见来源 |
| 美国 | Wolfspeed | WOLF | 6月 | 2,025.0 | USD | 757.6 | -121.6 | -1,609.2 | -16.1% | -212.4% | 757.6 | -1,609.2 | S04 | 重整和低稼动率导致亏损扩大 |
| 日本 | ROHM | 6963.T | 3月 | 2,023.0 | JPY | 507,882.0 | 193,661.0 | 80,375.0 | 38.1% | 15.8% | 3,255.7 | 515.2 | S24 | 日元百万；集团口径 |
| 日本 | ROHM | 6963.T | 3月 | 2,024.0 | JPY | 467,780.0 | 145,692.0 | 53,965.0 | 31.1% | 11.5% | 2,998.6 | 345.9 | S24 | 集团口径 |
| 日本 | ROHM | 6963.T | 3月 | 2,025.0 | JPY | 448,466.0 | 74,263.0 | -50,065.0 | 16.6% | -11.2% | 2,874.8 | -320.9 | S24 | 集团口径，SiC扩产利用率压力 |
| 中国大陆 | 三安光电 | 600703.SH | 12月 | 2,023.0 | CNY | 14,052.8 | 1,427.0 | 366.6 | 10.2% | 2.6% | 1,979.3 | 51.6 | S24 | 人民币百万元；集团口径 |
| 中国大陆 | 三安光电 | 600703.SH | 12月 | 2,024.0 | CNY | 16,105.8 | 1,917.3 | 252.8 | 11.9% | 1.6% | 2,268.4 | 35.6 | S24 | 集团口径 |
| 中国大陆 | 三安光电 | 600703.SH | 12月 | 2,025.0 | CNY | 17,949.2 | 2,231.9 | -353.2 | 12.4% | -2.0% | 2,528.1 | -49.7 | S24 | 集团口径，2025亏损 |
| 中国大陆 | 芯联集成 | 688469.SH | 12月 | 2,023.0 | CNY | 5,324.5 | -362.6 | -2,941.4 | -6.8% | -55.2% | 749.9 | -414.3 | S19/S24 | 人民币百万元；毛利按收入-成本估算 |
| 中国大陆 | 芯联集成 | 688469.SH | 12月 | 2,024.0 | CNY | 6,509.1 | 66.0 | -2,246.5 | 1.0% | -34.5% | 916.8 | -316.4 | S19/S24 | 归母净利另为-962.160百万元 |
| 中国大陆 | 芯联集成 | 688469.SH | 12月 | 2,025.0 | CNY | 8,179.7 | 450.7 | -1,932.6 | 5.5% | -23.6% | 1,152.1 | -272.2 | S19/S24 | 归母净利-594.893百万元；SiC业务高增 |
| 中国大陆 | 士兰微 | 600460.SH | 12月 | 2,023.0 | CNY | 9,340.0 | 2,074.0 | -35.8 | 22.2% | -0.4% | 1,315.5 | -5.0 | S21/S24 | 人民币百万元；集团口径 |
| 中国大陆 | 士兰微 | 600460.SH | 12月 | 2,024.0 | CNY | 11,221.0 | 2,142.0 | 220.0 | 19.1% | 2.0% | 1,580.4 | 31.0 | S21/S24 | 集团口径 |
| 中国大陆 | 士兰微 | 600460.SH | 12月 | 2,025.0 | CNY | 13,052.0 | 2,458.0 | 399.0 | 18.8% | 3.1% | 1,838.3 | 56.2 | S21/S24 | 集团口径 |
| 中国大陆 | 扬杰科技 | 300373.SZ | 12月 | 2,023.0 | CNY | 5,409.8 | 1,637.2 | 921.6 | 30.3% | 17.0% | 761.9 | 129.8 | S22/S24 | 人民币百万元；本地财务三表 |
| 中国大陆 | 扬杰科技 | 300373.SZ | 12月 | 2,024.0 | CNY | 6,033.4 | 1,996.1 | 1,000.6 | 33.1% | 16.6% | 849.8 | 140.9 | S22/S24 | 本地财务三表 |
| 中国大陆 | 扬杰科技 | 300373.SZ | 12月 | 2,025.0 | CNY | 7,130.2 | 2,443.7 | 1,245.1 | 34.3% | 17.5% | 1,004.3 | 175.4 | S22/S24 | 本地财务三表 |
| 中国大陆 | 斯达半导 | 603290.SH | 12月 | 2,023.0 | CNY | 3,663.0 | 1,373.9 | 920.7 | 37.5% | 25.1% | 515.9 | 129.7 | S24 | 人民币百万元；模块口径 |
| 中国大陆 | 斯达半导 | 603290.SH | 12月 | 2,024.0 | CNY | 3,390.6 | 1,069.9 | 513.4 | 31.6% | 15.1% | 477.6 | 72.3 | S24 | 本地财务三表 |
| 中国大陆 | 斯达半导 | 603290.SH | 12月 | 2,025.0 | CNY | 4,012.4 | 1,046.7 | 409.6 | 26.1% | 10.2% | 565.1 | 57.7 | S24 | 本地财务三表 |
| 中国大陆 | 时代电气 | 688187.SH | 12月 | 2,023.0 | CNY | 21,962.1 | 6,266.3 | 3,085.2 | 28.5% | 14.0% | 3,093.3 | 434.5 | S24 | 人民币百万元；集团口径 |
| 中国大陆 | 时代电气 | 688187.SH | 12月 | 2,024.0 | CNY | 24,908.9 | 8,072.6 | 3,948.8 | 32.4% | 15.9% | 3,508.3 | 556.2 | S24 | 本地财务三表 |
| 中国大陆 | 时代电气 | 688187.SH | 12月 | 2,025.0 | CNY | 28,702.7 | 9,595.9 | 4,309.1 | 33.4% | 15.0% | 4,042.6 | 606.9 | S24 | 本地财务三表 |
中国公司专题
聚焦芯联集成、士兰微、华润微、三安光电、扬杰科技、时代电气、斯达半导等中国相关公司。
| 公司 | 代码 | 定位 | 主力产品/平台 | 近年表现 | 优势 | 短板/风险 | 来源ID | 跟踪指标 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 芯联集成 | 688469.SH | 国内SiC晶圆制造和车规功率平台 | 6/8英寸SiC，650V-3300V SiC MOSFET，车规IGBT/MEMS | 2025收入81.80亿元，归母亏损收窄至5.95亿元；年报披露6/8英寸SiC业务快速增长 | 制造平台稀缺，8英寸SiC量产出货线索，车规客户基础 | 集团仍亏损，毛利率低，SiC收入拆分和良率需持续跟踪 | S19/S24 | SiC月产片数、全球份额、主驱客户、毛利率 | |
| 士兰微 | 600460.SH | IDM功率器件和8英寸SiC平台 | 8英寸SiC功率器件芯片制造线，SiC MOSFET/IPM/功率器件 | 2026年1月厦门8英寸SiC功率器件产线通线；2025集团收入130.52亿元 | IDM平台、多尺寸产线和产品矩阵 | 资本开支大，车规认证和产线良率仍需验证 | S21/S24 | 通线到量产、车规订单、毛利率、折旧 | |
| 华润微 | 688396.SH | 功率半导体IDM和特色工艺平台 | SiC/GaN第三代宽禁带半导体、车规MOSFET、IGBT | 2025年报称SiC功率器件等领域取得重要突破，IDM平台持续优化 | 全链路IDM、车规MOSFET基础、特色工艺制造 | SiC收入拆分有限，需看从研发到量产的兑现 | S20 | SiC/GaN产品收入、车规客户、产能利用率 | |
