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title: "📑 🤝2026 年 10 月 27 日，我们邀请 TrendForce 举办了一场围绕 DRAM 以及 HBM 市场的内存专家线上研讨会。 📝会议核心要点包含："
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# 📑 🤝2026 年 10 月 27 日，我们邀请 TrendForce 举办了一场围绕 DRAM 以及 HBM 市场的内存专家线上研讨会。 📝会议核心要点包含：

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## 正文

📑

🤝2026 年 10 月 27 日，我们邀请 TrendForce 举办了一场围绕 DRAM 以及 HBM 市场的内存专家线上研讨会。
📝会议核心要点包含：
📈；
💎；
⚙️；
🧩谷歌 TPU 将拉动多代 HBM 比特需求量，2027 年 HBM4 将接近占据 HBM 行业营收的 60%；
🛡️。
👍我们维持对三星电子（SEC；CL 标的）以及 SK 海力士的买入评级。
📋TrendForce 内存专家线上研讨会五大核心要点
📈：
🔍TrendForce 预计 2027 年 DRAM 供给将持续处于紧张状态；尽管消费端需求偏弱，但服务器端需求旺盛、新增供给有限，会支撑未来数个季度产品平均售价进一步上行。
📄TrendForce 同时提到，长期供货协议的覆盖率最高可达 60‑70%，这会使得 2027 年的价格上涨幅度趋于温和；不过超出协议约定采购量的增量需求，仍然可以按更高的价格协商成交。
✅综合各项因素，TrendForce 目前判断 DRAM 价格上涨态势将延续至 2028 年上半年。
💎：
📊TrendForce 预测，2027 年 HBM 综合平均售价同比将上涨 122%，达到每吉比特 3.7 美元，推动 HBM 行业营收同比增幅超 230%，规模突破 2000 亿美元。
💬TrendForce 表示，不同供应商、不同客户对应的产品价格差异会十分明显；明年 HBM4 价格区间跨度较大，高端价位可超过每吉比特 5 美元，低端价位则接近每吉比特 3 美元。
💰TrendForce 认为，受单位内存对应的基底裸片成本更高的影响，按每吉比特计价，8 层堆叠 HBM4 相比 12 层堆叠产品可以实现 5‑10% 的溢价；明年 HBM4E 的产品价格会显著高于 HBM4。
🤝我们认为 TrendForce 的观点和我方预期相吻合，我们当前测算主要供应商的 HBM 平均售价明年同比涨幅区间为 100‑160%。
⚙️：
🔧TrendForce 表示，尽管各家公司资本开支计划积极，但受洁净厂房条件约束、设备交付周期拉长的影响，2028 年之前 DRAM 很难迎来实质性产能增量。
📈TrendForce 称，2027 年每家韩国供应商可新增 8‑10 万片晶圆月产能；但三星电子的新增产能大部分会分配至 HBM 业务，传统 DRAM 的比特容量增长将主要依靠工艺迭代实现。
⏱️TrendForce 提到，设备供应情况预计从 2027 年下半年开始改善，新建晶圆厂从 2028 年起才能够为市场带来具备实质规模的供给；与此同时，各家供应商也会根据需求前景来调控自身的产能扩张计划。
🧩谷歌 TPU 将拉动多代 HBM 比特需求量，2027 年 HBM4 将接近占据 HBM 行业营收的 60%：
🚀TrendForce 表示，谷歌正逐步成长为 HBM 需求越来越重要的拉动力量；TPU 产品占比不断提升，明年也会持续支撑 HBM3E 的比特需求，这代表 HBM 的需求会分散在多个代际产品之上，而不是仅仅集中在 HBM4/4E。
💵与此同时，凭借可观的产品溢价，TrendForce 预计 2027 年 HBM4 将接近
占据 HBM 行业整体营收的 60%。
🛡️：
📉TrendForce 认为，即便中国相关公司持续投入产能与技术研发，其中期带来的竞争风险依旧有限；对比头部供应商，国内公司在技术水平以及良率层面仍存在不小差距（可参考我方近期关于长鑫存储 4F2 架构的报告）。
📊TrendForce 预测，2027 年中国相关公司的 HBM 市场占比会低于 2%；其中 JHICC 主要聚焦 HBM2E 产品，长鑫存储的研发目标则是 HBM3/3E。

## 总体总结

主题正文
1. 📄TrendForce 同时提到，长期供货协议的覆盖率最高可达 60‑70%，这会使得 2027 年的价格上涨幅度趋于温和；
2. ✅综合各项因素，TrendForce 目前判断 DRAM 价格上涨态势将延续至 2028 年上半年。
3. 📊TrendForce 预测，2027 年 HBM 综合平均售价同比将上涨 122%，达到每吉比特 3.7 美元，推动 HBM 行业营收同比增幅超 230%，规模突破 2000 亿美元。
4. 明年 HBM4 价格区间跨度较大，高端价位可超过每吉比特 5 美元，低端价位则接近每吉比特 3 美元。
5. 💰TrendForce 认为，受单位内存对应的基底裸片成本更高的影响，按每吉比特计价，8 层堆叠 HBM4 相比 12 层堆叠产品可以实现 5‑10% 的溢价；
6. 🔧TrendForce 表示，尽管各家公司资本开支计划积极，但受洁净厂房条件约束、设备交付周期拉长的影响，2028 年之前 DRAM 很难迎来实质性产能增量。
7. ⏱️TrendForce 提到，设备供应情况预计从 2027 年下半年开始改善，新建晶圆厂从 2028 年起才能够为市场带来具备实质规模的供给；
8. TPU 产品占比不断提升，明年也会持续支撑 HBM3E 的比特需求，这代表 HBM 的需求会分散在多个代际产品之上，而不是仅仅集中在 HBM4/4E。