EML
AstructureInP MQW + DFB + EAM
rate_or_power100G/200G/lane及更高演进
strength高带宽、低啁啾、长距
barrier外延一致性、光栅、EAM隔离、端面与高频电极
application800G/1.6T/3.2T分立方案
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定义与分类
先限定裸芯片、PIC与上游制造环节；TOSA/ROSA和完整光模块仅用于解释安装位置、成本传导和需求来源。
纳入范围
- EML、DFB/DML、VCSEL、CW Laser
- PIN、APD、Ge PD
- 硅光调制与接收PIC
- InP/GaAs/SOI衬底、外延、晶圆制造与芯片测试
排除范围
- 完整光模块与光引擎收入
- TOSA/ROSA/COC封装收入
- DSP、Driver、TIA等电芯片
- 连接器、PCB、散热件和光纤
- 交易建议、目标价和仓位
核心边界
不能把光模块、光器件、电芯片或集团收入直接当作光芯片市场与公司收入。
| 一级 | 二级 | 产品 | 边界说明 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 光模块上游光芯片 | 发射芯片/InP边发射 | EML | DFB激光区与EAM调制区单片集成，面向高速中长距。 | A | S01S14 |
| 光模块上游光芯片 | 发射芯片/InP边发射 | DFB/DML | 激光腔直接调制，成本和结构较简单，适配接入与部分数通。 | A | S04S05 |
| 光模块上游光芯片 | 发射芯片/InP边发射 | CW Laser/ELS | 连续波光源供硅光PIC调制，可分光供多通道并外置维护。 | A | S01S11S12 |
| 光模块上游光芯片 | 发射芯片/GaAs面发射 | VCSEL/VCSEL Array | 垂直出光、易阵列化，主要用于短距多模互连。 | A | S01 |
| 光模块上游光芯片 | 接收芯片/III-V探测器 | InGaAs PIN | 高速、低成本接收，200G/lane产品已形成原厂产品页。 | A | S15 |
| 光模块上游光芯片 | 接收芯片/雪崩探测器 | APD | 内部增益提高灵敏度，但偏压、噪声与温度控制更复杂。 | B | S16 |
| 光模块上游光芯片 | 光子集成芯片/硅光平台 | Si/SiN/Ge PIC | 集成调制器、波导、MUX/DEMUX与Ge PD，通常需要外置InP CW光源。 | A | S01S11 |
| 光模块上游光芯片 | 邻接但排除/电子与封装 | Driver/TIA/DSP、COC/TOSA/ROSA | 用于说明芯片接口与安装位置，不并入光芯片市场收入。 | B | S11S18 |
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光模块部件拆解
延续单片机报告的产品直观化方式，从整机模块逐级下钻到发射、接收、材料层、光路和制造步骤。
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市场规模与预测
券商报告补齐核心芯片、细分芯片和下游需求三层市场数据；不同层级不相加、不直接计算公司份额。
核心芯片口径
全球光通信芯片组、中国光芯片、激光器芯片及EML+CW。
下游需求口径
光互联、数据中心光互联和光模块，只用于解释需求传导。
远期处理
2030高增长预测标为B级低置信度上沿，必须用实际出货和ASP跟踪。
公开口径增长跨度
各行按自身起点归一化，仅比较增长倍数，不比较不同统计层级的绝对大小。
全球光通信芯片组2024 → 2025
$3.50bn → $3.8bn
全球光互联市场2024 → 2030
$17.90bn → $151.4bn
全球数据中心光互联2024 → 2030
$13.70bn → $144.4bn
全球激光器芯片2024 → 2030
$2.60bn → $22.9bn
数据中心激光器芯片2024 → 2030
$1.60bn → $21.1bn
EML与CW激光器芯片2024 → 2030
$0.97bn → $20.8bn
全球光模块市场2024 → 2025
$10.80bn → $12.1bn
| 市场口径 | 统计层级 | 基准年 | 基准/亿美元 | 基准/人民币十亿元 | 预测年 | 预测/亿美元 | 预测/人民币十亿元 | 增长/CAGR | 基准份额 | 预测份额 | 方法 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 全球光通信芯片组 | 核心芯片口径 | 2024 | 3.50 | 24.50 | 2025 | 3.76 | 26.32 | 7.4% | 未披露 | 未披露 | 开源证券转引中商产业研究院 | B | S17 |
| 中国光芯片市场 | 核心芯片口径 | 2023 | 未披露 | 13.76 | 2025 | 未披露 | 15.91 | 7.5% | 未披露 | 未披露 | 开源证券转引中商产业研究院 | B | S17 |
| 全球光互联市场 | 下游需求口径 | 2024 | 17.90 | 125.30 | 2030 | 151.40 | 1,059.80 | 42.8% | 未披露 | 未披露 | 东兴证券转引LightCounting/灼识咨询 | B | S16 |
| 全球数据中心光互联 | 下游需求口径 | 2024 | 13.70 | 95.90 | 2030 | 144.40 | 1,010.80 | 48.1% | 未披露 | 未披露 | 东兴证券转引LightCounting/灼识咨询 | B | S16 |
| 全球激光器芯片 | 核心芯片口径 | 2024 | 2.60 | 18.20 | 2030 | 22.90 | 160.30 | 44.1% | 未披露 | 未披露 | 东兴证券转引LightCounting/灼识咨询 | B | S16 |
| 数据中心激光器芯片 | 核心芯片口径 | 2024 | 1.60 | 11.20 | 2030 | 21.10 | 147.70 | 53.4% | 未披露 | 未披露 | 东兴证券转引LightCounting/灼识咨询 | B | S16 |
| EML与CW激光器芯片 | 核心芯片细分 | 2024 | 0.97 | 6.79 | 2030 | 20.80 | 145.60 | 66.6% | 38.1% | 90.9% | 东兴证券转引LightCounting/灼识咨询 | B | S16 |
| 全球光模块市场 | 下游需求口径 | 2024 | 10.80 | 75.60 | 2025 | 12.10 | 84.70 | 12.0% | 未披露 | 未披露 | 开源证券转引中商产业研究院 | B | S17 |
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价格、成本与价值量
公开裸芯片ASP不足时不填假价格；用光模块、光器件、TOSA/ROSA和光芯片成本层级定位价值传导。