| 三安光电/三安集成 | 600703.SH | 化合物半导体制造平台与ST重庆JV | 200mm SiC器件制造JV、衬底/外延/器件生态 | 2025集团收入179.49亿元但亏损；与ST JV是中国本土高端SiC制造核心项目 | 化合物半导体工艺平台、国际客户和本地化合作 | 集团业务宽，LED周期和亏损影响估值 | S08/S24 | 重庆JV进度、SiC收入、产线稼动率 | |
| 扬杰科技 | 300373.SZ | 功率器件IDM/Fabless混合 | SBD、MOSFET、IGBT、SiC系列，材料/晶圆/封装/销售服务 | 2025收入71.30亿元，净利润12.45亿元；年报提及SiC/GaN等第三代器件应用 | 渠道、产品矩阵、盈利能力较稳 | 高端车规SiC占比仍需验证 | S22/S24 | SiC系列收入、车规/AI数据中心客户、毛利率 | |
| 时代电气 | 688187.SH | 轨交/新能源功率模块和系统平台 | SiC/IGBT模块、轨交牵引、电驱、工业功率 | 2025收入287.03亿元，净利润43.09亿元；系统端有验证优势 | 系统客户和模块应用经验强 | 本专题前段晶圆制造口径较弱，SiC收入拆分有限 | S24 | SiC模块订单、主驱量产、轨交/新能源景气 | 模块/系统偏下游 |
| 斯达半导 | 603290.SH | 车规/工业功率模块龙头 | SiC模块、IGBT模块、主驱功率模块 | 2025收入40.12亿元，净利润4.10亿元，模块经验强 | 客户认证和模块封装经验 | 前段芯片制造依赖供应链，盈利受价格和客户节奏影响 | S24 | SiC模块收入、主驱车型、芯片合作 | 偏模块端 |
| 新洁能 | 605111.SH | 功率器件设计公司，SiC/GaN布局 | MOSFET、IGBT、SiC/GaN功率器件 | 公开年报和市场资讯显示公司关注AI数据中心、光储充和车规方向 | 设计和客户迭代灵活 | 缺少自有SiC晶圆制造，需绑定代工和封测 | S22/S24 | SiC/GaN产品收入、代工合作、毛利率 | 财务未纳入本表 |
| 瞻芯电子/基本半导体等 | 未上市 | 国产SiC器件设计和模块公司 | SiC MOSFET、SBD、模块、驱动方案 | 未上市披露有限，但在车规/光储充场景活跃 | 垂直聚焦、产品迭代快 | 融资、良率、车规认证和产能稳定性 | S23 | 定点公告、量产客户、代工平台 | 私有公司补充观察 |
上游成本&供应链
说明衬底、外延、设备、EDA、封测和客户认证对器件制造良率与成本的影响。
| 上游环节 | 主要成本/资源 | 典型敏感性 | 关键供应商/生态 | 对盈利影响 | 风险 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 导电型SiC衬底 | 6/8英寸4H-SiC晶锭、切磨抛和检测 | 缺陷密度、TTV、良率、价格 | Wolfspeed、Coherent、SICC/天岳先进、天科合达、三安等 | 衬底价格下行压低器件成本，但缺陷会影响良率 | 供给过剩、8英寸认证慢 | S01 | |
| 外延片 | CVD外延炉、源气体、掺杂、清洗检测 | 厚度/掺杂均匀性和缺陷转化 | Showa Denko/Resonac、瀚天天成、东莞天域、IDM自建外延 | 耐压和漏电表现决定器件筛选成本 | 衬底缺陷传导、厚外延周期 | S01/S23 | |
| 关键设备 | 长晶炉、外延炉、高能注入、高温退火、ICP刻蚀、检测 | 国产化率、交付周期、OEE和工艺支持 | AIXTRON、TEL、Applied、Lam、国内晶盛/北方华创/中微等生态 | 设备折旧和良率学习曲线决定8英寸经济性 | 出口限制、设备适配慢 | S07/S10/S21 | 设备公司不是本专题主体 |
| EDA/TCAD/模型 | 器件仿真、工艺模型、可靠性模型 | 设计一次成功率、平台PDK成熟度 | Synopsys、Cadence、Silvaco及内部模型库 | 影响Fabless与Foundry协作效率 | 模型不足导致流片迭代多 | S18/S23 | |
| 封测与模块 | 银烧结、DBC/AMB陶瓷基板、铜夹、双面散热、车规测试 | 寄生电感、热阻、功率循环 | Infineon/ST/onsemi/ROHM内部封装，国内斯达/时代/宏微/长电等 | SiC芯片价值兑现离不开模块和驱动方案 | 模块失效责任、陶瓷基板供给 | S17/S24 | |
| 下游客户认证 | 车企、Tier1、光储逆变器、服务器电源、轨交客户 | 认证周期、PPM要求、长供承诺 | Tesla、BYD、NIO、Geely、SolarEdge、SMA、华为数字能源等生态 | 通过认证后粘性高，但导入慢 | 车型延期、客户压价 | S12/S13/S22 |
下游需求&客户
按新能源汽车、OBC/DC-DC、光储充、工业、AI数据中心和轨交/电网拆解需求。
| 下游领域 | 需求弹性 | 对应SiC器件/晶圆 | 客户类型/代表生态 | 需求逻辑 | 进入壁垒 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 新能源汽车主逆变 | 最大收入池，短期随车市和800V节奏波动 | 1200V SiC MOSFET裸芯/模块，部分750V/900V平台 | 车厂、Tier1、电驱系统厂 | 提升效率、降低损耗、支持800V/900V快充和续航 | AEC-Q101、PPM、短路、热循环、长期供货 | S12/S13/S17 | 车端决定收入斜率 |
| OBC/DC-DC/热管理 | 高成长且更适合国产切入 | 650V-1200V MOSFET、SBD/JBS、模块 | 车载电源、电源模块厂、车厂 | 高频化、小型化、效率提升 | 车规认证、EMI、驱动保护 | S12/S22 | |
| 光伏/储能/充电桩 | 结构性增长，价格敏感 | 1200V-1700V MOSFET/SBD，功率模块 | 逆变器、PCS、充电桩厂商 | 高效率、高功率密度、低散热成本 | 成本、可靠性、供应稳定 | S20/S22 | 国产替代先行场景 |
| 工业电源/电机/UPS | 长尾需求，项目制 | 650V-1700V MOSFET、SBD、模块 | 工业电源、变频器、UPS、机器人 | 节能、体积缩小、可靠性 | 客户分散，应用工程要求高 | S16/S20 | |
| AI数据中心电源 | 催化强，收入兑现需验证 | 650V-1200V MOSFET、10kV器件、固态断路器 | 服务器电源、UPS、HVDC、固态变压器 | 高功率密度和中高压配电架构升级 | 架构标准、可靠性、成本和系统认证 | S06/S12 | 主题弹性大但别过早外推 |
| 轨交/电网/风电 | 高压高可靠，小批量高壁垒 | 1700V-3300V及10kV SiC器件/模块 | 轨交、电网、风电、SST | 中压化、效率和维护成本 | 高压可靠性、绝缘和模块封装 | S06/S17/S24 |
竞争格局&国产替代
总结IDM、Foundry、器件设计、8英寸制造和车规客户维度的国产替代路径。
| 维度 | 全球龙头 | 中国/亚洲追赶者 | 壁垒 | 当前格局 | 观察要点 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDM垂直整合 | ST、Infineon、onsemi、ROHM、Bosch、Wolfspeed | 士兰微、华润微、三安-ST JV、时代电气部分平台 | 衬底/外延/器件/封装/可靠性全链条 | 海外车规高端强，中国正在8英寸和本土客户突破 | 内部衬底比例、8英寸良率、车规定点 | S07/S10/S12/S14/S21 | |
| Foundry/晶圆制造 | X-FAB、Wolfspeed/IDM外部合作有限 | 芯联集成、士兰微、华润微、三安集成 | 工艺平台、车规质量、客户IP保护、良率 | 国内Foundry价值提升，因为Fabless和模块厂需要稳定制造入口 | 650V-3300V平台覆盖、月产片数、毛利率 | S18/S19/S20/S21 | |
| 器件设计 | Infineon/ST/onsemi/ROHM/Mitsubishi/Wolfspeed | 芯联集成、扬杰、新洁能、瞻芯、基本半导体等 | 栅氧可靠性、短路能力、低损耗、系统应用 | 国产从SBD、工业MOSFET、OBC/光储向车规主驱升级 | AEC-Q101、主驱量产、失效率、客户返修 | S12/S16/S17/S22 | |
| 8英寸制造 | ST、Infineon、Bosch、Wolfspeed处于前排 | 芯联集成、士兰微、三安-ST JV快速跟进 | 200mm衬底/外延/设备/检测/片内一致性 | 2026-2028是全球有效良品产能验证期 | 通线不等于量产，跟踪良率和客户认证 | S01/S07/S10/S14/S19/S21 | |
