SUBINDUSTRY / NAND
标准化细分行业研究 · 最终版 v1.0

NAND
Flash

晶圆、有效bit、服务器需求与强价格周期。覆盖产品拆分、产业链、供需模型、历史盈利、竞争技术和真实公司暴露。

截止 2026-07-25可见口径 人民币研究模式 完整模式问题注释 8项
01

研究结论卡

长期生命周期与短期景气周期分开判断

生命周期成熟期

结构性维度

景气周期扩张后段,接近过热

当前阶段

下一阶段若2027年资本开支和中国新增供给兑现,供需缺口可能在2027年下半年转向平衡;若AI服务器需求继续上修,则高价周期延长

观察成本传导

核心判断

NAND是大容量非易失存储的成本基础,长期比特需求仍由数据中心、手机、PC和边缘设备容量增长驱动;HDD在冷数据、UFS/eMMC/SSD在接口层形成分工而非简单替代NAND本体。

上行期利润首先集中于拥有晶圆产能、先进3D NAND工艺和企业级产品认证的原厂;下游控制器、固件和模组厂能否分享利润取决于库存成本、客户议价与成品涨价传导。

全球原厂直接承担NAND晶圆价格与利用率周期;A股多数公司属于SLC/SPI NAND设计、控制器、封测或模组品牌,不能把下游存储收入视作NAND晶圆收入。

出清筑底复苏复苏后段 / 分化过热下行
02

行业、产品与拆分

从系统位置、封装结构、规格和替代关系建立认知

NAND裸片内部 3D NAND ArrayWord Line · Bit LinePage写入 / Block擦除 外围 CMOS / I/O 从晶圆到终端价值流 · 非按比例 晶圆制造投片 / 良率 测试 / KGD分档 / 裸片 主控 / 固件ECC / FTL SSD · UFS · eMMC · 存储卡下游成品收入不重复计入NAND晶圆市场

NAND价值量核心在晶圆与有效bit产出;控制器、固件和封装属于下游产品化环节。

层级名称定义边界来源
产品大类NAND Flash以浮栅或电荷俘获结构保存电荷、以Page写入并按Block擦除的非易失存储阵列。本报告统计晶圆、裸片和原厂NAND收入;管理型存储成品作为下游。S01 S02
存储密度SLC/MLC单Cell存储1或2 bit,状态窗口更宽,耐久和可靠性更高。主要用于工业、汽车、启动和高可靠场景;不代表当前大容量市场主流。S01
存储密度TLC单Cell存储3 bit,是消费、移动和企业级NAND的主流密度。不同原厂在层数、外围电路、接口和良率上差异显著。S01 S12 S13 S14
存储密度QLC/PLC单Cell存储4或5 bit,以更低单位bit成本换取更高纠错、延迟和耐久压力。QLC已商业放量;PLC仍处研发和验证阶段,未形成独立市场。S01 S11
结构代际2D NANDCell在平面方向缩放的传统NAND。先进大容量产品已转向3D;2D在部分SLC/MLC和成熟应用保留。S02
结构代际3D NAND将存储单元垂直堆叠,通过更高层数、孔刻蚀和多层堆栈提升密度。层数不是唯一指标,I/O速度、外围CMOS、良率和有效bit密度同样重要。S02 S12 S13 S14
下游载体SSD/UFS/eMMC/存储卡NAND裸片与控制器、固件、封装组合形成的系统级产品。只计入其消耗的NAND价值,不把控制器和品牌收入并入NAND市场。S01 S06 S07
产品系统位置关键规格认证/选择标准替代品来源
3D TLC NAND晶圆/裸片企业级SSD、客户端SSD、UFS、eMMC及消费存储的核心介质层数
bit密度
I/O速率
良率
耐久
功耗
晶圆良率、控制器适配、系统可靠性和客户认证QLC NAND、部分HDD冷数据、不同接口管理型存储S02 S12 S13 S14
3D QLC NAND大容量企业级SSD、客户端SSD和高容量消费存储容量密度
写入耐久
读写延迟
纠错裕量
良率
控制器与固件必须管理写放大、SLC Cache和寿命TLC NAND、HDDS01 S11 S12
SLC/MLC NAND工业控制、汽车、通信、启动盘和高可靠嵌入式设备耐久
数据保持
工作温度
长期供货
长期认证与供应商变更控制SPI NAND、NOR+NAND组合、工业eMMCS01 S20 S21
03