| 环节 | 主要投入 | 价格/利润传导 | 公开成本占比 | 第二成本占比 | 占比口径 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| InP/GaAs/SOI衬底 | 晶体质量、尺寸、供应集中度 | 扩径和缺陷率决定单位die成本 | 未披露 | 未披露 | 未披露 | B | S01S16 |
| 外延 | MOCVD时间、前驱体、MQW/DBR层数 | 波长和功率偏差会在后续放大报废损失 | 未披露 | 未披露 | 未披露 | B | S01S16 |
| 晶圆前道 | 光栅、台面、波导、电极和钝化 | EML双功能区和高频结构复杂度高 | 未披露 | 未披露 | 未披露 | B | S01S16 |
| 解理与镀膜 | bar切割、AR/HR膜与端面保护 | 端面损伤可导致灾变光学损伤 | 未披露 | 未披露 | 未披露 | B | S01S16 |
| 测试与老化 | wafer/bar/die测试、高温burn-in | 高可靠通信芯片需筛除早期失效 | 未披露 | 未披露 | 未披露 | B | S01S16 |
| 耦合封装损耗 | COC/TOSA/FAU/ELSFP耦合与热管理 | 芯片良率必须与封装耦合良率共同看 | 未披露 | 未披露 | 未披露 | B | S01S16 |
| 光模块BOM | 光器件、电芯片、PCB、结构件 | 光器件约占光模块成本73%，上游光芯片需求随端口数量与速率升级传导。 | 73.0% | 未披露 | 光器件/光模块成本 | B | S18 |
| 光器件BOM | TOSA、ROSA、无源器件与封装 | TOSA与ROSA约占光器件成本80%，芯片性能和耦合良率共同决定价值。 | 80.0% | 未披露 | TOSA+ROSA/光器件成本 | B | S18 |
| TOSA/ROSA核心芯片 | 激光器芯片、探测器芯片 | 光芯片约占光器件成本50%，约占TOSA与ROSA成本85%。 | 50.0% | 85.0% | 光芯片/光器件；光芯片/TOSA+ROSA | B | S18 |
| 环节 | 价格水平 | 方向 | 跟踪变量 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| InP/GaAs/SOI衬底 | 未披露 | 结构性溢价取决于速率/功率/良率 | 晶体质量、尺寸、供应集中度 | B | S01S16 |
| 外延 | 未披露 | 结构性溢价取决于速率/功率/良率 | MOCVD时间、前驱体、MQW/DBR层数 | B | S01S16 |
| 晶圆前道 | 未披露 | 结构性溢价取决于速率/功率/良率 | 光栅、台面、波导、电极和钝化 | B | S01S16 |
| 解理与镀膜 | 未披露 | 结构性溢价取决于速率/功率/良率 | bar切割、AR/HR膜与端面保护 | B | S01S16 |
| 测试与老化 | 未披露 | 结构性溢价取决于速率/功率/良率 | wafer/bar/die测试、高温burn-in | B | S01S16 |
| 耦合封装损耗 | 未披露 | 结构性溢价取决于速率/功率/良率 | COC/TOSA/FAU/ELSFP耦合与热管理 | B | S01S16 |
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细分市场与下游需求
把AI数据中心、电信/PON、相干传输、CPO和感知拆开；权重是研究假设，行业规模是公开口径。
| 需求分支 | 2025权重 | Bear增速 | Base增速 | Bull增速 | 主要驱动 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AI数据中心可插拔 | 44.0% | 18.0% | 42.0% | 62.0% | 800G/1.6T拉动200G EML、CW和PD | A | S01S04S05S13 |
| 电信/PON/无线 | 28.0% | -2.0% | 6.0% | 12.0% | DFB/EML需求较稳但价格竞争强 | A | S01S04S05S13 |
| DCI/相干传输 | 10.0% | 8.0% | 18.0% | 28.0% | 可调谐激光、IQ调制与高端PD | A | S01S04S05S13 |
| NPO/CPO/scale-up | 6.0% | 40.0% | 120.0% | 200.0% | 基数小但CW Laser、PIC和VCSEL阵列高增长 | A | S01S04S05S13 |
| 工业与感知 | 12.0% | 2.0% | 8.0% | 15.0% | 传感DFB、VCSEL和探测器需求 | A | S01S04S05S13 |
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产品系列与技术路线
EML、DFB/DML、CW、VCSEL、PIN/APD和硅光PIC不是同质产品，速率、距离、功率和封装架构决定竞争关系。
DFB/DML
AstructureInP MQW + DFB光栅
rate_or_power10G-100G级直接调制
strength成熟、成本较低、波长稳定
barrier高速调制与热啁啾权衡
applicationPON、无线前传、部分数通
CW Laser
Astructure高功率InP DFB连续波
rate_or_power50-400mW及多波长
strength硅光/CPO外置光源
barrier高功率、低RIN、线宽、热可靠性、分光损耗
application硅光可插拔、NPO、CPO、ELSFP
VCSEL
AstructureGaAs DBR + 氧化孔径 + MQW
rate_or_power100G/200G/lane演进
strength低功耗、阵列化、晶圆级测试
barrier高速与温度带宽、短距限制
application多模短距、scale-up
PIN PD
AstructureInGaAs吸收层 + 高速电极
rate_or_power200G/lane
strength低偏压、低噪声、成本较低
barrier带宽、响应度、结电容与封装寄生
applicationDR/FR接收端
APD
BstructureInGaAs吸收 + InP倍增层
rate_or_power25G-100G常见
strength高灵敏度
barrier高偏压、温漂、雪崩噪声与一致性
application长距/高损耗预算
硅光PIC
AstructureSOI/SiN波导 + 调制器 + Ge PD
rate_or_power200G/lane及多通道
strengthCMOS兼容、高集成、低BOM潜力
barrier耦合损耗、热调谐、封装与外置激光
application800G/1.6T/3.2T、CPO
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代表芯片直接对标
把结构、速率、优势、制造壁垒和应用放在同一张表，避免只按速率或材料体系排名。
| 产品 | 结构 | 速率/功率 | 优势 | 壁垒 | 应用 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EML | InP MQW + DFB + EAM | 100G/200G/lane及更高演进 | 高带宽、低啁啾、长距 | 外延一致性、光栅、EAM隔离、端面与高频电极 | 800G/1.6T/3.2T分立方案 | A | S01S14 |