| 车规客户 | ST、onsemi、Infineon、ROHM、Bosch | 芯联集成、时代电气、斯达半导、士兰微等 | 长期可靠性、PPM、系统失效责任、供货稳定 | 海外强，国内在自主品牌和光储充先行 | 车规定点、量产车型、供应份额 | S12/S13/S17/S24 | |
| AI/中压新场景 | Wolfspeed、Infineon、onsemi、ST | 国内仍早期，模块/电源系统公司先验证 | 高压器件、固态开关、系统架构和安全 | 催化强于当前收入贡献 | 10kV/3.3kV产品、服务器电源设计、HVDC/SST标准 | S06/S12 | |
| 国产替代路径 | 海外在高端车规和高压可靠性占优 | 国内从SBD/工业/OBC/光储充到主驱SiC MOSFET、再到8英寸制造 | 良率、车规认证、客户平台、封装驱动协同 | 设备/衬底/外延/制造/模块协同正在形成 | 毛利率修复、8英寸良率、客户多元化 | S19/S20/S21/S22/S24 |
资料来源
所有关键结论对应的来源ID和链接，便于回溯更新。
| ID | 类别 | 来源名称 | URL/工具 | 发布日期/报告期 | 取数日期 | 用途 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S01 | 市场规模/衬底 | TrendForce - Global SiC Substrate Revenue Declines 9% in 2024 | 打开来源 https://www.trendforce.com/presscenter/news/20250512-12574.html |
2025-05-12 | 2026-05-30 | N-type SiC衬底收入、四大供应商份额、8英寸路线图 | 2024收入约US$1.04bn，8英寸衬底2030出货份额预计超过20% |
| S02 | 市场规模/器件 | Semiconductor Today - Power SiC faces overcapacity downturn until 2027-2028 | 打开来源 https://www.semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/yole-181225.shtml |
2025-12 | 2026-05-30 | Yole Power SiC 2025观点，器件市场到2030接近US$10bn | 用于周期与供需判断 |
| S03 | 市场规模/中国 | TrendForce - 2025 Chinese SiC Power Device Market | 打开来源 https://www.trendforce.com.tw/research/download/RP251202FY |
2025-12 | 2026-05-30 | 中国SiC功率器件市场长期空间 | 公开摘要显示2030有望超过US$6bn |
| S04 | 市场/公司 | Wolfspeed 2025 10-K revenue disclosure via edgar.tools | 打开来源 https://app.edgar.tools/companies/WOLF/disclosures/revenue |
2025-08-26 | 2026-05-30 | Wolfspeed Power Products/Materials Products收入拆分 | 2025收入US$757.6mn，Power Products US$414.0mn |
| S05 | 公司进展 | Wolfspeed restructuring completion / Renesas equity issuance | 打开来源 https://investor.wolfspeed.com/news/news-details/2026/Wolfspeed-Announces-CFIUS-Clearance-and-Completion-of-Equity-Issuance-to-Renesas-as-Part-of-Court-Approved-Restructuring/default.aspx |
2026-01-30 | 2026-05-30 | Wolfspeed重整、Renesas入股和董事会安排 | 重整后仍是SiC材料和200mm制造核心变量 |
| S06 | 产品进展 | Wolfspeed 10kV SiC MOSFET | 打开来源 https://investor.wolfspeed.com/news/news-details/2026/Wolfspeed-Introduces-Industrys-First-Commercially-Available-10000-V-Silicon-Carbide-Power-MOSFET/default.aspx |
2026-03-05 | 2026-05-30 | 10kV SiC MOSFET面向电网、工业、AI数据中心基础设施 | 说明高压/中压场景扩展 |
| S07 | 制造进展 | ST Catania 200mm Silicon Carbide Campus | 打开来源 https://newsroom.st.com/media-center/press-item.html/c3262.html |
2024-05-31 | 2026-05-30 | ST 200mm SiC器件、模块、测试封装一体化产线 | 2026投产，2033满产周产能最高15,000片 |
| S08 | 制造进展 | ST and Sanan 200mm SiC device manufacturing JV in Chongqing | 打开来源 https://newsroom.st.com/media-center/press-item.html/c3186.html |
2023-06-07 | 2026-05-30 | ST与三安在重庆建设200mm SiC器件制造合资公司 | 中国本地化制造核心项目 |
| S09 | 公司战略 | ST manufacturing strategic programs | 打开来源 https://www.st.com/content/st_com/en/about/manufacturing-at-st/our-strategic-programs.html |
2026访问 | 2026-05-30 | ST聚焦Catania SiC Campus和重庆JV两大200mm SiC投资 | 官方战略页 |
| S10 | 制造进展 | Infineon opens 200mm SiC power semiconductor fab in Kulim | 打开来源 https://www.infineon.com/press-release/2024/infxx202408-133 |
2024-08-08 | 2026-05-30 | Infineon Kulim 200mm SiC功率半导体工厂 | 一阶段开幕，长期成为最大200mm SiC power fab之一 |
| S11 | 制造进展 | Infineon reaches next milestone on 200mm silicon carbide | 打开来源 https://www.infineon.com/regional/austria/press-release/2025/200-mm-silicon-carbide |
2025 | 2026-05-30 | Infineon 200mm SiC产品开始向客户释放 | Villach与Kulim虚拟晶圆厂协同 |
| S12 | 公司进展 | onsemi Q1 2026 results | 打开来源 https://investor.onsemi.com/news-releases/news-release-details/onsemi-reports-first-quarter-2026-results/ |
2026-05-04 | 2026-05-30 | EliteSiC、900V EV架构、AI数据中心电源树 | Q1 2026收入US$1.513bn，需求触底修复 |
| S13 | 客户进展 | onsemi and Geely expand strategic collaboration | 打开来源 https://investor.onsemi.com/news-releases/news-release-details/onsemi-and-geely-expand-strategic-collaboration-elevate-driving |
