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topic_id: 22258454544158441
created_at: 2026-11-04T09:29:11.730+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
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# 【国联民生电子】磷化铟衬底：产业落地进入加速兑现期 11月3日，云南锗业发布日常经营重大合同公告，云南鑫耀半导体与AOI签订长期供货协议，AOI预计于2027年

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## 正文

【国联民生电子】磷化铟衬底：产业落地进入加速兑现期

11月3日，云南锗业发布日常经营重大合同公告，云南鑫耀半导体与AOI签订长期供货协议，AOI预计于2027年至2031年期间向云南鑫耀每年采购18万片、合计90万片4英寸N型磷化铟衬底，云南鑫耀与AOI签订了《》，约定2027年度AOI采购数量为18万片，对应金额为19,440万美元（约13.6亿人民币）。

一、磷化铟供需紧缺：需求抬升供给较为刚性，需求缺口较大

➠需求端，据中国粉体网2025年全球InP衬底需求约210万片，2026年将上涨至260—300万片，2027年有望突破400万片；

➠供给端，2026年全球有效产能仅60—75万片/年，缺口较大。

二、价格端：涨价预期Q4延续

价格端，2英寸InP衬底从2025年初至2026年4月涨幅近2倍，6英寸从1400美元涨至5000美元（涨幅超2.5倍），Q4预计继续涨价超10%。

三、生产壁垒：设备、工艺积累与客户认证壁垒高

➠InP单晶生长工艺复杂，高温下磷元素蒸气压高、易挥发，需精确控制温度、压力及生长环境以维持熔体成分稳定

➠长晶设备交付周期长、下游客户认证周期以年计，客户认证壁垒较高

四、国产突破：国内厂商加速突围，布局磷化铟产业链

➠光智科技通过增资控股先锐科技，置入先导科技集团全部InP衬底业务，已完成2→4→6英寸三代晶体迭代，为国内首批推出6英寸InP衬底厂商之一，已获全球头部客户订单；依托集团高纯红磷（三年100吨委托加工）及高纯铟（三年100吨锁价）保障原材料供应。

➠云南锗业2025年实际生产InP晶片10.01万片，2026年计划18万片，并启动年产30万片四英寸折算产能扩建项目（含6000片六英寸）。

➠博杰股份通过控股鼎泰芯源切入磷化铟衬底赛道，以资金增资和工艺自动化团队赋能扩产与良率提升。

➠海川智能参股南京集溢、间接布局大庆溢泰，大庆溢泰拟建年产24万片2—4英寸磷化铟抛光片项目。

投资建议

➠AI数据中心对中/长距离光互连需求旺盛，叠加设备、认证、原材料多重供给约束，行业供需缺口高，磷化铟衬底或进入量价同升周期。

建议关注：

➠InP衬底及上游侧：光智科技、云南锗业、博杰股份、海川智能、AXT、至纯科技、兴发集团；

➠光芯片侧：源杰科技、长光华芯、永鼎股份、东山精密、仕佳光子等。

风险提示：AI算力需求不及预期、产能释放不及预期、出口管制政策变化、竞争加剧及价格波动风险

## 总体总结

主题正文
1. 11月3日，云南锗业发布日常经营重大合同公告，云南鑫耀半导体与AOI签订长期供货协议，AOI预计于2027年至2031年期间向云南鑫耀每年采购18万片、合计90万片4英寸N型磷化铟衬底，云南鑫耀与AOI签订了《》，约定2027年度AOI采购数量为18万片，对应金额为19,440万美元（约13.6亿人民币）。
2. ➠需求端，据中国粉体网2025年全球InP衬底需求约210万片，2026年将上涨至260—300万片，2027年有望突破400万片；
3. 价格端，2英寸InP衬底从2025年初至2026年4月涨幅近2倍，6英寸从1400美元涨至5000美元（涨幅超2.5倍），Q4预计继续涨价超10%。
4. ➠光智科技通过增资控股先锐科技，置入先导科技集团全部InP衬底业务，已完成2→4→6英寸三代晶体迭代，为国内首批推出6英寸InP衬底厂商之一，已获全球头部客户订单；
5. ➠云南锗业2025年实际生产InP晶片10.01万片，2026年计划18万片，并启动年产30万片四英寸折算产能扩建项目（含6000片六英寸）。
6. 风险提示：AI算力需求不及预期、产能释放不及预期、出口管制政策变化、竞争加剧及价格波动风险