| DFB/DML | InP MQW + DFB光栅 | 10G-100G级直接调制 | 成熟、成本较低、波长稳定 | 高速调制与热啁啾权衡 | PON、无线前传、部分数通 | A | S04S05 |
| CW Laser | 高功率InP DFB连续波 | 50-400mW及多波长 | 硅光/CPO外置光源 | 高功率、低RIN、线宽、热可靠性、分光损耗 | 硅光可插拔、NPO、CPO、ELSFP | A | S01S06S12 |
| VCSEL | GaAs DBR + 氧化孔径 + MQW | 100G/200G/lane演进 | 低功耗、阵列化、晶圆级测试 | 高速与温度带宽、短距限制 | 多模短距、scale-up | A | S01 |
| PIN PD | InGaAs吸收层 + 高速电极 | 200G/lane | 低偏压、低噪声、成本较低 | 带宽、响应度、结电容与封装寄生 | DR/FR接收端 | A | S15S01 |
| APD | InGaAs吸收 + InP倍增层 | 25G-100G常见 | 高灵敏度 | 高偏压、温漂、雪崩噪声与一致性 | 长距/高损耗预算 | B | S16 |
| 硅光PIC | SOI/SiN波导 + 调制器 + Ge PD | 200G/lane及多通道 | CMOS兼容、高集成、低BOM潜力 | 耦合损耗、热调谐、封装与外置激光 | 800G/1.6T/3.2T、CPO | A | S01S11 |
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制造工艺与良率瓶颈
有效供给不是名义晶圆数，而是建设、爬坡、外延与前道良率、端面、测试和客户认证后的合格die。
有效供给 = 名义扩产 × 建设 × 爬坡 × 良率 × 认证 − 退出。
| 公司 | 项目 | 状态 | 名义增量 | 建设 | 爬坡 | 良率 | 认证 | 项目说明 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Coherent | InP 6英寸产线 | volume_production_and_ramp | 100.0% | 90.0% | 80.0% | 90.0% | 85.0% | 公司称2026产量翻倍、2027超过2倍 | A | S01 |
| Coherent | EML/CW/PD/PIC多器件 | capacity_expansion | 未披露 | 90.0% | 70.0% | 85.0% | 85.0% | 德州和瑞典扩6英寸，瑞士新增6英寸 | A | S01 |
| 仕佳光子 | 100mW CW DFB芯片 | project_announced | 未披露 | 80.0% | 45.0% | 70.0% | 65.0% | 募投面向硅光和CPO | A | S06 |
| 仕佳光子 | 400mW CW DFB COC | project_announced | 未披露 | 75.0% | 35.0% | 60.0% | 55.0% | 高功率与封装项目，尚需建设和认证 | A | S06 |
| 源杰科技 | 大功率CW与高速激光芯片 | mass_production_partial | 未披露 | 90.0% | 70.0% | 80.0% | 80.0% | CW产品已大批量出货，绝对产能未披露 | A | S04 |
| 光迅科技 | 100G/200G EML与硅光 | ramp_and_external_foundry | 未披露 | 85.0% | 55.0% | 70.0% | 70.0% | 100G量产、200G研发/导入；硅光流片外部代工 | A | S08 |
| 模型/情景 | 公式 | 供给增速 | 2025指数 | 2026指数 | 限制 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 有效供给折扣 | announced_addition * construction_factor * ramp_factor * yield_factor * qualification_factor - attrition | 未披露 | 未披露 | 未披露 | 名义扩产、规划和公司翻倍不得直接外推为全行业有效供给。 | A | S01S06S08 |
| Base | 100 * (1 + growth_2026) | 24.0% | 100.0 | 124.0 | 综合项目折扣后的行业指数，不是晶圆片或die绝对数量。 | A | S01S04S06S08 |
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全球公司矩阵
全球供应商按已验证产品、InP/GaAs/SOI平台、规模制造和客户认证比较，不用集团收入推导芯片份额。
| 公司/群体 | 已验证产品 | 壁垒 | 位置 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| Coherent | EML/CW/VCSEL/PD/PIC垂直平台 | 6英寸InP、产品宽度和封装协同 | 全球综合龙头 | A | S01S02 |
| Lumentum | 高速激光芯片、VCSEL、光子器件与模块 | 云与网络客户关系、激光芯片性能 | 全球龙头 | A | S03S14S15 |
| Broadcom/日系厂商 | EML/CW/PD及系统级光连接 | 客户认证、InP工艺与规模 | 全球主要供应商 | B | S16 |
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估值与资本市场口径
估值只保留可解释的方法和缺口；目标业务收入未披露时不输出伪精确倍数、目标价或交易建议。
| 公司 | 方法 | 目标业务收入 | 当前状态 | 口径警告 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 源杰科技 | 目标业务收入/利润口径优先 | 未披露 | 关键分产品盈利输入不足 | 不以集团市值直接除以未经披露的光芯片收入。 | B | S04S17 |
| 仕佳光子 | 分部SOTP | 1,591.0 | 光芯片及器件口径仍包含无源和封装 | 不能把分产品收入等同纯有源芯片收入。 | A | S05 |
| Coherent/Lumentum | 分部EV/Revenue与利润率交叉验证 | 未披露 | 分部含模块和器件 | 仅作经营质量比较，不输出目标价。 | A | S02S03 |
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全球及中国三年财务
集团财务、Networking/Cloud分部和光芯片及器件产品收入严格分层，并保留原币种。
仕佳光子“光芯片及器件”仍包含无源芯片、器件和部分封装；Coherent与Lumentum分部也包含模块和器件。
最新年度集团收入折算
美元按7.0折算人民币，仅用于量级比较；集团收入不代表光芯片收入。
CoherentFY2025
406.7亿元
光迅科技FY2025
119.3亿元
LumentumFY2025
115.2亿元
仕佳光子FY2025
21.3亿元
源杰科技FY2025
6.0亿元