2026-04-28 | 2026-05-30 | onsemi EliteSiC与吉利下一代电动/混动车平台 | 车端客户验证线索 |
| S14 | 制造进展 | Bosch introduces third generation SiC chips | 打开来源 https://boschmediaservice.hu/en/press_release/bosch_semiconductor_20260427-484.html |
2026-04-27 | 2026-05-30 | Bosch第三代SiC芯片、Reutlingen 200mm生产 | Bosch从车用系统向芯片垂直化延伸 |
| S15 | 制造进展 | Bosch plans to acquire TSI Semiconductors | 打开来源 https://us.bosch-press.com/pressportal/us/en/press-release-20224.html |
2023-04-26 | 2026-05-30 | Roseville 200mm SiC晶圆制造计划 | 计划2026开始生产200mm SiC芯片 |
| S16 | 产品/技术 | ROHM SiC power devices | 打开来源 https://www.rohm.com/products/sic-power-devices |
2026访问 | 2026-05-30 | ROHM EcoSiC产品与从晶圆制造到封装品质控制的能力 | 公司产品页 |
| S17 | 产品/技术 | Mitsubishi Electric trench SiC-MOSFET bare dies | 打开来源 https://us.mitsubishielectric.com/en/pr/global/2026/0114-b/ |
2026-01-14 | 2026-05-30 | 三菱电机沟槽型SiC-MOSFET裸芯样品 | EV主逆变、OBC、可再生能源电源 |
| S18 | 代工/制造 | X-FAB Q1 2026 results | 打开来源 https://www.businesswire.com/news/home/20260429543413/en/X-FAB-First-Quarter-2026-Results |
2026-04-30 | 2026-05-30 | X-FAB宽禁带SiC/GaN代工技术线索 | Q1 2026宽禁带收入US$15.1mn，SiC晶圆出货14,300片 |
| S19 | 中国公司 | 芯联集成2025年报 | 打开来源 https://dataclouds.cninfo.com.cn/shgonggao/hsomarket/2026/20260420/a7d644d0f0dd41678d6544801932ceac.PDF |
2026-04-20 | 2026-05-30 | 芯联集成6/8英寸SiC、晶圆产量、SiC业务 | 本地亦有基础资料和财务三表工作簿 |
| S20 | 中国公司 | 华润微2025年报 | 打开来源 https://www.crmicro.com/periodicalReports/2026-04-27/2a41547c-cd9c-4b3e-ba1a-6517b2b3cd79.pdf |
2026-04-27 | 2026-05-30 | 华润微SiC/GaN第三代半导体产品和IDM平台 | 车规MOSFET、SiC功率器件突破 |
| S21 | 中国公司 | 士兰微8英寸SiC产线通线 | 打开来源 https://www.silan.com.cn/index.php/news/details/286.html |
2026-01-04 | 2026-05-30 | 士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线通线 | 从技术突破到规模化交付 |
| S22 | 中国公司 | 扬杰科技2025年报 | 打开来源 https://static.cninfo.com.cn/finalpage/2026-03-31/1225060951.PDF |
2026-03-31 | 2026-05-30 | 扬杰科技功率器件、SiC系列、AI数据中心和新能源应用 | 本地财务三表工作簿用于财务摘要 |
| S23 | 本地底稿 | 碳化硅产业链上中下游思维导图 | F:/研究/行业分析/碳化硅/碳化硅产业链上中下游思维导图.canvas | 2026-05-30 | 2026-05-30 | 本地产业链范围和中游环节定义 | 本专题聚焦中游器件设计与晶圆制造 |
| S24 | 财务数据 | 本地行业分析既有脚本/个股财务三表工作簿 | F:/研究/行业分析/模拟芯片；F:/研究/王总自选；F:/研究/备选个股 | 2025年报 | 2026-05-30 | 海外IDM与A股公司三年财务数据 | 集团口径，非纯SiC收入 |
AI影响_核心结论
| 直接链条 AI电源高压化 PSU/800VDC/SST | 价值弹性 高于片数弹性 高压/高可靠ASP | 供给瓶颈 有效良率 8英寸+高压可靠性 | 竞争主线 海外定义方案 大陆看制造平台 | 新增期权 300mm SiC封装 远期技术路线 | 主要风险 多技术替代 GaN/硅共同竞争 |
|---|
| 主题 | 核心判断 | AI传导链 | 需求/价值弹性 | 供给或认证瓶颈 | 跟踪指标 | 来源ID | 投资/经营含义 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 总判断 | AI对SiC器件设计和晶圆制造的影响不是简单把EV需求外推到数据中心，而是新增一条高功率密度电源链：AI机柜/园区供电高压化 -> PSU/PFC/800VDC/SST/UPS -> SiC高压器件、晶圆制造和可靠性验证。 | AI算力功耗上升、机柜功率密度提升、园区接入电网压力加大，推动从服务器PSU到中压固态变压器的电源架构升级。 | 价值弹性高于短期出货弹性；AI端当前体量小于EV，但高压/高可靠ASP和技术壁垒更高。 | 650/1200V量产良率、3.3kV-10kV高压可靠性、8英寸有效供给、客户认证周期。 | AI PSU设计导入、800VDC生态、SST项目、SiC晶圆出货、毛利率和稼动率。 | S25/S28/S29/S31/S35 | 新增AI链条可提升估值叙事和高端产品结构，但不能把所有名义SiC产能视为AI有效供给。 |
| 需求弹性 | AI服务器直接受益环节集中在AC-DC/PFC、800V到低压中间母线、机架/园区级UPS与固态变压器；低压GPU板级更多偏GaN/硅/模拟电源，SiC主要在高压大功率段。 | 从单台服务器到机架、再到数据中心园区，电压等级越高、功率越大，SiC相对硅器件的效率和热优势越明显。 | 保守情景为PSU前端少量SiC，基准情景为800VDC和SST逐步试点，乐观情景为中压直供/固态变压器规模化。 | 系统架构未定、成本/可靠性验证、云厂和电源厂平台选择。 | NVIDIA 800VDC生态、ST/ROHM/Infineon参考设计、Wolfspeed 10kV客户。 | S25/S30/S31/S34/S36 | 测算应采用假设表和相对指数，不强行给单一晶圆片数结论。 |
| 高端供给 | 高端供给瓶颈从普通6英寸产能转向有效良率、8英寸爬坡、高压器件可靠性数据库和先进封装材料适配。300mm SiC更像先进封装长期期权，不是2026-2027功率器件供给。 | AI高密度封装和高压供电分别打开材料/器件两条路线，但商业成熟度不同。 | 10kV和SST相关器件ASP弹性最高；650/1200V AI PSU竞争会更充分。 | 高压外延/终端/栅氧、BDOL/短路/热循环、车规与数据中心不同测试体系。 | 10kV产品导入、X-FAB SiC出货、ST/Infineon/ROHM解决方案、国内8英寸通线后良率。 | S27/S28/S32/S33/S38/S46 | 区分技术样品、客户评估、量产订单和财务贡献。 |
| 竞争格局 | 海外IDM和方案厂仍定义AI数据中心SiC应用：Infineon+DG Matrix做SST，ST围绕NVIDIA 800VDC扩展，ROHM/Infineon强调SiC+GaN组合，Wolfspeed在10kV和300mm材料上提供高弹性选项。 | AI电源架构由GPU平台、云厂、电源厂和功率半导体公司共同定义。 | 龙头确定性强，小体量公司弹性强，国内公司更多是制造平台和光储充/车规间接受益。 | 客户平台、系统方案、供货稳定性和财务承压。 | 设计定点、参考设计、Q1数据中心收入、SiC晶圆出货。 | S28/S31/S32/S33/S35/S37/S38 | 中国公司重点看芯联/士兰/华润微/三安-ST JV的8英寸和车规制造，而不是AI标签。 |
