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title: "【东北计算机】技术升级线——VPD：关注核心器件增量与国产导入机会 [太阳]VPD：供电路径垂直化、开启芯片近端供电升级 AI芯片功耗与电流持续提升，传统横向供"
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# 【东北计算机】技术升级线——VPD：关注核心器件增量与国产导入机会 [太阳]VPD：供电路径垂直化、开启芯片近端供电升级 AI芯片功耗与电流持续提升，传统横向供

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## 正文

【东北计算机】技术升级线——VPD：关注核心器件增量与国产导入机会

[太阳]VPD：供电路径垂直化、开启芯片近端供电升级 AI芯片功耗与电流持续提升，传统横向供电面临传输损耗、瞬态压降及板面空间约束。VPD将末级电源移至处理器下方，缩短低压大电流路径，并推动功率芯片、磁性器件、电容与PCB协同升级。目前，AWS等多家云厂商已开始布局VPD供电方案。

[太阳]DrMOS：用量与性能同步提升、国产厂商加快突破 芯片功率增长推动供电相数及功率器件需求提升，VPD进一步提高对转换效率、封装高度与散热性能的要求。据我们测算，2030年全球数据中心AI芯片用DrMOS市场空间有望超450亿元，关注通过大电流功率级与多相控制器配套推进客户导入的晶丰明源、杰华特。

[太阳]电感：薄型化与多相集成升级、TLVR拓展价值空间 VPD下处理器底部空间紧凑，对电感的电流承载与瞬态响应提出更高要求，TLVR可加快电流响应，降低满足同等瞬态指标所需的输出电容量。据我们测算，2030年全球AI芯片供电用TLVR电感市场空间有望超350亿元。相关公司：铂科新材、顺络电子、龙磁科技（未覆盖）。

[太阳]高频电容：去耦向芯片近端迁移、硅电容打开封装内空间。高密度供电推动电容向低寄生参数、薄型化及基板嵌入方向升级，低ESL MLCC与硅电容有望形成分工。据我们测算，2030年全球AI芯片硅电容市场空间有望超200亿元。相关公司：布局硅电容的英集芯（未覆盖）、 布局硅电容封测的颀中科技（未覆盖）。

[太阳]PCB及互连：供电与主板深度集成、系统适配能力重要性提升 VPD后续有望向主板及封装基板内集成演进，对埋嵌工艺、互连损耗与热设计提出更高要求。相关公司：推进埋嵌式PCB及集成供电技术的中富电路。

深度报告：

## 总体总结

主题正文
1. 【东北计算机】技术升级线——VPD：关注核心器件增量与国产导入机会
2. [太阳]VPD：供电路径垂直化、开启芯片近端供电升级 AI芯片功耗与电流持续提升，传统横向供电面临传输损耗、瞬态压降及板面空间约束。
3. VPD将末级电源移至处理器下方，缩短低压大电流路径，并推动功率芯片、磁性器件、电容与PCB协同升级。
4. [太阳]DrMOS：用量与性能同步提升、国产厂商加快突破 芯片功率增长推动供电相数及功率器件需求提升，VPD进一步提高对转换效率、封装高度与散热性能的要求。
5. 据我们测算，2030年全球数据中心AI芯片用DrMOS市场空间有望超450亿元，关注通过大电流功率级与多相控制器配套推进客户导入的晶丰明源、杰华特。
6. [太阳]电感：薄型化与多相集成升级、TLVR拓展价值空间 VPD下处理器底部空间紧凑，对电感的电流承载与瞬态响应提出更高要求，TLVR可加快电流响应，降低满足同等瞬态指标所需的输出电容量。
7. 据我们测算，2030年全球AI芯片供电用TLVR电感市场空间有望超350亿元。
8. [太阳]PCB及互连：供电与主板深度集成、系统适配能力重要性提升 VPD后续有望向主板及封装基板内集成演进，对埋嵌工艺、互连损耗与热设计提出更高要求。