| 公司 | 期间 | 币种 | 收入/百万 | 净利润/百万 | 毛利率 | 净利率 | 研发费用率 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 源杰科技 | FY2025 | CNY | 601.4 | 190.9 | 未披露 | 31.7% | 13.4% | A | S04 |
| 源杰科技 | FY2024 | CNY | 252.2 | -6.1 | 未披露 | -2.4% | 21.6% | A | S04 |
| 源杰科技 | FY2023 | CNY | 144.4 | 19.5 | 未披露 | 13.5% | 21.4% | A | S04 |
| 仕佳光子 | FY2025 | CNY | 2,129.1 | 372.2 | 33.2% | 17.5% | 6.2% | A | S05 |
| 仕佳光子 | FY2024 | CNY | 1,074.5 | 64.9 | 26.3% | 6.0% | 9.6% | A | S05 |
| 光迅科技 | FY2025 | CNY | 11,928.7 | 946.3 | 23.4% | 7.9% | 8.7% | A | S07 |
| 光迅科技 | FY2024 | CNY | 8,272.3 | 661.3 | 22.5% | 8.0% | 8.6% | A | S07 |
| Coherent | FY2025 | USD | 5,810.0 | 49.4 | 35.0% | 0.8% | 10.0% | A | S02 |
| Coherent | FY2024 | USD | 4,708.0 | -156.2 | 31.0% | -3.3% | 10.0% | A | S02 |
| Coherent | FY2023 | USD | 5,160.0 | -259.5 | 31.0% | -5.0% | 10.0% | A | S02 |
| Lumentum | FY2025 | USD | 1,645.0 | 25.9 | 28.0% | 1.6% | 18.5% | A | S03 |
| Lumentum | FY2024 | USD | 1,359.2 | -546.5 | 18.5% | -40.2% | 19.1% | A | S03 |
| Lumentum | FY2023 | USD | 1,767.0 | -131.6 | 32.2% | -7.4% | 17.4% | A | S03 |
分部/产品财务
| 公司 | 分部/产品 | 期间 | 币种 | 收入/百万 | 毛利/分部利润/百万 | 毛利率/分部利润率 | 同比/集团占比 | 口径警告 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 仕佳光子 | 光芯片及器件 | FY2025 | CNY | 1,591.0 | 未披露 | 36.1% | 162.4% | 分产品口径包含无源芯片、器件及部分封装，不等于纯有源光芯片。 | A | S05 |
| 仕佳光子 | 光芯片及器件 | FY2024 | CNY | 606.4 | 未披露 | 33.4% | 未披露 | 按年报同比增速反推，仅用于历史比较。 | A | S05 |
| Coherent | Networking | FY2025 | USD | 3,421.0 | 644.0 | 18.8% | 49.0% | Networking含收发模块、器件和芯片。 | A | S02 |
| Coherent | Networking | FY2024 | USD | 2,296.0 | 354.0 | 15.4% | 未披露 | Networking含收发模块、器件和芯片。 | A | S02 |
| Coherent | Networking | FY2023 | USD | 2,341.0 | 465.0 | 19.9% | 未披露 | Networking含收发模块、器件和芯片。 | A | S02 |
| Lumentum | Cloud & Networking | FY2025 | USD | 1,410.8 | 486.4 | 34.5% | 85.8% | 含Cloud Light模块和多类光子器件。 | A | S03 |
| Lumentum | Cloud & Networking | FY2024 | USD | 1,084.9 | 341.1 | 31.4% | 79.8% | 含Cloud Light模块和多类光子器件。 | A | S03 |
| Lumentum | Cloud & Networking | FY2023 | USD | 1,322.5 | 528.2 | 39.9% | 74.8% | 含多类光子芯片、器件和模块。 | A | S03 |
历史盈利能力
| 公司 | 期间 | 收入/百万原币 | 净利润/百万原币 | 毛利率 | 净利率 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 源杰科技 | FY2025 | 601.4 | 190.9 | 未披露 | 31.7% | A | S04 |
| 源杰科技 | FY2024 | 252.2 | -6.1 | 未披露 | -2.4% | A | S04 |
| 源杰科技 | FY2023 | 144.4 | 19.5 | 未披露 | 13.5% | A | S04 |
| 仕佳光子 | FY2025 | 2,129.1 | 372.2 | 33.2% | 17.5% | A | S05 |
| 仕佳光子 | FY2024 | 1,074.5 | 64.9 | 26.3% | 6.0% | A | S05 |
| 光迅科技 | FY2025 | 11,928.7 | 946.3 | 23.4% | 7.9% | A | S07 |
| 光迅科技 | FY2024 | 8,272.3 | 661.3 | 22.5% | 8.0% | A | S07 |
| Coherent | FY2025 | 5,810.0 | 49.4 | 35.0% | 0.8% | A | S02 |
| Coherent | FY2024 | 4,708.0 | -156.2 | 31.0% | -3.3% | A | S02 |
| Coherent | FY2023 | 5,160.0 | -259.5 | 31.0% | -5.0% | A | S02 |
| Lumentum | FY2025 | 1,645.0 | 25.9 | 28.0% | 1.6% | A | S03 |
| Lumentum | FY2024 | 1,359.2 | -546.5 | 18.5% | -40.2% | A | S03 |
| Lumentum | FY2023 | 1,767.0 | -131.6 | 32.2% | -7.4% | A | S03 |
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中国公司专题
区分较纯光芯片IDM、无源+有源平台和芯片—器件—模块一体化公司，收入可比性低于产品可比性。