| 风险框架 | AI主题容易高估近期SiC收入弹性：AI数据中心电源仍是多技术组合，GaN和硅在低压高频段更强；SiC优势在高压、高功率和高可靠，不会覆盖全电源树。 | AI CAPEX兑现、供电架构标准化和云厂认证决定收入节奏。 | 上行弹性在高压供电和SST，下行风险在架构切换慢、成本过高和EV周期拖累。 | 价格竞争、库存、资本开支压力、Wolfspeed等龙头财务风险。 | 毛利率、库存周转、现金流、产能利用率、客户认证。 | S30/S35/S37/S46 | 投资跟踪要用事件-订单-财务三层验证，避免只看新闻标题。 |
| 跟踪优先级 | 指标 | 判断方式 | 更新频率 | 来源ID |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 800VDC/SST客户项目 | 从参考设计进入客户定点/量产才算需求确认。 | 事件/季度 | S28/S31/S34/S36 |
| 2 | SiC高压产品收入与毛利率 | 若高压产品放量且毛利率修复，说明价值弹性兑现。 | 季度/年度 | S25/S35/S38 |
| 3 | 8英寸有效良品产能 | 关注良率、客户认证和稼动率，不只看通线或规划产能。 | 季度/年度 | S39/S44/S46 |
| 4 | A股公司AI订单口径 | 区分AI直接订单、AI下游需求带动和仅概念表述。 | 季度/事件 | S40/S43/S45 |
AI需求弹性测算
| 应用/环节 | AI驱动 | 对应SiC器件/晶圆 | 保守情景 | 基准情景 | 乐观情景 | 可更新假设 | 来源ID | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AI服务器PSU/PFC | AI服务器功耗提升、80PLUS Titanium以上效率和更高功率密度要求。 | 650V/750V SiC MOSFET、SiC SBD，主要在AC-DC/PFC快腿和部分高效率拓扑。 | 少量高端PSU导入，仍以硅/部分GaN为主。 | 3-12kW PSU参考设计扩散，SiC在PFC快腿和高功率PSU中渗透提升。 | AI机柜标配高效率PSU，SiC器件ASP和出货同步提升。 | AI服务器出货、单PSU功率、SiC PFC渗透、单PSU SiC器件价值量。 | S29/S30/S33 | SiC与GaN/硅互补，不能把全PSU价值量归给SiC。 |
| 800VDC机架/IT rack转换 | NVIDIA等推动800VDC AI工厂架构，减少铜损并提高可扩展性。 | 1200V级SiC MOSFET/模块、隔离驱动和高压保护，部分方案也使用GaN/硅。 | 800VDC停留在示范和少数平台。 | 50V/12V/6V中间母线并存，SiC参与高压前级和部分转换级。 | 800VDC成为新建AI园区主流，SiC高压转换需求显著放大。 | 800VDC渗透率、机柜功率、转换级数、每级SiC含量。 | S31/S34/S36 | 价值弹性来自架构切换，不是单纯服务器台数。 |
| 中压SST/园区电网接入 | AI园区负荷快增，传统变压器体积、交期和灵活性成为约束。 | 3.3kV/6.5kV/10kV SiC MOSFET/二极管，固态变压器和中压电力电子。 | 仅试点，收入贡献小。 | SST在高密度AI园区、微电网和充电场景逐步验证。 | 中压直供/固态变压器规模化，10kV SiC形成稀缺高ASP品类。 | SST项目数、单项目MW、10kV器件ASP、可靠性数据。 | S25/S28 | 这是AI-SiC最有想象力但也最需要验证的方向。 |
| UPS/固态断路器/设施电源 | AI训练集群对供电连续性和快速保护要求更高。 | 1200V-10kV SiC器件、固态开关、保护模块。 | 替代慢，仍以传统UPS/机械开关为主。 | 高端园区引入固态保护和高效率UPS。 | AI园区标准化配置固态保护和高压SiC模块。 | 单园区容量、UPS/保护设备SiC渗透率、可靠性认证。 | S25/S28/S38 | 与电气设备厂合作决定落地速度。 |
| 先进封装/热管理材料 | AI/HPC封装面积、功率密度和热机械应力上升。 | 300mm半绝缘/特殊SiC衬底用于先进封装材料探索，不是传统功率器件晶圆。 | 仅实验和生态评估。 | 少量AI生态伙伴评估，形成远期材料期权。 | 进入下一代AI/HPC异构封装路线，打开非功率SiC新市场。 | 300mm SiC样片、OSAT/Foundry评估、可靠性和集成路线。 | S27 | 需与器件设计/晶圆制造短期财务弹性分开。 |
| 传统EV/光储充对比 | AI是新增链条，但2026-2027 SiC收入基本盘仍在EV、光储充和工业。 | 650V-1700V SiC MOSFET/SBD、模块。 | AI贡献更多是估值催化，收入仍由EV/光储决定。 | AI电源和EV形成双轮驱动，高端结构改善。 | AI中压和EV 900V同时放量，供给结构紧张。 | EV 800/900V平台、光储装机、AI PSU/SST订单占比。 | S35/S46 | 不要用AI掩盖EV周期和价格战。 |
| 测算口径 | 建议公式 | 关键假设 | 为什么不直接给单一结论 | 来源ID |
|---|---|---|---|---|
| AI PSU SiC价值量 | AI服务器出货 x 单机PSU数量 x 单PSU SiC价值量 x SiC渗透率 | 单PSU功率、PFC拓扑、GaN/硅替代比例、客户认证。 | 不同云厂/电源厂架构差异大，SiC只覆盖部分高压前级。 | S29/S30/S33 |
| 800VDC SiC价值量 | AI机柜功率 x 800VDC渗透率 x 转换级数 x 每kW SiC价值量 | 50V/12V/6V母线选择、转换级数、架构标准化速度。 | NVIDIA生态在推进，但量产节奏和供应商分配未充分披露。 | S31/S34/S36 |
| SST/UPS高压SiC价值量 | AI园区MW容量 x SST/UPS SiC渗透率 x 每MW SiC价值量 | SST商业化、传统变压器交期、电网接入瓶颈、高压可靠性。 | 目前项目制和试点为主，收入弹性强但可见度低。 | S25/S28 |
| 8英寸制造弹性 | SiC器件需求 x 8英寸转化率 x 有效良率 x 加工费/片 | 通线到量产时间、良率、客户重新认证、设备OEE。 | 名义产能不能代表有效供给，短期折旧可能压制利润。 | S38/S39/S44/S46 |
高端供给&瓶颈
| 高端产品/供给环节 | AI对应场景 | 供给约束 | 领先公司/进展 | 大陆/亚洲进展 | 加工费/ASP弹性 | 来源ID | 判断 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 650V/750V SiC MOSFET/SBD | AI服务器PSU前端PFC、部分高效率AC-DC。 | 技术相对成熟，竞争更充分；瓶颈在低损耗、封装热阻和客户可靠性。 | Infineon CoolSiC、ROHM EcoSiC、onsemi/Wolfspeed等。 | 扬杰、华润微、士兰微、芯联集成等具备部分产品/平台。 | 中等；高端PSU料号比普通工业料号更有韧性。 | S29/S30/S33/S40/S44 | 最先兑现但也最容易被价格竞争稀释。 |
| 1200V SiC MOSFET/模块 | 800VDC转换、EV 900V平台、储能/充电桩。 | 车规与数据中心高可靠验证，栅氧、短路能力、动态Rds(on)。 | ST、Infineon、onsemi、ROHM、Bosch、Wolfspeed。 | 芯联集成、士兰微、华润微、三安-ST JV、时代电气、斯达等。 | 中高；高可靠平台定点后粘性较强。 | S31/S35/S39/S42/S46 | AI与EV共用部分工艺和产能，需看客户平台。 |
| 3.3kV/6.5kV/10kV高压SiC | SST、中压直供、UPS、电网/工业高压。 | 厚外延、边缘终端、高压可靠性、BDOL、模块绝缘和系统保护。 | Wolfspeed 10kV商业产品；Infineon+DG Matrix推进SST。 | 国内多处于产品/项目验证阶段，公开量产数据有限。 | 高；量少但技术和ASP弹性最大。 | S25/S28 | AI数据中心最有差异化的SiC方向。 |
| 6英寸SiC晶圆制造 | 成熟SiC器件基本盘，支持工业/光储/部分车规。 | 名义产能较多，有效供给取决于良率、客户认证和稼动率。 | 海外IDM和X-FAB均有成熟平台。 | 芯联、士兰、华润微、三安等推进平台化。 | 低到中；普通产品加工费易受供需影响。 | S38/S39/S44/S46 | 不是AI供给瓶颈，更多是成本和良率底座。 |
