--- title: "野村——全球AI趋势追踪：光通信芯片市场趋势：激光器、调制器与材料供应链——核心观察点 未来三至五年，全球光通信芯片需求将由800G与1.6T可插拔光模块，以及" topic_id: 82258218111448442 created_at: 2026-10-28T09:47:26.108+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # 野村——全球AI趋势追踪：光通信芯片市场趋势：激光器、调制器与材料供应链——核心观察点 未来三至五年，全球光通信芯片需求将由800G与1.6T可插拔光模块，以及 - 序号：535 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/82258218111448442) - 附件：图片 0，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 _无图片_ ## 正文 野村——全球AI趋势追踪：光通信芯片市场趋势：激光器、调制器与材料供应链——核心观察点 未来三至五年，全球光通信芯片需求将由800G与1.6T可插拔光模块，以及面向Scale-up与Scale-out网络的NPO（近封装光学）与CPO（共封装光学）方案共同驱动。硅光（SiPh）配合CW（连续波）激光器正成为主流架构，凭借供应链多元化与成本效率，持续侵蚀传统EML（电吸收调制激光器）份额。技术路线呈现“Fast and Narrow（少通道、超高速）”与“Slow and Wide（多通道、中低速）”双轨并行：前者由SiPh与EML主导，后者由VCSEL与MicroLED开启增量场景。高端光芯片在2026至2027年仍受InP（磷化铟）衬底、外延良率与设备交期约束，供给缺口难解。 一、网络分层与光芯片映射 Scale-out层（机柜间互联）：800G与1.6T可插拔模块仍是AIDC主流。野村预计，到2027年，基于CW激光器的硅光模块渗透率可达60%至70%，其余由EML补足。英伟达与思科联合推出USFP（超高密度小尺寸可插拔）设计，携手TE Connectivity与Amphenol，支持200G与400G SerDes，单模块聚合带宽最高6.4T，平滑延续可插拔生态，降低向3.2T以上演进的切换成本。 Scale-up层（GPU集群内）：当SerDes向448G及以上演进，铜缆衰减成为物理瓶颈。NPO与CPO将光电转换界面拉近至芯片侧。硅光为主流，但VCSEL因低功耗、易维护与供应链成熟，在短距Scale-up重获关注。 Scale-across层（跨机房/园区）：传统IMDD（强度调制直接检测）受色散与距离限制，相干光通信成为必然。Coherent Lite（轻量相干）面向20公里内场景，采用更简化DSP与固定波长，谷歌预计自2027年起部署2.4T Coherent Lite。 二、激光器芯片：从EML到SiPh+CW，VCSEL与MicroLED补位 主流激光芯片类型： FP与DFB：中低速、短中距基础光源。 EML：100G及以上单模高速长距主力，InP体系，成本高但信号质量优。 CW激光器：为硅光调制器提供稳定外置光源，是SiPh与CPO核心耗材，功率从70mW向120mW、300mW+升级。 VCSEL：垂直腔面发射，适用于100米内多模互联；1060nm新波段在2026年ECOC展示出更高带宽与更好散热，Lumentum、Coherent、Broadcom等加速布局。 MicroLED：GaN基微显示光源用于光互连，Microsoft MOSAIC采用“400通道×2G”宽而慢架构，Avicena LightBundle主打1至2pJ/bit超低能耗。 出货量与市场空间： 野村测算，InP系激光芯片（含EML、VCSEL、CW）出货量将从2026年约4.8亿颗增至2028年约15.42亿颗。 LightCounting口径：2025年光通信芯片市场约40亿美元，2031年约150亿美元；其中硅光占比由三分之一升至42%（约63亿美元），InP由58%降至46%（约69亿美元）。EML份额被硅光替代，但InP激光总盘子随CW与相干需求继续扩张。 三、调制器：EAM、MZM与MRM的路径分化 EAM（电吸收调制器）：与EML集成，用于800G与1.6T可插拔，受InP产能与带宽瓶颈约束。 