产业链与利润流

实物流、价值流、利润流与议价权

上游设备与材料

全球半导体设备与材料供应商

决定3D层数、孔刻蚀、良率和扩产速度

先进设备集中度高;出口管制影响中国供应链
S05 S24
NAND设计与工艺

Samsung、SK hynix/Solidigm、Kioxia、Micron、SanDisk、长江存储

决定单位bit成本、性能、耐久和技术迁移速度

先进工艺与企业级认证形成壁垒
S02 S12 S13 S14 S15
晶圆制造

韩国、日本、新加坡、中国大陆主要晶圆基地

形成绝大部分NAND供给和固定成本杠杆

寡头供给纪律决定价格周期
S03 S04 S05
晶圆测试与裸片

原厂内部及封测合作伙伴

按速度、耐久和可靠性分档进入不同终端

高规格产品受良率与认证约束
S06 S08 S09
控制器/固件/封测

原厂自研与独立主控、模组和封测厂

把NAND转化为SSD、UFS、eMMC和存储卡

企业级和高可靠产品认证更强,消费级更受NAND成本挤压
S18 S19 S22
下游终端与云厂商

云服务商、服务器OEM、手机与PC品牌、汽车Tier1

决定比特需求、产品组合和认证周期

AI服务器在紧缺期吸收高端供给,消费端对价格更敏感
S05 S06 S07 S11
04

市场规模与需求

比特需求×价格/产品组合,并与产业收入勾稽

2026低情景8,152.68 亿元价格涨幅回落
2026基准10,007.41 亿元勾稽1473亿美元预测
2026高情景11,549.63 亿元AI短缺继续延长
[模型口径] 2026总市场采用公开预测;六分支以比特需求份额×价格/产品组合指数分配。服务器超过40%的线索为事实,具体份额和指数为研究假设。
服务器/数据中心SSD基准占比 49.5%
4,954.17 亿元 低 3,545|高 6,324.8
S05 S06 S07 S11
智能手机/UFS/eMMC基准占比 19.2%
1,925.05 亿元 低 1,861.73|高 1,818
S05 S06
PC/客户端SSD基准占比 13.4%
1,344.7 亿元 低 1,310.11|高 1,257.83
S05 S09
消费/存储卡/U盘基准占比 5.7%
566.19 亿元 低 486.73|高 534.71
S03 S09
汽车/工业基准占比 7.9%
792.67 亿元 低 657.08|高 1,033.76
S18 S20 S21
其他与库存变化基准占比 4.2%
424.64 亿元 低 292.04|高 580.54
S03 S05
需求分支低比特份额基准比特份额高比特份额低价格/组合指数基准指数高指数低/亿元基准/亿元高/亿元基准占比来源
服务器/数据中心SSD38.0%42.0%46.0%1.151.251.353,5454,954.176,324.849.5%S05 S06 S07 S11
智能手机/UFS/eMMC27.0%24.0%21.0%0.850.850.851,861.731,925.051,81819.2%S05 S06
PC/客户端SSD17.0%15.0%13.0%0.950.950.951,310.111,344.71,257.8313.4%S05 S09
消费/存储卡/U盘8.0%8.0%7.0%0.750.750.75486.73566.19534.715.7%S03 S09
汽车/工业6.0%6.0%7.0%1.351.41.45657.08792.671,033.767.9%S18 S20 S21
其他与库存变化4.0%5.0%6.0%0.90.90.95292.04424.64580.544.2%S03 S05
勾稽项人民币亿元对照解释来源
2025实际市场4,735.35TrendForce约697亿美元作为当前周期起点。S03 S17
2026低情景8,152.68低于1473亿美元机构预测价格涨幅回落或需求延后。S03 S04 S05 S17
2026基准情景10,007.41与TrendForce 1473亿美元预测一致六类需求分支按比特份额和产品组合分配。S05 S17
2026高情景11,549.63高于机构基准AI需求、短缺和涨价持续超预期。S04 S05 S06 S07 S17