| 8英寸/200mm SiC晶圆制造 | AI PSU、EV和高压器件共同追求降本和规模化。 | 外延均匀性、缺陷检测、设备适配、客户重新认证、初期良率。 | ST、Infineon、Bosch、Wolfspeed处于前排；X-FAB提供代工线索。 | 芯联集成、士兰微、三安-ST JV推进通线/量产。 | 中高；有效良品产能稀缺时有溢价，名义产能无溢价。 | S38/S39/S44/S46 | 通线、试产、量产、车规/数据中心认证必须分开。 |
| 300mm SiC材料/先进封装 | AI/HPC先进封装热、机械、电性能材料基础。 | 仍处生态伙伴评估和可行性验证，商业路线不确定。 | Wolfspeed 300mm SiC平台探索。 | 国内公开进展有限，需持续跟踪材料与封装生态。 | 远期期权；2026-2027不宜纳入有效供给。 | S27 | 新增材料赛道，和功率器件制造短期逻辑不同。 |
| SiC代工/Foundry | Fabless高压器件、数据中心电源客户需要稳定制造入口。 | 车规质量体系、工艺平台开放度、客户IP保护、良率爬坡。 | X-FAB披露Q1宽禁带收入和SiC晶圆出货增长。 | 芯联集成/士兰微/华润微等承担国内平台角色。 | 中高；高端客户项目和良率决定加工费。 | S38/S39/S43/S44 | AI给Foundry带来新项目，但验证周期长。 |
| 封装/模块与测试 | PSU、SST、UPS和车规主驱都需要低寄生、高散热和高可靠模块。 | 银烧结、AMB/DBC、双面散热、局放/绝缘、动态测试。 | Infineon/ST/ROHM/Mitsubishi/onsemi模块经验强。 | 时代电气、斯达、宏微、扬杰等模块/器件公司跟进。 | 中高；系统级认证比裸芯更粘。 | S42/S45/S46 | 本专题聚焦芯片和晶圆，但模块决定SiC价值兑现。 |
AI竞争格局
| 梯队 | 代表公司 | AI相关产品/环节 | 最新进展 | AI确定性 | 风险点 | 来源ID | 跟踪判断 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AI电源方案/IDM第一梯队 | ST、Infineon、onsemi、ROHM | SiC/GaN/硅组合的AI PSU、800VDC、SST、功率模块和控制方案。 | ST与NVIDIA扩展800VDC 12V/6V架构；Infineon推出12kW PSU并与DG Matrix合作SST；ROHM发布800VDC/PSU方案；onsemi披露AI数据中心业务加速。 | 高；但SiC占比需拆分。 | 产品组合多技术，部分收入不是SiC；需看客户量产和毛利率。 | S28/S29/S31/S32/S33/S35 | 优先跟踪客户设计定点和数据中心收入。 |
| 高压SiC/材料弹性梯队 | Wolfspeed、Mitsubishi、Navitas/GeneSiC | 10kV SiC MOSFET、SST/中压电源、800VDC高压SiC、300mm SiC材料。 | Wolfspeed发布10kV SiC并探索300mm SiC先进封装；Navitas披露800VDC和高压SiC/GaN路线。 | 技术弹性高。 | Wolfspeed财务/重整风险，Navitas收入体量小且高波动。 | S25/S27/S36/S37 | 更适合事件催化和技术路线跟踪。 |
| 特色代工/Foundry | X-FAB、芯联集成、士兰微、华润微、三安-ST JV | SiC晶圆制造、工艺平台、8英寸迁移、客户流片。 | X-FAB Q1宽禁带收入和SiC出货高增；芯联Q1亏损收窄；士兰8英寸SiC线进入通线后验证期。 | 中高；取决于客户项目。 | 通线不等于有效良品供给；价格和稼动率影响盈利。 | S38/S39/S43/S44/S46 | 国内公司重点看8英寸量产、车规/数据中心客户和毛利率。 |
| 中国器件/模块应用层 | 扬杰科技、新洁能、时代电气、斯达半导、基本半导体、瞻芯电子等 | SiC SBD/MOSFET、功率模块、驱动/电源应用方案。 | 扬杰Q1高增并提及AI/新能源汽车/储能需求；时代电气保持系统收入；斯达/新洁能更多是功率器件和模块相关。 | 中；AI多为间接和客户导入。 | 高端裸芯/晶圆制造能力不足，模块公司受芯片供应和价格影响。 | S40/S42/S45/S46 | 关注是否真正进入AI PSU/UPS/SST客户，而不是仅受新能源复苏。 |
| 先进封装材料潜在新赛道 | Wolfspeed、Foundry/OSAT生态伙伴 | 300mm SiC作为AI/HPC先进封装材料基础。 | Wolfspeed称正与Foundry、OSAT、系统架构和研究机构评估技术可行性。 | 远期可选项。 | 商业化时间、成本和生态接受度不确定。 | S27 | 暂不作为近期盈利预测核心。 |
| 替代技术竞争 | GaN、硅MOS/SJ MOS、IGBT、铜/传统变压器方案 | 低压高频、成本敏感或成熟架构环节。 | Infineon/ST/ROHM均强调SiC+GaN+硅组合，不是单一材料替代。 | 决定SiC天花板。 | 若GaN在800V/低压段占优，SiC只保留高压前端。 | S30/S31/S33/S34 | 测算必须按电压段和功率段拆分。 |
公司进展跟踪
| 公司 | 代码 | AI相关产品/代际 | 产能/转线/客户验证 | 2025A/2026Q1进展 | AI确定性 | 风险点 | 来源ID | 跟踪指标 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Wolfspeed | WOLF | 10kV SiC MOSFET、AI rack power、300mm SiC材料/先进封装。 | 10kV已商业发布；300mm SiC处生态评估；Mohawk Valley 200mm制造仍是核心变量。 | 2025处重整和低稼动压力；2026新增AI高压与先进封装叙事。 | 技术确定性高，收入兑现待客户项目。 | 资本结构、客户导入慢、EV周期和产能利用率。 | S25/S26/S27/S46 | 10kV订单、AI/SST客户、300mm评估伙伴、毛利率。 |
| Infineon | IFX.DE | CoolSiC/CoolGaN/CoolMOS组合，12kW AI PSU，SST SiC器件。 | Kulim/Villach 200mm SiC平台；与DG Matrix合作SST。 | 2025集团收入承压但功率半导体龙头地位稳定；2026 AI电源方案密集。 | 高；方案和客户生态强。 | 汽车/工业周期、SiC扩产稼动率、价格竞争。 | S28/S29/S30/S46 | SST项目、AI PSU参考设计客户、Kulim良率。 |
| STMicroelectronics | STM | 800VDC到50V/12V/6V，SiC/GaN/模拟/MCU组合。 | Catania 200mm SiC Campus、重庆三安-ST JV；与NVIDIA参考设计协同。 | Q1 2026称数据中心收入2026预计显著高于5亿美元、2027显著高于10亿美元，并有Si/SiC power design wins。 | 高，但SiC收入需拆分。 | 汽车工业周期、资本开支、数据中心项目兑现。 | S31/S32/S46 | 数据中心收入、SiC设计赢单、Catania/JV爬坡。 |
| onsemi | ON | AI data center power tree、EliteSiC 900V EV。 | AI数据中心多芯片供应商/云厂采用；EliteSiC与Geely/NIO等EV平台。 | Q1 2026公司称AI数据中心业务环比增长超30%、同比翻倍；同时EliteSiC支持900V EV。 | 中高；AI电源树不全是SiC。 | SiC收入拆分、汽车需求、毛利率修复。 | S35/S46 | AI数据中心收入、EliteSiC客户、900V平台量产。 |
| ROHM | 6963.T | EcoSiC/EcoGaN、AI服务器PSU、800VDC解决方案。 | 与NVIDIA、数据中心运营商和电源系统设计商合作推进800VDC；与Delta等有历史合作。 | 2025集团盈利受周期和扩产影响；2026 AI PSU页面强化SiC/GaN定位。 | 中高；产品方案明确。 | SiC扩产利用率、客户导入速度。 | S33/S34/S46 | EcoSiC订单、800VDC方案导入、毛利率。 |