MZM（马赫-曾德尔调制器）：硅光与TFLN（薄膜铌酸锂）平台主流选择，温度稳定性好、线性度佳，Broadcom CPO采用MZM，适合相干与光引擎。 MRM（微环调制器）：NVIDIA CPO与AMD下一代加速器采用，尺寸仅约100微米，低电容低驱动电压，但对温度敏感，需闭环热调谐。 产业逻辑正从“独立调制器供应商”转向“硅光平台+先进封装”的系统竞争。Tower、GlobalFoundries提供200mm与300mm硅光代工，MZM生态向异构集成收敛。 四、材料体系：InP为锚，GaAs、SiGe、TFLN、BTO多点突破 InP：FP、DFB、EML、CW均依赖InP衬底。高端衬底由住友电工、JX金属、AXT三家主导，扩产周期18至36个月，叠加中国对InP衬底与高纯铟相关物项出口管制，有效供给持续受限。2026至2027年高端InP衬底仍是全链最硬瓶颈。 GaAs：VCSEL与MicroLED主材，4至6英寸成熟，8英寸由海外龙头领跑，适合短距低成本海量通道。 SiGe：用于Driver、TIA、PD与SerDes电子侧，Tower与GlobalFoundries扩产SiGe产能，支撑LPO与NPO线性链路。 TFLN：下一代超高带宽调制材料，Fujitsu、光库科技、HyperLight推进110GHz级以上产品，适配1.6T与3.2T。 BTO（钛酸钡）：电光系数高、CMOS兼容潜力大，Lumiphase与清华团队推进400G级以上BTO调制器原型，仍处商业化早期。 五、供需判断与国产替代窗口 中低端放松：70mW与100mW CW、100G EML随源杰科技等中国厂商渗透，未来一至两年供给改善。 高端紧平衡：200mW+ CW、200G+ EML、高速VCSEL仍由Lumentum、Coherent、Broadcom、住友等主导，2026至2027年存在结构性缺货。 监管风险：中国光模块全球主导，但光芯片出海处早期，InP材料与设备受出口管制与地缘政策双向约束，需持续跟踪合规边界。 六、标的与生态映射 光模块/系统：中际旭创（买入）在可插拔与硅光引擎双线领先；NPO与CPO定制化将强化头部中国方案商角色。 光芯片：源杰科技（中性）等国产EML与CW厂商进入爬坡；高端外延良率与客户认证决定利润释放节奏。 材料：住友电工（买入）、JX金属（买入）掌握InP定价权；TFLN与BTO看材料突破进度。 调制与平台：Broadcom、Cisco、Intel、Marvell、Ayar Labs、Coherent构成MZM/MRM与硅光平台核心阵营 ## 总体总结 主题正文 1. 未来三至五年，全球光通信芯片需求将由800G与1.6T可插拔光模块，以及面向Scale-up与Scale-out网络的NPO（近封装光学）与CPO（共封装光学）方案共同驱动。 2. 技术路线呈现“Fast and Narrow（少通道、超高速）”与“Slow and Wide（多通道、中低速）”双轨并行：前者由SiPh与EML主导，后者由VCSEL与MicroLED开启增量场景。 3. 英伟达与思科联合推出USFP（超高密度小尺寸可插拔）设计，携手TE Connectivity与Amphenol，支持200G与400G SerDes，单模块聚合带宽最高6.4T，平滑延续可插拔生态，降低向3.2T以上演进的切换成本。 4. Coherent Lite（轻量相干）面向20公里内场景，采用更简化DSP与固定波长，谷歌预计自2027年起部署2.4T Coherent Lite。 5. CW激光器：为硅光调制器提供稳定外置光源，是SiPh与CPO核心耗材，功率从70mW向120mW、300mW+升级。 6. MicroLED：GaN基微显示光源用于光互连，Microsoft MOSAIC采用“400通道×2G”宽而慢架构，Avicena LightBundle主打1至2pJ/bit超低能耗。 7. 高端紧平衡：200mW+ CW、200G+ EML、高速VCSEL仍由Lumentum、Coherent、Broadcom、住友等主导，2026至2027年存在结构性缺货。 8. 调制与平台：Broadcom、Cisco、Intel、Marvell、Ayar Labs、Coherent构成MZM/MRM与硅光平台核心阵营