公开市场规模口径

TrendForce全年回顾2025A
4,735.35 亿元S03 S17
TrendForce 1Q262026Q1
3,097.99 亿元S04 S17
TrendForce全年预测2026E
10,007.41 亿元S05 S17
研究压力情景2026E
8,152.68 亿元S03 S04 S05 S17
研究延长短缺情景2026E
11,549.63 亿元S04 S05 S06 S07 S17

需求方向与领先指标

需求分支当前角色驱动领先指标方向来源
服务器与数据中心SSD2026年最大增量和高价值需求中心AI服务器、推理数据、训练数据集、企业级SSD容量云厂商资本开支、企业级SSD交期、服务器NAND比特占比高增长但对资本开支敏感S05 S06 S07 S11
智能手机/UFS/eMMC稳定大体量,受终端出货和容量升级共同驱动平均容量、旗舰UFS升级、入门机库存手机出货、UFS/eMMC合约价、OEM库存比特增长、收入占比受服务器挤压S05 S06
PC与客户端SSD成熟需求,容量升级抵消出货波动AI PC、平均SSD容量、换机周期PC出货、客户端SSD价格、渠道库存温和增长S05 S09
消费存储与可移动设备价格敏感、渠道库存波动大存储卡、U盘、游戏机、电视和物联网渠道报价、库存周转、消费电子出货低速增长或受价格挤压S03 S09
汽车与工业体量较小但可靠性和生命周期溢价较高智能座舱、ADAS、工业数字化和边缘AI车规认证、SOP、工业订单和宽温料号稳定增长S18 S20 S21
其他与库存变化包括网络设备、嵌入式终端及产业链库存变化通信设备、边缘存储、渠道补库原厂和模组库存、订单取消率波动S03 S05
05

生命周期与历史周期

成熟行业也可能处于强景气周期;至少复盘两轮

时期阶段触发传导顺序本轮启示来源
2018-2020过热—下行—筑底3D NAND扩产和bit供给增长超过手机、PC与数据中心需求供给释放→价格下跌→库存和减值→减产/资本开支收缩→价格企稳技术迁移带来的bit增长可以在晶圆片数不变时造成供给过剩。S23
2021-2023紧张—过热—深度下行疫情备货与供应链扰动后,消费需求转弱且库存累积涨价/抢货→渠道与原厂库存上升→需求下修→价格暴跌→减产与巨额亏损库存、固定成本和高价投片共同放大NAND利润波动。S06 S08 S23
2024-2026复苏—扩张—接近过热原厂供给纪律、AI服务器与企业级SSD需求、资本开支偏低库存去化→价格和利用率修复→服务器需求抢占供给→2026短缺与价格急涨本轮收入上升同时包含比特增长和价格/产品组合重估,不能外推为长期CAGR。S03 S04 S05 S06 S07 S08
06

有效供给

晶圆片数必须经过工艺迁移、良率和产品分配转换为有效bit

节点有效供给调整状态限制来源
全球NAND总供给晶圆投片
工艺迁移损失
良率
层数与bit密度
产品分配
库存释放
2026年比特供给预计落后需求约4%—5%有效供给用比特而非晶圆片数衡量。S05
Samsung高层数迁移
服务器产品分配
既有厂利用率
仍为最大供应商;2026供给以技术迁移和产品组合为主未公开可比WSPM。S04 S05 S10 S16
SK hynix/Solidigm321层迁移
企业级SSD认证
产品组合
企业级SSD和高层数NAND推动份额与盈利集团未单拆NAND晶圆毛利。S07 S10 S13
Kioxia/SanDiskBiCS迁移
合资晶圆厂分配
Kitakami/Yokkaichi爬坡
2025—2026盈利显著修复,新增供给受爬坡与良率约束双方收入与晶圆分配口径不同。S08 S09 S12
MicronG9迁移
高价值数据中心分配
库存和长协
2026财季数据中心NAND需求强,供给受限公司利润含DRAM。S06 S14
中国NAND供给设备可得性
国产设备验证
良率
先进层数迁移
终端认证
TrendForce预计中国供应商全球比特产出占比可能从2025年约10%升至2027年约19%不等于收入市占率;长江存储未公开产能。S05 S15 S24
年份需求指数供给指数供需差阶段来源
2025A1001000复苏/扩张S03 S05
2026E120114.6-0.04短缺/接近过热S05
2027E138139.50.01上半年紧张、下半年趋平衡S05
2028E1551600.03正常化或下行风险S05
价格/成本项作用传导时滞指标来源
NAND合约价/现货价收入和周期核心变量供需缺口、库存和长协共同决定ASP;价格变化快于产能调整现货领先、合约按月/季传导Wafer、TLC/QLC、企业级SSD合约价S04 S05
晶圆利用率与固定成本毛利弹性核心高利用率摊薄折旧,减产和工艺迁移损失抬高单位bit成本1—3个季度利用率、折旧、库存减值和产量S06 S08 S09
3D层数与bit密度长期降本变量更高层数和更高bit/Cell降低理论成本,但初期良率与工艺步骤增加多季度爬坡量产层数、良率和单位晶圆bit产出S02 S12 S13 S14
TLC/QLC产品组合收入、成本和耐久权衡QLC提高bit密度并拓展大容量SSD,但需更强控制器和固件认证和平台导入周期QLC出货占比、企业级认证S01 S11 S12
资本开支中期供给领先指标设备采购到有效bit供给需经历建设、安装、工艺迁移和良率爬坡12—24个月行业Capex、设备交付、厂房进度S05
07