| Navitas | NVTS | GeneSiC高压SiC、GaNFast，800VDC到低压电源板和SST展示。 | 支持NVIDIA 800VDC AI工厂供电架构；高压市场转型。 | Q1 2026收入8.6百万美元，环比增长18%；公司称AI/高压市场是重点。 | 高弹性但体量小。 | 客户集中、亏损、技术路线和量产验证。 | S36/S37 | 高压SiC订单、AI客户、现金流和量产能力。 |
| X-FAB | XFAB.PA | SiC/GaN宽禁带代工，数据中心电源管理相关项目。 | SiC pure-play foundry定位；Q1披露SiC出货增长。 | Q1 2026宽禁带收入15.1百万美元，同比+152%；SiC晶圆出货14,300片。 | 中高；代工平台稀缺。 | 客户项目转换、价格、汽车周期。 | S38 | SiC wafer shipments、宽禁带收入、数据中心设计赢单。 |
| 芯联集成 | 688469.SH | 6/8英寸SiC晶圆制造，650V-3300V MOSFET平台。 | 国内SiC制造平台，承接Fabless/车规/工业客户。 | 2026Q1收入19.62亿元，同比+13.19%；归母亏损0.88亿元，亏损收窄。 | 中；AI直接客户仍需验证。 | 盈利能力、有效良率、客户集中和折旧。 | S39/S46 | SiC片数、8英寸良率、毛利率、数据中心/车规客户。 |
| 士兰微 | 600460.SH | 8英寸SiC功率器件芯片制造线、SiC MOSFET/功率器件。 | 厦门8英寸SiC线通线后进入良率和客户认证阶段。 | 2026Q1收入35.19亿元，同比+17.31%；归母净利2.09亿元，同比+40.57%。 | 中；制造弹性高于AI直接订单。 | 8英寸量产良率、资本开支和车规客户。 | S44/S46 | 通线到量产、客户验证、功率半导体毛利率。 |
| 华润微 | 688396.SH | SiC/GaN第三代半导体、功率IDM和特色工艺。 | IDM平台完整，SiC/GaN从产品突破到量产需持续验证。 | 2026Q1收入28.57亿元，同比+21.34%；归母净利3.30亿元，同比+296.56%，但含金融资产公允价值收益。 | 中；AI多为间接受益。 | SiC收入拆分有限，利润质量需拆解。 | S43/S46 | SiC/GaN产品收入、产能利用率、扣非利润。 |
| 三安光电/三安集成 | 600703.SH | 化合物半导体平台，与ST重庆JV聚焦200mm SiC。 | ST重庆JV是本土200mm SiC制造关键项目。 | 2026Q1收入29.07亿元，同比-32.59%；归母净利0.67亿元，同比-68.15%。 | 中；JV长期价值高，短期集团财务承压。 | 集团业务宽、LED/化合物周期、SiC盈利拆分难。 | S31/S41/S46 | 重庆JV进度、SiC产线稼动率、客户导入。 |
| 扬杰科技 | 300373.SZ | SiC系列功率器件、SBD/MOSFET、材料/晶圆/封装服务。 | 从分立器件和渠道切入AI、新能源汽车、储能和工控。 | 2026Q1收入21.30亿元，同比+34.87%；归母净利3.85亿元，同比+41.01%，公告提及AI/新能源/储能/工控强需求。 | 中；AI需求披露更明确但SiC占比需验证。 | 高端车规和AI PSU料号占比不清。 | S40/S46 | SiC系列收入、AI客户、毛利率、海外销售。 |
| 时代电气 | 688187.SH | SiC/IGBT模块、轨交/新能源功率系统。 | 系统和模块端强，前段晶圆制造不是核心。 | 2026Q1收入51.02亿元，同比+12.45%；归母净利6.43亿元，同比+1.91%。 | 中；AI多通过高压电力电子和数据中心设施间接。 | SiC芯片自给/外购、模块价格、下游项目。 | S42/S46 | SiC模块订单、SST/UPS/工业项目、系统毛利。 |
| 斯达半导/新洁能 | 603290.SH/605111.SH | SiC模块、功率器件设计，AI PSU相关低压/高效器件开发。 | 斯达偏模块，新洁能偏功率器件设计；AI更多是应用拓展。 | 斯达2026Q1收入8.64亿元、归母净利0.27亿元；新洁能Q1收入5.17亿元、归母净利0.95亿元。 | 中低到中；需看是否进入AI电源客户。 | 前段SiC制造能力有限、客户导入和价格压力。 | S45/S46 | AI PSU送样、SiC模块收入、客户定点。 |
AI资料来源
| ID | 类别 | 来源名称 | URL/工具 | 发布日期/报告期 | 取数日期 | 用途 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S25 | AI数据中心/SiC | Wolfspeed - Industry's first commercially available 10 kV SiC MOSFET | https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/wolfspeed-introduces-industrys-first-commercially-available-10000v-silicon-carbide-power-mosfet/ | 2026-03-05 | 2026-05-31 | 10kV SiC MOSFET、AI数据中心基础设施、电网/工业高压场景 | 官方新闻稿；高压应用信号强，收入贡献仍需跟踪 |
| S26 | AI数据中心/SiC | Wolfspeed - Silicon Carbide for Artificial Intelligence | https://www.wolfspeed.com/applications/power/artificial-intelligence/ | 2026访问 | 2026-05-31 | AI数据中心机架电源、10kV SiC裸芯MOSFET、AI相关产品入口 | 公司专题页 |
| S27 | 先进封装/材料 | Wolfspeed - 300mm SiC foundation for AI data center advanced packaging | https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/wolfspeed-unveils-foundation-for-next-generation-ai-data-center-advanced-packaging-leveraging-300mm-silicon-carbide-technology/ | 2026-03-10 | 2026-05-31 | 300mm SiC衬底用于AI/HPC先进封装的早期探索 | 长期技术期权，不等同于近期功率器件产能 |
| S28 | AI数据中心/SST | Infineon and DG Matrix leverage silicon carbide for AI data center power infrastructure | https://www.infineon.com/press-release/2026/infgip202603-075 | 2026-03-24 | 2026-05-31 | SiC用于固态变压器SST、AI数据中心接入电网、中压配电 | 官方新闻稿 |
| S29 | AI服务器/PSU | Infineon - 12 kW high-density PSU reference design for AI data centers and servers | https://www.infineon.com/market-news/2025/INFPSS202509-142 | 2025-09-10 | 2026-05-31 | 12kW AI PSU使用Si/SiC/GaN，CoolSiC/CoolGaN提升效率和功率密度 | 官方市场新闻 |
| S30 | AI服务器/PSU | Infineon white paper - Scaling AI data center power delivery with Si, SiC and GaN | https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/59/whitepaper-scaling-ai-data-center-power-delivery-with-si-sic-and-gan.pdf | 2025-06 | 2026-05-31 | 3kW/3.3kW PSU、650V CoolSiC MOSFET、PFC效率和功率密度 | 公司白皮书 |