| 公司 | 代码 | 暴露类型 | 已验证产品 | 口径警告 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 源杰科技 | 688498.SH | 核心光芯片IDM | DFB / EML / CW Laser | 目标光芯片收入较纯但封装销售也存在 | A | S04 |
| 仕佳光子 | 688313.SH | 有源+无源平台 | DFB / EML / CW / AWG / FAU | 集团收入含光缆和材料 | A | S05S06 |
| 光迅科技 | 002281.SZ | 芯片—器件—模块一体化 | EML / CW / 硅光PIC / 光模块 | 目标光芯片收入未单列 | A | S07S08 |
| 公司 | 经营指标 | 已披露进展 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| Coherent | InP总产量 | 2026翻倍、2027超过2倍 | A | S01 |
| Coherent | VCSEL累计与年度规模 | 累计10亿只；数据中心和感知年交付超过4亿只 | A | S01 |
| 源杰科技 | CW Laser | 高速可插拔硅光模块用CW芯片已大批量出货 | A | S04 |
| 仕佳光子 | CW DFB项目 | 规划100mW芯片和400mW COC | A | S06 |
| 光迅科技 | 自研芯片 | 100G EML量产；200G EML和硅光持续导入，硅光流片外部代工 | A | S08 |
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产品阶段与客户认证
demo、sampling、qualified、mass production和economic competition必须逐级确认；技术演示不等于行业供给。
| 技术路线 | 已观察状态 | 下一步 | 应用 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 100G/lane EML | mass_production | 成熟放量 | 800G模块 | A | S01 |
| 200G/lane EML与PIN PD | mass_production | 量产爬坡 | 1.6T/3.2T模块 | A | S01S14S15 |
| 400G差分EML | demonstrated | 研发验证 | 3.2T/6.4T | A | S01 |
| 50-100mW CW Laser | mass_production | 硅光批量 | 800G/1.6T硅光 | A | S01S04 |
| 150-400mW CW/ELS | sampling_to_ramp | 高功率导入 | CPO/NPO/scale-up | A | S01S06S12 |
| 200G/lane VCSEL | demonstrated_and_qualification | 短距高速演进 | 1.6T短距/scale-up | A | S01 |
| 硅光PIC | mass_production_and_expansion | 从模块内集成向CPO靠近 | 可插拔/NPO/CPO | A | S01S11S13 |
| 标准/政策 | 行业影响 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|
| OIF CPO/ELSFP实施协议 | 统一外置激光与CPO接口，降低多厂商协作障碍。 | A | S11S12 |
| Ethernet速率与集成路线图 | 200G/lane向更高速率演进，并推动CPO/NPO。 | A | S13 |
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上游成本与产业链
从衬底、外延、晶圆前道到解理镀膜、测试、封装接口和下游模块，定位失配点与利润传导。
| 层级 | 节点 | 物理流 | 价值驱动 | 跟踪变量 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 衬底与前驱体 | InP/GaAs/SOI晶圆与MOCVD前驱体 | InP/GaAs/SOI晶圆与MOCVD前驱体按制造流程进入下一环节。 | 晶体缺陷、尺寸、纯度和供应安全 | 衬底良率/交期 | B | S16 |
| 外延 | MQW、DBR、吸收层、倍增层和异质结构 | MQW、DBR、吸收层、倍增层和异质结构按制造流程进入下一环节。 | 层厚/组分/掺杂均匀性决定波长、功率与良率 | 外延片良率/波长分布 | B | S04S16 |
| 晶圆制造 | 光栅、台面、波导、钝化、电极和硅光刻蚀 | 光栅、台面、波导、钝化、电极和硅光刻蚀按制造流程进入下一环节。 | 光刻对准、侧壁损耗、寄生与工艺平台 | wafer pass yield | B | S01S16 |
| 后道芯片 | 减薄、解理、端面镀膜、bar测试、老化筛选 | 减薄、解理、端面镀膜、bar测试、老化筛选按制造流程进入下一环节。 | 端面可靠性和高温寿命筛选造成显著价值增量 | bar/die yield与burn-in | B | S16 |
| 光电芯片 | EML/DFB/CW/VCSEL/PIN/APD/PIC | EML/DFB/CW/VCSEL/PIN/APD/PIC按制造流程进入下一环节。 | 速率、功率、灵敏度、功耗和可靠性 | 200G/lane认证/高功率CW | A | S01S14S15 |
| 封装接口 | COC/TOSA/ROSA/ELSFP/FAU | COC/TOSA/ROSA/ELSFP/FAU按制造流程进入下一环节。 | 耦合、热管理、隔离与高频互连 | 耦合良率/通道一致性 | B | S11S12S18 |
| 下游 | 可插拔光模块、硅光模块、NPO/CPO | 可插拔光模块、硅光模块、NPO/CPO按制造流程进入下一环节。 | 端口速率、网络拓扑、功耗预算与客户认证 | 800G/1.6T/CPO部署 | A | S11S13 |
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竞争格局与路线替代
EML与硅光+CW、VCSEL与单模光、APD与PIN不是全替代关系，需要同时核算裸die、耦合、功耗、测试和维修。
| 现有路线 | 挑战路线 | 关系 | 驱动 | 障碍 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EML | 硅光PIC + CW | 部分替代 | 高集成、功耗与封装BOM | 外置激光、耦合和热调谐 | A | S01S11S12S13 |
| VCSEL短距 | 硅光/单模光 | 场景竞争 | 距离与带宽密度 | 成本与多模生态 | A | S01S11S12S13 |
| APD | 高速PIN + DSP/FEC | 部分替代 | 简化偏压与成本 | 链路预算和灵敏度 | A | S01S11S12S13 |
| 分立TOSA/ROSA | COC/PIC/CPO | 集成替代 | 降低互连长度与功耗 | 可维修性、良率与标准 | A | S01S11S12S13 |
| 内置激光CPO | ELSFP外置激光 | 架构替代 | 可维护与热隔离 | PM光纤、连接与安全 | A | S01S11S12S13 |