历史盈利能力

毛利率为核心,明确公司整体与eMMC分部的差别

Kioxia HoldingsMicron Technology
-9.1%22.3%41.0%202320242025

均为公司整体存储业务口径,不是eMMC分部毛利率。

公司年份收入/十亿元归母净利/十亿元毛利率口径来源
Kioxia HoldingsFY2024(截至2024-03)49.87未公开/待验证-12.0%公司整体NAND为主,人民币按期末近似汇率仅作展示S08 S25
Kioxia HoldingsFY2025(截至2025-03)78.99未公开/待验证33.4%公司整体NAND为主S08 S25
Kioxia HoldingsFY2026(截至2026-03)108.25未公开/待验证43.3%公司整体NAND为主S08 S25
Micron Technology2023105.7-39.6-9.1%公司整体DRAM+NAND,非NAND分部S06 S26
Micron Technology2024170.55.322.3%公司整体DRAM+NANDS06 S26
Micron Technology2025253.563.641.0%公司整体DRAM+NANDS06 S26
08

竞争格局

一体化原厂、独立品牌和控制器厂不能混为一类

类型代表模式优势风险来源
全球一体化NAND原厂Samsung、SK hynix/Solidigm、Kioxia、Micron、SanDisk设计、晶圆制造、产品和部分控制器/SSD一体化规模、工艺、客户认证和资本实力高固定成本、价格周期、技术迁移和巨额CapexS04 S10
中国NAND制造商长江存储等自主3D NAND架构、晶圆制造与国内生态协同本土需求、产业链协同和国产替代设备限制、良率、先进层数量产和国际客户认证S05 S15 S24
利基NAND设计公司兆易创新、东芯股份等Fabless SLC/SPI NAND及成熟应用本土客户、长生命周期和小容量产品与大容量3D NAND原厂不在同一市场口径,晶圆代工和价格周期S20 S21
控制器/模组/封测联芸科技、江波龙、佰维存储、德明利及封测厂采购NAND并通过主控、固件、封测和品牌形成成品客户、固件、供应链和快速产品化高价库存、涨价传导和集团收入越界S18 S19 S22
09

技术路线与政策

eMMC成熟化与UFS替代并存

路线阶段价值商业方向风险来源
更高层数3D NAND量产迁移提高单位晶圆bit密度多层堆栈、极高深宽比刻蚀和更高I/O工艺步骤、良率、应力和爬坡损失S02 S12 S13 S14
CMOS under Array / wafer bonding主流差异化提高阵列效率和I/O并缩小裸片外围电路与存储阵列分离优化或键合键合良率和制造复杂度S12 S15
QLC扩大商业放量降低单位bit成本并提高单盘容量企业级大容量SSD和消费SSD耐久、延迟、写放大和控制器要求S01 S11
PLC研发/验证进一步提升bit密度长期低成本容量层16/32状态窗口、纠错、耐久和性能S01
标准/政策影响变量传导状态来源
美国先进半导体制造设备出口管制中国先进NAND设备可得性和扩产速度设备限制→工艺迁移/维护难度→有效供给和国产设备验证持续执行并动态调整S24
中国集成电路产业支持政策研发、设备材料国产化和资本投入税收/融资/采购支持→本土产业链验证→长期供给能力长期政策S27
10