| S31 | AI数据中心/800V | STMicroelectronics - 800 VDC AI datacenter power conversion with NVIDIA | https://newsroom.st.com/media-center/press-item.html/t4766.html | 2026-03-17 | 2026-05-31 | 800VDC到50V/12V/6V，组合SiC/GaN/模拟/MCU | 官方新闻稿 |
| S32 | AI数据中心/财务 | STMicroelectronics Q1 2026 earnings presentation | https://stmicroelectronics.gcs-web.com/static-files/1e089b38-2b28-48c9-8585-fe8f4ba74f33 | 2026-04-23 | 2026-05-31 | 2026/2027数据中心收入预期、Si/SiC power design wins | 公司IR材料 |
| S33 | AI服务器/PSU | ROHM - PSU solutions for server/data center | https://www.rohm.com/solution/industry/server/psu | 2026访问 | 2026-05-31 | AI服务器PSU、HVDC、SiC/GaN突破传统硅器件限制 | 公司解决方案页 |
| S34 | AI数据中心/800V | ROHM - White paper on next-generation 800 VDC architecture | https://www.rohm.com/news-detail?defaultGroupId=false&news-title=2025-10-14_news_white-paper | 2025-10-14 | 2026-05-31 | 800VDC、EcoSiC/EcoGaN、与NVIDIA和数据中心生态合作 | 官方新闻稿 |
| S35 | AI数据中心/公司 | onsemi - Q1 2026 results | https://www.onsemi.com/company/news-media/press-announcements/en/onsemi-reports-first-quarter-2026-results | 2026-05-04 | 2026-05-31 | AI数据中心业务环比增长、同比翻倍；EliteSiC 900V EV | 公司新闻稿；AI电源树不完全等同于SiC收入 |
| S36 | AI数据中心/800V | Navitas - Supports 800 VDC power architecture for NVIDIA AI factory computing | https://ir.navitassemi.com/node/11116/pdf | 2026-03 | 2026-05-31 | GaNFast/GeneSiC支持800VDC AI工厂供电架构 | 公司PDF |
| S37 | AI数据中心/公司 | Navitas - Q1 2026 financial results | https://navitassemi.gcs-web.com/node/11626/pdf | 2026-05 | 2026-05-31 | 高压SiC和GaN用于AI power revolution；Q1收入和SAM口径 | 公司PDF；小体量高弹性 |
| S38 | SiC代工/公司 | X-FAB - Q1 2026 results | https://www.xfab.com/securedl/sdl-eyJ0eXAiOiJKV1QiLCJhbGciOiJIUzI1NiJ9.eyJpYXQiOjE3Nzc1MjUyNzQsImV4cCI6MTc3NzYxNTI3NCwidXNlciI6MCwiZ3JvdXBzIjpbMCwtMV0sImZpbGUiOiJmaWxlYWRtaW4vWC1GQUIvSW52ZXN0b3JfUmVsYXRpb25zL1ByZXNzX1JlbGVhc2VfWC1GQUJfUTFfMjAyNl9SZXN1bHRzXzMwQXByMjAyNl9FTkcucGRmIiwicGFnZSI6Nn0.rJW0MYfRKtjt4qC3FoghpYL6P_LXdkoBjOBCBd_C1PU/Press_Release_X-FAB_Q1_2026_Results_30Apr2026_ENG.pdf | 2026-04-30 | 2026-05-31 | 宽禁带收入、SiC晶圆出货、数据中心电源管理需求 | 公司IR PDF |
| S39 | A股财务 | 芯联集成：2026年第一季度报告 | https://money.finance.sina.com.cn/corp/view/vCB_AllBulletinDetail.php?id=12120062&stockid=688469 | 2026-04 | 2026-05-31 | 2026Q1收入19.62亿元、亏损收窄 | 公告转载；Sina页面编码偶有异常 |
| S40 | A股财务 | 扬杰科技：2026年第一季度报告 | https://money.finance.sina.com.cn/corp/view/vCB_AllBulletinDetail.php?id=12106667&stockid=300373 | 2026-04 | 2026-05-31 | 2026Q1收入21.30亿元、归母净利3.85亿元；提及AI/新能源等需求 | 公告转载 |
| S41 | A股财务 | 三安光电：2026年第一季度报告 | https://money.finance.sina.com.cn/corp/view/vCB_AllBulletinDetail.php?id=12195773&stockid=600703 | 2026-04 | 2026-05-31 | 2026Q1收入29.07亿元、归母净利0.67亿元 | 公告转载 |
| S42 | A股财务 | 时代电气：2026年第一季度报告 | https://money.finance.sina.com.cn/corp/view/vCB_AllBulletinDetail.php?id=12210210&stockid=688187 | 2026-04 | 2026-05-31 | 2026Q1收入51.02亿元、归母净利6.43亿元 | 公告转载 |
| S43 | A股财务 | 华润微：2026年一季度业绩新闻 | https://finance.sina.com.cn/jjxw/2026-04-24/doc-inhvramw7910639.shtml | 2026-04-24 | 2026-05-31 | 2026Q1收入28.57亿元、归母净利3.30亿元 | 新闻转载；净利含公允价值变动因素 |
| S44 | A股财务 | 士兰微：2026年一季报摘要 | https://m.jiemian.com/article/14366395.html | 2026-04-30 | 2026-05-31 | 2026Q1收入35.19亿元、归母净利2.09亿元 | 媒体摘要 |
| S45 | A股财务 | 斯达半导/新洁能2026Q1利润表 | https://vip.stock.finance.sina.com.cn/corp/go.php/vFD_ProfitStatement/stockid/603290/ctrl/part/displaytype/4.phtml | 2026Q1 | 2026-05-31 | 斯达半导Q1收入8.64亿元、归母净利0.27亿元；新洁能另见新浪利润表 | 二级口径，需以公告复核 |
| S46 | 本地底稿 | 既有碳化硅器件设计和晶圆制造行业研究 | F:/研究/行业分析/碳化硅/碳化硅_器件设计和晶圆制造行业研究_20260530.xlsx | 2026-05-30 | 2026-05-31 | 沿用原表S01-S24行业、公司、财务和产业链结论 | 本地成稿 |
| S47 | 股价行情 | Yahoo Finance Chart API / Nasdaq Historical Data | https://finance.yahoo.com/；https://api.nasdaq.com/api/quote/STM/historical | 2026-05-31访问 | 2026-05-31 | 2024-12-31或此前最后交易日到2026-05-29复权/收盘价区间涨幅 | 2026-05-30为周六非交易日；Wolfspeed和芯联集成因数据源起点不可完全可比 |
HTML由同目录Excel工作簿生成；资料链接和来源ID保留在“资料来源”章节。