| 挑战路线 | 产业化序列 | 当前判断 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 硅光PIC + CW | announced / sampling / qualified / mass_production / economic_competition | 部分替代 | A | S01S11S12 |
| 硅光/单模光 | announced / sampling / qualified / mass_production / economic_competition | 场景竞争 | A | S01S11S12 |
| 高速PIN + DSP/FEC | announced / sampling / qualified / mass_production / economic_competition | 部分替代 | A | S01S11S12 |
| COC/PIC/CPO | announced / sampling / qualified / mass_production / economic_competition | 集成替代 | A | S01S11S12 |
| ELSFP外置激光 | announced / sampling / qualified / mass_production / economic_competition | 架构替代 | A | S01S11S12 |
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AI影响与市场测算
用券商光模块出货预测和单模块InP芯片数量建立底层需求模型，再用显式ASP情景折算市场规模。
券商输入
2026—2030年800G、1.6T、3.2T出货量及12/17/17颗InP芯片配置。
研究假设
Bear/Base/Bull单颗ASP为6/8/10美元，不冒充已披露市场价格。
测算边界
仅覆盖高速光模块InP芯片proxy，不含低速、电信、VCSEL、PIC和封装价值。
AI高速光模块出货结构
百万只；券商预测。800G逐步让位于1.6T和3.2T，总量与单模块芯片数量共同决定上游需求。
800G1.6T3.2T
2026
63百万只
2027
109百万只
2028
155百万只
2029
165百万只
2030
165百万只
AI高速光模块InP芯片市场情景
出货量×单模块InP芯片数×单颗ASP；Bear/Base/Bull分别采用6/8/10美元。该图是可复算研究测算，不是券商原始市场预测。
Bear $6Base $8Bull $10
2026$6.8bn Base
2027$12.8bn Base
2028$19.5bn Base
2029$21.2bn Base
2030$21.4bn Base
| 年份 | 800G/百万只 | 1.6T/百万只 | 3.2T/百万只 | 800G芯片/只 | 1.6T芯片/只 | 3.2T芯片/只 | InP芯片需求/百万颗 | Bear/$bn | Base/$bn | Bull/$bn | 公式 | 边界 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026 | 43.0 | 20.0 | 0.0 | 12.0 | 17.0 | 17.0 | 856.0 | 5.14 | 6.85 | 8.56 | sum(module_shipments_mn * inp_chip_per_module) * asp_usd / 1000 | 仅覆盖800G/1.6T/3.2T高速光模块中的InP芯片需求proxy；不包含低速、电信、VCSEL、硅光PIC及封装价值。 | B | S16S20 |
| 2027 | 50.0 | 46.0 | 13.0 | 12.0 | 17.0 | 17.0 | 1,603.0 | 9.62 | 12.82 | 16.03 | sum(module_shipments_mn * inp_chip_per_module) * asp_usd / 1000 | 仅覆盖800G/1.6T/3.2T高速光模块中的InP芯片需求proxy；不包含低速、电信、VCSEL、硅光PIC及封装价值。 | B | S16S20 |
| 2028 | 40.0 | 85.0 | 30.0 | 12.0 | 17.0 | 17.0 | 2,435.0 | 14.61 | 19.48 | 24.35 | sum(module_shipments_mn * inp_chip_per_module) * asp_usd / 1000 | 仅覆盖800G/1.6T/3.2T高速光模块中的InP芯片需求proxy；不包含低速、电信、VCSEL、硅光PIC及封装价值。 | B | S16S20 |
| 2029 | 30.0 | 75.0 | 60.0 | 12.0 | 17.0 | 17.0 | 2,655.0 | 15.93 | 21.24 | 26.55 | sum(module_shipments_mn * inp_chip_per_module) * asp_usd / 1000 | 仅覆盖800G/1.6T/3.2T高速光模块中的InP芯片需求proxy；不包含低速、电信、VCSEL、硅光PIC及封装价值。 | B | S16S20 |
| 2030 | 25.0 | 60.0 | 80.0 | 12.0 | 17.0 | 17.0 | 2,680.0 | 16.08 | 21.44 | 26.80 | sum(module_shipments_mn * inp_chip_per_module) * asp_usd / 1000 | 仅覆盖800G/1.6T/3.2T高速光模块中的InP芯片需求proxy；不包含低速、电信、VCSEL、硅光PIC及封装价值。 | B | S16S20 |
原有需求指数模型
| 模型/情景 | 基准年 | 预测年 | 公式 | 增长 | 需求指数 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 光芯片需求加权指数 | 2025 | 2026 | sum(segment_weight_2025 * segment_growth_scenario) | {'bear': 0.108, 'base': 0.30119999999999997, 'bull': 0.4724} | 未披露 | B | S01S13S17 |
| Base | 未披露 | 未披露 | 100 * (1 + growth_2026) | 0.3012 | 130.1 | B | S01S13S17 |
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AI需求弹性与高端供给
需求和供给采用独立指数；券商远期市场预测不直接写入Base情景，避免激进预测支配模型。
| 情景 | 需求增长 | 有效供给增长 | 需求-供给 | 成立条件 | 利润方向 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Bear | 10.8% | 28.0% | -17.2% | AI部署延后且扩产按期释放 | ASP与稼动率承压 | B | S01S13S16S17 |