公司业务暴露

只认真实产品和披露,不用概念映射替代收入证据

公司代码角色eMMC暴露分层证据风险来源
长江存储未上市3D NAND设计与晶圆制造直接NAND制造核心直接暴露官方Xtacking技术和产品信息;经营数据未公开设备限制、良率、扩产和客户认证S15 S24
兆易创新603986.SHNOR、SLC/SPI NAND、MCU等Fabless利基NAND直接产品,非大容量3D NAND制造利基直接暴露年报与产品资料产品结构多元,集团财务不能视作NAND收入S20
东芯股份688110.SHSLC NAND、NOR、DRAM等FablessSLC NAND直接产品利基直接暴露年报披露产品和财务亏损、晶圆代工、成熟产品价格和客户恢复S21
联芸科技688449.SHSSD/eMMC主控与固件NAND控制器间接暴露上游配套年报和产品资料收入包含多类主控,受客户认证与晶圆代工影响S22
江波龙301308.SZ存储品牌、固件、封测与模组NAND采购和价格周期直接影响库存及毛利下游显著暴露年报披露嵌入式、消费与企业级存储高价库存和涨价传导S18
佰维存储688525.SH存储解决方案、封测、固件和模组NAND采购与产品化下游显著暴露年报披露产品和财务采购周期、库存、客户集中和资本开支S19
公司2025收入/十亿元归母净利/十亿元毛利率嵌入式收入/十亿元eMMC收入口径来源
兆易创新9.21.6539.0%未公开/待验证未公开/待验证毛利率为公开年报口径近似,NAND收入未单拆。S20
东芯股份0.92-0.11未公开/待验证未公开/待验证未公开/待验证毛利率待从年报附表复核,不填估计值。S21
联芸科技1.330.52未公开/待验证未公开/待验证未公开/待验证非NAND晶圆收入。S22
江波龙16.731.3219.4%7.96未公开/待验证嵌入式存储含多类产品。S18
佰维存储13.030.9121.4%未公开/待验证未公开/待验证不代表NAND晶圆收入。S19
11

估值比较

公司整体静态估值,不代表eMMC业务估值,不形成投资建议

公司收盘价/元日期市值/十亿元2025净利/十亿元静态PE/x口径来源
兆易创新4572026-07-24303.761.65184.32公司整体静态估值,非NAND业务估值S20 S28
东芯股份110.152026-07-2448.71-0.11未公开/待验证公司整体静态估值;亏损不计算PES21 S28
联芸科技54.532026-07-2426.170.5250.72公司整体静态估值,非NAND晶圆估值S22 S28
江波龙370.012026-07-24155.761.32118.36公司整体静态估值,非NAND晶圆估值S18 S28
佰维存储236.382026-07-24109.990.91120.6公司整体静态估值,非NAND晶圆估值S19 S28
12

情景与反方论证

条件和触发信号比主观概率更重要

情景基数/亿元CAGR2028/亿元假设触发来源
供给提前释放8,152.68-10.0%6,603.67价格涨幅低于预期、2027供给提前兑现、消费需求受高价抑制合约价转跌、库存上升、供给增长连续高于比特需求S05
基准周期10,007.41-3.3%9,356.932026短缺、2027收入再增10%、2028随供需正常化下降15%2027下半年供需趋平衡但AI需求维持高位S05 S06 S07
AI短缺延长11,549.636.8%13,166.58服务器需求继续上修、资本开支转化偏慢、2027增长20%、2028仅回落5%企业级SSD长期交期、原厂库存低、服务器比特需求继续超预期S04 S05 S06 S07
视角论证成立条件来源
最强多头AI推理和数据湖使服务器NAND成为结构性需求中心,而新晶圆厂供给滞后,价格和企业级产品组合可维持高位。云厂商Capex、企业级SSD订单、服务器比特需求和原厂库存持续强S05 S06 S07 S11
最强空头NAND历史上每轮高价都会刺激技术迁移和Capex,2027中国供给与全球扩产可能叠加,收入峰值无法长期维持。供给增长超过需求、库存回升、价格连续下跌、企业级订单放缓S05 S23
结论失效条件若服务器需求占比没有超过40%或2026收入未接近机构预测,则当前过热判断和需求分支分配需整体下调。后续季度产业收入、服务器SSD出货和合约价显著弱于预测S04 S05
13

