SEMI 统计显示，全球 DRAM 前道产能约从 140 万片/月降至约 104 万片/月，退出与制程升级共同造成收缩。
Global memory capacity review · 2006-2026
全球 DRAM 产能二十年
晶圆投入从 2008 年扩产高峰收缩至 2015 年低点，再由寡头扩产、长鑫崛起与 AI/HBM 拉动重回增长。真正改变供给的，不只是多建厂，而是制程迁移、良率与每片晶圆可产出的位元数。
全球 DRAM 前道装机产能
12 英寸等效千片/月
灰色带为估算区间；红线为中位估计。2010-2016 年以 SEMI 图表为主要锚点。
01 / 核心结论
晶圆变少过，位元从未停止增长
过去二十年的主旋律，是单位晶圆产出的提升快于前道晶圆数量变化。行业从扩产竞赛转向寡头纪律， 2024 年后又因 HBM 的高晶圆消耗与长鑫扩张，重新进入“有效产能紧张、名义产能增长”的阶段。
三星、SK 海力士与美光在 2025 年合计占全球 DRAM 收入九成以上，产能决策高度集中。
长鑫招股书引用 Omdia 数据，确认其位列全球第四；公司拥有合肥、北京三座 12 英寸 DRAM 晶圆厂。
HBM 堆叠更多 DRAM 裸片并引入复杂封装。同等交付位元下，它占用的晶圆和后道资源显著高于传统 DRAM。
02 / 统计口径
“产能”至少有两种答案
晶圆月产能适合比较厂房和设备规模；位元产能更接近实际市场供给。只看其中一个指标，会误判技术升级和 HBM 对供给的影响。
前道晶圆产能 · WSPM
将 200mm 与 300mm 产线按面积折算为 300mm 等效晶圆，并以每月可投入晶圆片数表示。 它回答“有多少洁净室、设备和晶圆投入能力”，但不直接等于可销售内存容量。
300mm 等效片数 ≈ 300mm 片数 + 200mm 片数 × 0.444
有效位元产能 · Bit output
由晶圆投入、芯片面积、每片良率、制程密度和产品组合共同决定。制程缩小可在相同晶圆数下提升位元产出； HBM 则因多裸片堆叠和更严格筛选，反向提高单位交付容量的资源消耗。
位元供给 ≈ 晶圆投入 × 每片合格裸片数 × 单颗容量 × 封装良率
03 / 二十年演变
四段周期，两个结构性转折
2009 年的退出潮和 2013 年前后的并购完成了第一次结构重塑；2024 年后，HBM 与中国新增供给构成第二次重塑。
2006-09
扩产、价格战与淘汰
PC DRAM 驱动 300mm 扩产，2008 年前后达到阶段性晶圆峰值。金融危机与长期亏损令 Qimonda 于 2009 年申请破产，台湾厂商也开始收缩或转型。
2010-16
产能收缩与寡头成形
SEMI 数据显示全球 DRAM 晶圆产能从约 140 万片/月降至约 101 万片/月。美光 2013 年收购尔必达、2016 年全资收购华亚科，前三家格局基本确立。
2017-22
移动、云与资本纪律
三星平泽、SK 海力士 M14/M16 和美光亚洲基地逐步扩张，但厂商更重视盈利与供需平衡。晶圆产能温和增长，位元增长主要依赖 1x/1y/1z 与 1α 制程迁移。
2023-26
AI/HBM 与第四极
2023 年行业减产后，AI 服务器带动 HBM 与高容量 DDR5。HBM 挤占传统 DRAM 有效供给；长鑫快速爬坡至全球第四，SK 海力士 M15X 于 2026 年开始投片。
04 / 产能版图
2026：三强仍主导，长鑫成为第四极
厂商通常不披露纯 DRAM 的精确月产能，且同一厂区会发生 DRAM/NAND、成熟/先进制程切换。下图为公开厂房信息、 公司披露和行业估计的区间中值，重点在规模级别而非单点精度。
主要厂商 DRAM 前道产能区间
2026E · 千片/月 · 12 英寸等效
三星电子
580-650
SK 海力士
500-620
美光
300-350
长鑫科技
250-320
南亚等
100-150
区间为本报告综合估算。SK 海力士 2026 年上限包含 M15X 爬坡；长鑫区间与三座 12 英寸厂、 全球第四及近期公开行业估计交叉验证。区间不可直接等同于销售份额。
The HBM capacity tax
名义晶圆增长，不代表传统 DRAM 同步宽松
HBM 使用多个 DRAM 裸片堆叠，并要求 TSV、KGD 筛选和先进封装。厂商把先进制程晶圆转向 HBM 后， 总晶圆产能可能上升，但 PC、手机与通用服务器 DRAM 的可用供给仍可能偏紧。
56.4%
SK 海力士 2026Q1 HBM 收入份额，来自其 SEC 招股书引用的 IDC 数据。
>5×
2025 年 HBM 每 GB 价格相对传统 DRAM 的溢价，SK 海力士招股书引用 Gartner。
M15X
SK 海力士清州扩建厂于 2026Q1 开始投片，重点增产 HBM 等下一代 DRAM。
供给错配
HBM、DDR5 与成熟 DDR4 并非完全可即时互换，制程和客户认证使短期供给具有刚性。
05 / 最终列表
2006-2026 全球 DRAM 年度产能表
表中“中值”为装机前道产能的 12 英寸等效估算；区间反映公开资料差异、混线生产与年内爬坡。 2010-2015 年以 SEMI 图表读数为锚点，2016 年参考其预测；其余年份为趋势插值和多源交叉估算。
| 年份 | 中值 千片/月 |
估算区间 千片/月 |
同比 | 供给阶段 | 当年核心变化 | 置信度 |
|---|
如何阅读：例如 2026E 的 1,950 千片/月表示全球厂商合计每月约有 195 万片 12 英寸等效 DRAM 前道装机能力，并非实际满产投片。
边界：未将 HBM 后道封装产能折算进 WSPM；混线厂按主要产品和行业资料分配。历史数据适合趋势和量级比较，不适合精确估值建模。
06 / 来源与说明
主要数据锚点
优先采用公司申报材料、SEC 文件、年度报告与 SEMI 等一手或接近一手资料；无法获得精确披露时使用区间而非伪精确单点。
- SEMI / Solid State Technology（2015）
Worldwide DRAM Capacity 图表：2010-2016 年 300mm 等效月产能，以及 2010-2014 年约 25% 的收缩。 - 长鑫科技集团招股书（2026-07-22）
本地 PDF：三座 12 英寸厂、全球第四、2023-2025 产能利用率、2025 年厂商份额。 - SK hynix 424B4（2026-07-10）
本地 SEC 原件：2021-2026Q1 DRAM 收入份额、HBM 份额、M15X 开始投片及行业供需描述。 - Micron（2013）
完成收购 Elpida：行业从六家主要供应商进一步集中。 - Micron（2016）
完成收购 Inotera：将台湾 DRAM 制造资源进一步纳入美光体系。 - Qimonda insolvency record
2009 年破产背景：2008-2010 产能退出的重要节点。 - Micron 2025 Form 10-K
年度报告镜像：300mm 生产基地与新增 DRAM 产能规划。 - Samsung 2025 Business Report
公司报告：存储业务、制造布局和资本开支背景。 - 2026 厂商区间
综合公司厂房披露、近期行业产能报道及总量一致性校验。由于厂商不披露纯 DRAM 实时 WSPM，区间置信度为中等。 - 估算责任
本报告由公开资料综合制作，不构成证券研究评级或投资建议；2026 为截至 2026-07-24 的年化估计。