| Base | 30.1% | 24.0% | 6.1% | 800G/1.6T增长，CW与200G EML爬坡 | 高端紧平衡、低端继续降价 | B | S01S13S16S17 |
| Bull | 47.2% | 20.0% | 27.2% | scale-up/CPO提前且InP良率约束 | 高功率CW和200G EML溢价维持 | B | S01S13S16S17 |
| 公司 | 项目 | 状态 | 建设 | 爬坡 | 良率 | 认证 | 说明 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Coherent | InP 6英寸产线 | volume_production_and_ramp | 90.0% | 80.0% | 90.0% | 85.0% | 公司称2026产量翻倍、2027超过2倍 | A | S01 |
| Coherent | EML/CW/PD/PIC多器件 | capacity_expansion | 90.0% | 70.0% | 85.0% | 85.0% | 德州和瑞典扩6英寸，瑞士新增6英寸 | A | S01 |
| 仕佳光子 | 100mW CW DFB芯片 | project_announced | 80.0% | 45.0% | 70.0% | 65.0% | 募投面向硅光和CPO | A | S06 |
| 仕佳光子 | 400mW CW DFB COC | project_announced | 75.0% | 35.0% | 60.0% | 55.0% | 高功率与封装项目，尚需建设和认证 | A | S06 |
| 源杰科技 | 大功率CW与高速激光芯片 | mass_production_partial | 90.0% | 70.0% | 80.0% | 80.0% | CW产品已大批量出货，绝对产能未披露 | A | S04 |
| 光迅科技 | 100G/200G EML与硅光 | ramp_and_external_foundry | 85.0% | 55.0% | 70.0% | 70.0% | 100G量产、200G研发/导入；硅光流片外部代工 | A | S08 |
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AI竞争格局与国产替代
海外平台优势集中在多器件平台、6英寸InP和认证规模；国内增量集中在CW、DFB/EML和一体化验证。
| 公司 | 已验证产品 | 壁垒 | 位置 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 源杰科技 | DFB/EML/CW激光芯片 | 国内较纯光芯片暴露、IDM与客户导入 | 国产核心样本 | B | S04S17 |
| 仕佳光子 | DFB/EML/CW + AWG/FAU | 无源/有源双平台和新建高功率CW | 国产扩张样本 | A | S05S06 |
| 光迅科技 | 芯片—器件—模块一体化 | 内部协同、产品验证与系统客户 | 垂直一体化样本 | A | S07S08 |
| Top-down/人民币十亿元 | 仅做指数 | 对账方法 | 关键缺口 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 15.91 | 是 | 绝对市场规模使用受限B级区间；需求与供给采用指数，避免把不同光芯片口径和集团收入相加。 | 未取得按EML/CW/VCSEL/PD/PIC拆分的同口径出货量和ASP。 | B | S16S17 |
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公司进展、周期、风险与跟踪
市场规模、出货、良率、认证、收入和毛利按同一研究链更新；非阻断缺口进入后续清单。
历史周期
| 时期 | 阶段 | 证据与解释 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 2019-2021 | 扩张 | 5G/PON建设与云数据中心升级拉动DFB/EML，供应链扩产。 | A | S01S02S03S04S05 |
| 2022-2024 | 下行与出清 | 电信库存调整、传统云资本开支放缓，高速芯片导入延后，低端价格承压。 | A | S01S02S03S04S05 |
| 2025-2026 | 恢复转扩张 | AI scale-out带动800G/1.6T，200G EML、CW、PD和InP产能进入扩张。 | A | S01S02S03S04S05 |
| 下一阶段 | 扩张或过热 | 若InP扩产、国内CW量产与CPO订单同步兑现，量增快；若需求时点延后，新增产能先压价格。 | A | S01S02S03S04S05 |
动态跟踪
| 指标 | 频率 | 阈值 | 研究动作 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| Coherent InP产量和6英寸良率 | 季度 | 低于翻倍路径 | 下调有效供给 | A | S01S04S05S08S13 |
| 200G EML/PD量产与客户认证 | 季度 | 样品转批量放缓 | 下调1.6T芯片需求 | A | S01S04S05S08S13 |
| CW Laser功率与ELSFP订单 | 季度 | 150-400mW导入延后 | 下调CPO情景 | A | S01S04S05S08S13 |
| 源杰CW/数通收入与毛利 | 季度 | 量增不增利 | 检查ASP和良率 | A | S01S04S05S08S13 |
| 仕佳高功率CW项目建设/认证 | 半年度 | 建设完成但客户认证滞后 | 提高供给折扣 | A | S01S04S05S08S13 |
| 光迅自研芯片自供率 | 半年度 | 仍只定性不披露 | 维持收入null | A | S01S04S05S08S13 |
| 800G/1.6T/CPO端口部署 | 季度 | 端口需求下修 | 下调需求权重 | A | S01S04S05S08S13 |
反方观点
| 反方观点 | 失效/验证条件 | 影响 | 等级 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| AI光连接数量或速率升级低于预期 | 800G/1.6T订单和云厂商部署连续下修 | 高端芯片扩产转为过剩 | A | S01S02S03S08 |
| 硅光渗透提高但CW单模块价值下降更快 | 分光路数提升和激光效率抵消模块量增长 | CW市场增速低于模块增速 | A | S01S02S03S08 |
| 6英寸InP与国内扩产良率快速改善 | 交期缩短、ASP下降、认证供应商增加 | 高端供给瓶颈提前缓解 | A | S01S02S03S08 |
| 集团收入增长被误认为光芯片增长 | 公司未披露目标产品收入或自供比例 | 公司比较和估值失真 | A | S01S02S03S08 |
问题与限制
| 标签 | 问题 | 影响 | 处理 |
|---|---|---|---|
| 口径差异 | 光通信芯片组、激光器芯片、光互联和光模块属于不同统计层级。 | 市场规模只能分层展示，不能相加或直接算份额。 | 按核心芯片、细分芯片和下游需求分类，并保留原始币种与预测年。 |