动态跟踪

指标—阈值—研究动作

指标频率当前正向阈值反向阈值动作来源
NAND合约价与Wafer现货月/季快速上涨涨价延续且库存不升连续两月/季转跌重算市场规模与毛利情景S04 S05
服务器NAND比特需求占比季度预计超过40%继续上修并伴随企业级SSD放量降至35%以下或订单取消调整需求分支权重S05 S11
行业Capex与新增投片季/年2026 Capex增长有限设备交付和有效供给继续延迟Capex与投片显著上修并顺利爬坡前移供给平衡时间S05
原厂库存和毛利率季度库存偏低、利润快速扩张毛利提升且库存周转稳定库存增长快于收入且毛利率见顶判断周期从过热转下行S06 S08 S09
中国NAND比特产出半年扩张中但不透明扩产低于预期或高端认证受限2027接近19%且良率/认证兑现调整全球有效供给和份额S05 S15 S24
A股模组库存与毛利季度利润修复但高价库存风险上升涨价顺利传导且库存周转稳定库存和应收快于收入、毛利下降区分原厂涨价受益与下游承压S18 S19 S21
14

问题与限制

研究问题随最终版发布并在正文对应位置注释

[模型假设] · 高

需求分支市场规模

公开资料给出服务器超过40%、手机与笔记本近40%的比特需求线索,但没有完整分应用收入份额。

影响:六分支人民币金额依赖价格/产品组合指数。
当前处理:公开比特份额与假设指数分层展示,并使基准总额严格勾稽1473亿美元。
后续:接入授权数据库的分应用bit shipment和ASP。
[数据缺口] · 高

长江存储

未公开可审计的收入、产能、良率和完整客户结构。

影响:无法计算其收入市占和项目级有效产能。
当前处理:只使用官方技术资料和TrendForce中国比特产出预测,不反推公司经营数据。
后续:取得公司披露、供应链调研或权威数据库。
[口径差异] · 高

2026市场规模

1473亿美元为2026年7月预测,强烈受到价格上涨影响,不能视为正常化市场规模。

影响:长期CAGR和估值若以峰值外推将失真。
当前处理:展示2025实际、2026低/基准/高和非线性2027—2028路径。
后续:按季度收入和ASP更新。
[数据缺口] · 高

有效产能

原厂未按统一WSPM、层数、良率和有效bit口径公开项目产能。

影响:不能构造精确项目级供需表。
当前处理:用行业比特缺口、Capex、技术迁移和厂商状态构建指数模型。
后续:补充晶圆厂投片、设备装机和良率数据。
[口径差异] · 中

历史毛利率

Kioxia接近NAND纯度,但Micron、SK hynix和Samsung均包含DRAM或其他业务。

影响:公司整体毛利不能视作NAND单独毛利率。
当前处理:优先展示Kioxia并将Micron明确标为存储周期代理。
后续:补充SanDisk与各公司NAND分部披露。
[口径差异] · 中

A股映射

A股公司主要属于利基NAND、控制器、模组和封测,并非全球3D NAND晶圆原厂。

影响:不能用集团收入、涨幅或估值替代NAND晶圆基本面。
当前处理:按直接制造、利基设计、主控配套和下游模组四层分类。
后续:持续核对NAND采购、产品收入和客户认证。
[低置信度] · 中