| 数据缺口 | 多数公司不披露纯光芯片收入、良率、ASP和自供比例。 | 不能从集团收入推导光芯片份额。 | 目标产品收入保持null，只比较已验证产品和集团财务。 |
| 模型假设 | 行业没有统一wafer/die有效产能口径。 | 供给仅能输出指数。 | 按建设、爬坡、良率和认证折扣。 |
| 待验证 | CPO/NPO时间表受交换芯片、标准、封装与维修生态共同影响。 | 不能把演示或订单直接当行业全面量产。 | 区分demo、sampling、qualified和mass production。 |
| 模型假设 | AI高速光模块InP芯片测算缺少同口径公开ASP。 | 收入测算对单颗ASP假设敏感，不能视为第三方市场预测。 | 模块出货和芯片数量使用券商表，ASP采用6/8/10美元显式情景，并与2030数据中心激光器芯片市场预测交叉验证。 |
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完整资料来源
官方年报、公司产品资料、行业标准和完整券商报告分级登记，B级市场数据保留机构、页码和口径限制。
| ID | 等级 | 来源 | 页码/定位 | 用途 | 限制 |
|---|---|---|---|---|---|
| S01 | A | Coherent Corp. OFC 2026 Investor Event Deck | pp.16-20,25-31 | EML、CW Laser、VCSEL、PD、InP产能与CPO技术状态 | 公司材料，产能与市场容量属于管理层披露。 |
| S02 | A | Coherent Corp. Coherent Annual Report 2025 | pp.8-14,37-44 | 公司业务、研发、收入、毛利率和Networking分部 | 集团财务包含材料、激光与网络业务，不能等同于光芯片收入。 |
| S03 | A | Lumentum Holdings Inc. Lumentum Holdings Annual Report 2025 | pp.5-10, financial statements and segment note | Cloud & Networking、激光芯片投入与财务 | 集团含Cloud Light模块和工业激光业务，不能把分部收入当光芯片收入。 |
| S04 | A | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 源杰科技2025年年度报告摘要 | pp.3-12 | 光芯片产品谱系、量产状态与财务 | 摘要未披露完整分产品成本和绝对产能。 |
| S05 | A | 河南仕佳光子科技股份有限公司 仕佳光子2025年年度报告 | pp.8-21 and financial statements | DFB/EML/AWG/FAU产品、订单、财务和产能描述 | 集团含无源芯片、器件、光缆和材料，收入不等同于有源光芯片。 |
| S06 | A | 河南仕佳光子科技股份有限公司 仕佳光子2026年度向特定对象发行募集资金运用可行性分析报告 | pp.13-17 | 100mW CW DFB、400mW CW DFB COC和高速AWG扩产方向 | 项目建设和产能消化仍有不确定性，不直接计为有效供给。 |
| S07 | A | 武汉光迅科技股份有限公司 光迅科技2025年度审计报告 | pp.4,11-13,86-87 | 集团收入、成本、净利润和研发费用 | 集团财务覆盖芯片、器件与模块，目标光芯片收入未单列。 |
| S08 | A | 武汉光迅科技股份有限公司 光迅科技2025年度业绩说明会投资者关系活动记录 | pp.1-7 | 200G EML、CW、硅光、自研芯片和1.6T进展 | 问答披露多为定性信息，未披露良率和绝对产能。 |
| S09 | A | NVIDIA NVIDIA and Lumentum Announce Strategic Partnership | official press release | AI基础设施光学器件长期需求与产能合作 | 新闻稿未拆分到具体芯片型号或年度采购量。 |
| S10 | A | NVIDIA NVIDIA and Coherent Announce Strategic Partnership | official press release | AI基础设施光学器件长期需求与产能合作 | 新闻稿未拆分到具体芯片型号或年度采购量。 |
| S11 | A | Optical Internetworking Forum OIF 3.2T Co-Packaged Optical Module Implementation Agreement | pp.7-18 | CPO功能块、外置光源和光接口 | 用于架构与接口，不代表实际出货。 |
| S12 | A | Optical Internetworking Forum External Laser Small Form Factor Pluggable Implementation Agreement | pp.3-54 | ELSFP外置激光形态与可靠性要求 | 用于产品边界和结构。 |
| S13 | A | Ethernet Alliance Ethernet Roadmap 2026 | pp.1-2 | 800G/1.6T/3.2T、CPO与光电集成演进 | 路线图是技术方向，不是确定出货预测。 |
| S14 | A | Lumentum 200G PAM4 1311nm EML Chip | product specifications | 200G/lane EML产品状态与参数 | 原厂产品页。 |
| S15 | A | Lumentum 200G PAM4 PIN Photodiode Chip | product specifications | 200G/lane接收芯片产品状态与参数 | 原厂产品页。 |
| S16 | B | 东兴证券 通信光互联行业：CW激光器重构全球光芯片产业格局，IDM模式构建产业链壁垒 | pp.5-9,15-20,26-31 | 市场规模、成本结构、激光器分类和制造环节 | 机构/报告/日期/页码完整；市场数字来自LightCounting、灼识咨询等二次引用，作为受限B级区间。 |
| S17 | B | 开源证券 AI光提速时代的国产光芯片领军企业 | pp.4-17 | 全球与中国光芯片规模、源杰科技产品与客户 | 机构/报告/日期/页码完整；行业规模来自第三方市场机构，作为受限B级区间。 |
| S18 | B | 开源证券 AI时代的光器件领军企业 | pp.10-13 | 光模块—TOSA/ROSA—光芯片成本位置 | 机构/报告/日期/页码完整；成本占比源自第三方资料，作为结构示意而非精确BOM。 |
| S19 | A | Coherent Corp. Coherent Q3 FY2026 Investor Presentation | pp.6-8 | AI数据中心产能扩张与新增市场容量 | 公司管理层口径。 |
| S20 | B | 中邮证券 光通信行业深度报告：AI需求驱动光模块放量，技术升级和供需改善抬升产业链价值 | pp.2,6-7; Table 4 | 2026-2030年800G/1.6T/3.2T光模块出货量与每只模块InP芯片数量 | 完整券商报告在线核验；出货量为机构预测，ASP未披露，本报告另做显式情景。 |