公司财务

部分A股2025毛利率和股本未取得可直接抽取的官方表格。

影响:个别字段保留为空或使用近似股本。
当前处理:不填伪精确值,估值表明确近似口径。
后续:归档年报PDF并逐表复核。
[待验证] · 中

2027供给转折

2027下半年供需转平衡依赖Capex执行、中国供给增长、良率与服务器需求。

影响:周期峰值时点可能前后移动。
当前处理:将其设为可验证的转换信号而非确定预测。
后续:季度更新Capex、bit供给和库存。
15

来源与方法

A为官方一手,B为专业来源,C为公开市场摘要

ID等级来源用途链接
S01A级Multi-Level Cell NAND Flash Memory
Kioxia · 2026-07访问
SLC、MLC、TLC、QLC和PLC原理原始链接
S02A级3D V-NAND Flash Memory
Samsung Semiconductor · 2026-07访问
2D与3D NAND结构原始链接
S03B级2025 NAND Flash Revenue Review
TrendForce · 2026-01-22
2025全球NAND收入约697亿美元原始链接
S04B级1Q26 NAND Flash Revenue and Market Share
TrendForce · 2026-05-28
1Q26收入456亿美元、涨价和供应商份额原始链接
S05B级NAND CapEx to Surge 16% in 2027, China to Account for 19% of Global Output
TrendForce · 2026-07-21
2026收入1473亿美元、4%—5%缺口、需求结构、Capex和2027供给原始链接
S06A级Micron Fiscal Q3 2026 Results
Micron Technology · 2026-06
数据中心NAND需求、供给与盈利周期原始链接
S07A级SK hynix Announces 2Q26 Financial Results
SK hynix · 2026-07-23
企业级SSD、NAND产品组合和当前景气原始链接
S08A级Kioxia Holdings FY2025 Financial Results
Kioxia Holdings · 2026-05-14
NAND原厂收入、利润和供需原始链接
S09A级SanDisk Fiscal Fourth Quarter and Fiscal Year 2026 Results
SanDisk · 2026-07-17
NAND产品价格、盈利和客户端/数据中心需求原始链接
S10B级4Q25 NAND Flash Revenue and Supplier Market Share
TrendForce · 2026-02-26
全球供应商份额和集中度原始链接
S11B级Enterprise QLC SSD Shipments to Surge in 2026
TrendForce · 2026-07-23
QLC和服务器SSD需求原始链接
S12A级BiCS FLASH 3D Flash Memory
Kioxia · 2026-07访问
BiCS、3D NAND和晶圆键合路线原始链接
S13A级World's First 321-Layer NAND Flash
SK hynix · 2025
321层NAND技术迁移原始链接
S14A级Micron G9 NAND
Micron Technology · 2025
高层数NAND、I/O和密度路线原始链接
S15A级Xtacking Architecture
YMTC · 2026-07访问
长江存储晶圆键合和技术路线原始链接
S16A级Samsung V-NAND Products and Technology
Samsung Semiconductor · 2026-07访问
Samsung V-NAND产品路线原始链接
S17A级人民币汇率中间价
中国外汇交易中心 · 2026-07-24
USD/CNY 6.7939原始链接
S18A级江波龙2025年年度报告
江波龙 · 2026-04-29
下游存储产品、财务、库存和毛利原始链接
S19A级佰维存储2025年年度报告
佰维存储 · 2026-04-22
下游存储产品、封测和财务原始链接
S20B级兆易创新2025年年度报告
兆易创新 · 2026
利基NAND产品和公司财务原始链接
S21B级东芯股份2025年年度报告
东芯股份 · 2026
SLC NAND产品和公司财务原始链接
S22B级联芸科技2025年年度报告
联芸科技 · 2026
NAND主控产品和公司财务原始链接
S23B级NAND Flash Historical Market Cycle Materials
TrendForce · 2018-2025
2018—2025价格与库存周期复盘原始链接
S24A级Commerce Strengthens Export Controls to Restrict China's Capability to Produce Advanced Semiconductors
U.S. Bureau of Industry and Security · 2024-12-02
先进NAND设备出口管制变量原始链接
S25C级Kioxia Holdings Financial Ratios
Stock Analysis · 2026-07访问
Kioxia历史毛利率核对原始链接
S26A级Micron Technology 2025 Annual Report
Micron Technology · 2025
Micron历史收入、利润和毛利率原始链接
S27A级新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策
中国政府网 · 2020-08-04
中国集成电路产业支持政策原始链接
S28B级A股2026-07-24收盘行情
新浪财经行情接口 · 2026-07-24
公司整体静态估值输入原始链接